調(diào)速開關,恒溫水床,電熱毯溫控器,恒溫水毯,數(shù)字調(diào)光臺,數(shù)字調(diào)光硅箱,電源箱,組合硅箱,調(diào)光臺,調(diào)光設備,燈光控制設備,可控硅元件多用來做可控整流，逆變，變頻，調(diào)壓，無觸點開關等,調(diào)聲控電路，定時控制器，感應燈，圣誕燈控制器，自動門電路，玩具裝置，電動工具，無線電遙控電路，攝像機，調(diào)光燈、調(diào)速風扇，冷暖空調(diào)器，熱水器，電視，冰箱，洗衣機，照相機，音箱組合，電動工具調(diào)速開關，電動調(diào)速器開關.電動工具控制板,電動機軟啟動控制板,小家電控制板,按摩產(chǎn)品控制板,按摩控制板,控制器、電磁鐵、變壓器、電源適配器,變壓器;振動電磁鐵;磁力鎖;環(huán)形變壓器;電源變壓器;振動盤調(diào)速器;高壓變壓器;隔離變壓...

正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為普通型可控硅。綜上所述，小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流I...

黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào)，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進一步測量，對于單向可...

可控硅基礎知識環(huán)昕微可控硅基礎知識，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴。在P型半導體中空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質原子成為負離子。三價雜質因而也稱為受主雜質。，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質原子提供；空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價雜質原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質原子也稱為施主雜質。在P型半導體和N型半導體結合后，由于N型區(qū)內(nèi)電子很多而空穴很少，而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差...

雙向可控硅介紹“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的，它能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。兩極雙向可控硅用萬用表測量好壞方法一：測量極間電阻法。將萬用表置于皮R&TImes;1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R&TImes;10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之，若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能...

這是因為雙向可控硅在一個方向單向可控硅的工作原理圖導通結束時，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態(tài)的位置，必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關以及直流電機調(diào)速和換向等電路。二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。單、雙向可控硅的判別先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、...

面對標有字符的一面)。市場上常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示?？煽毓杈чl管特性可控硅為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在（這里使用的是KP1型晶閘管，若采用KP5型，應接在3V直流電源的正極）。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通；再按一下按鈕開關SB，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說明晶閘...

允許通過陰極和陽極的電流平均值?？煽毓璺庋b形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、T0-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形（c）及（d）...

用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關S）或使陽極電流小于維持導通的小值（稱為維持電流）。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷?？煽毓钁妙愋蛨D4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。一象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電壓UBO時，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導通，這時的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到，觸發(fā)電流越...

陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。[3]鑒別注意事項控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。[3]若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向...

可控硅的主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下...

再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開，如果結果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分（其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的，即在兩個方向（在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導通。方法三：檢查觸發(fā)導通能力。如圖2所示．取一只10uF左右的電解電容器，將萬用表置于R&TImes;10k檔（V電壓），對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號，然后再將萬用表置于R×10檔，照圖2（b）連接好后進行測試。測試時，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉情況，如果測試結果與“方法二’相同，就證明雙向可控...

允許通過陰極和陽極的電流平均值。可控硅封裝形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、T0-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形（c）及（d）...

陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。[3]鑒別注意事項控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。[3]若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向...

再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開，如果結果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分（其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的，即在兩個方向（在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導通。方法三：檢查觸發(fā)導通能力。如圖2所示．取一只10uF左右的電解電容器，將萬用表置于R&TImes;10k檔（V電壓），對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號，然后再將萬用表置于R×10檔，照圖2（b）連接好后進行測試。測試時，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉情況，如果測試結果與“方法二’相同，就證明雙向可控...

再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開，如果結果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分（其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的，即在兩個方向（在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導通。方法三：檢查觸發(fā)導通能力。如圖2所示．取一只10uF左右的電解電容器，將萬用表置于R&TImes;10k檔（V電壓），對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號，然后再將萬用表置于R×10檔，照圖2（b）連接好后進行測試。測試時，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉情況，如果測試結果與“方法二’相同，就證明雙向可控...

當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過B...

交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路。過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通。由于采用過零觸發(fā)，因此上述電路還需要正弦交流電過零檢測電路。1過零檢測電路電路設計如圖1所示，為了提高效率，使觸發(fā)脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發(fā)脈沖，且觸發(fā)脈沖電壓應大于4V，脈沖寬度應大于20us.圖中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用。當正弦交流電壓接近零時，光電耦合器的兩個發(fā)光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導通，產(chǎn)生負脈沖信號，T1的輸出端接到單片機80C51的外部中斷0的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務子程序中使用定時器累計移相時間，...

第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為它的特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因為晶閘管初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实?..

可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結（a），相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的?？煽毓铚y量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極...