黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進一步測量，對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發(fā)亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞[3]。當這個電壓增加等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時，左邊的可控硅就觸發(fā)導通，這時的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷
2）5.雙向可控硅介紹（1）5.雙向可控硅介紹（2）5.雙向可控硅介紹（3）可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的.由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化.6.目前產(chǎn)品封裝插件（TO-92，TO-126，TO-202，TO-220，TO-3P，TO-3PS，TO-251,TO-262,SOT-82,TO-202-3,TO-220F,TO-247,TO-247S,RD91,TG-C）貼片（SOT-23，SOT-23-3L,SOT-89，SOT-223，SOT-252。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>
一旦為觸發(fā)信號開通，并保持一定幅度的流通電流的話，則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關斷。若用于交流電路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個觸發(fā)信號，則一直保持導通，直到電壓過零點到來，因無流通電流而自行關斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發(fā)信號，可控硅也因A、K間電壓反向，而保持于截止狀態(tài)?？煽毓杵骷蚬に嚿系碾x散性，其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導通壓降，很難有統(tǒng)一的標準?？煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三極管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發(fā)電流也越大。觸發(fā)電壓范圍一般為左右，觸發(fā)電流為10mA-幾百mA左右。峰值觸發(fā)電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過2A。A、K間導通壓降為1-2V[1]。單向可控硅對比編輯雙向可控硅雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質(zhì)上是兩個反并聯(lián)的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結(jié)構(gòu)成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構(gòu)造是對稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做一電極T1，另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。
在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件?？煽毓柚饕a(chǎn)廠家編輯主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN，SEMIKRON，EUPEC，IR，JBL等?？煽毓栊g語編輯IT。第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。
雙向晶閘管的伏安特性見圖3，由于正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方向?qū)?。從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖一，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖二.當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖三所示。當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小?？煽毓?Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷
它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷
交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通。由于采用過零觸發(fā)，因此上述電路還需要正弦交流電過零檢測電路。1過零檢測電路電路設計如圖1所示，為了提高效率，使觸發(fā)脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發(fā)脈沖，且觸發(fā)脈沖電壓應大于4V，脈沖寬度應大于20us.圖中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發(fā)光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導通，產(chǎn)生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中斷0的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，然后發(fā)出雙向可控硅的同步觸發(fā)信號。過零檢測電路A、B兩點電壓輸出波形如圖2所示。2過零觸發(fā)電路電路如圖3所示，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅(qū)動器，也屬于光電耦合器的一種，用來驅(qū)動雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用，R6為觸發(fā)限流電阻，R7為BCR門極電阻，防止誤觸發(fā)，提高抗干擾能力。當單片機80C51的，MOC3061導通，觸發(fā)BCR導通，接通交流負載。另外，若雙向可控硅接感流負載時，由于電源電壓超前負載電流一個相位角，因此，當負載電流為零時。河北好的英飛凌可控硅工廠直銷