安徽多端口矩陣測試DDR3測試

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實驗所學習的操作去編輯拓撲進行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真。

在提取出來的拓撲中，設置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設置Pulse頻率等參數，

單擊OK按鈕退出參數設置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到，差分時鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設計沒有接終端的電阻端接。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看，可以看到， 時鐘信號完全不能工作。 DDR3一致性測試是否適用于筆記本電腦上的內存模塊？安徽多端口矩陣測試DDR3測試

多數電子產品，從智能手機、PC到服務器，都用著某種形式的RAM存儲設備。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結合，SDRAM作為大多數基于計算機產品 的主流存儲器技術被廣泛應用于各種高速系統(tǒng)設計中。

DDR是雙倍數率的SDRAM內存接口，其規(guī)范于2000年由JEDEC （電子工程設計發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會）發(fā)布。隨著時鐘速率和數據傳輸速率不斷增加帶來的性能提升，電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標，或確保系統(tǒng)內部存儲器及其控制設備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來越大。存 儲器子系統(tǒng)的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題。 解決方案DDR3測試聯(lián)系方式DDR3一致性測試是否適用于工作站和游戲電腦？

使用SystemSI進行DDR3信號仿真和時序分析實例

SystemSI是Cadence Allegro的一款系統(tǒng)級信號完整性仿真工具，它集成了 Sigrity強大的 電路板、封裝等互連模型及電源分布網絡模型的提取功能。目前SystemSI提供并行總線分析 和串行通道分析兩大主要功能模塊，本章介紹其中的并行總線分析模塊，本書第5章介紹串 行通道分析模塊。

SystemSI并行總線分析(Parallel Bus Analysis)模塊支持IBIS和HSPICE晶體管模型， 支持傳輸線模型、S參數模型和通用SPICE模型，支持非理想電源地的仿真分析。它擁有強 大的眼圖、信號質量、信號延時測量功能和詳盡的時序分析能力，并配以完整的測量分析報 告供閱讀和存檔。下面我們結合一個具體的DDR3仿真實例，介紹SystemSI的仿真和時序分 析方法。本實例中的關鍵器件包括CPU、4個DDR3 SDRAM芯片和電源模塊，

至此，DDR3控制器端各信號間的總線關系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設置信息作為SystemSI能識別的注釋，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Updateo

設置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設置。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大，特別是On-Die Capacitor,需要根據 實際情況正確設定。因為實際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設置窗口后，Controller和PCB模塊間的連接線會顯示紅叉，表明這兩個模塊間連接有問題， 暫時不管，等所有模型設置完成后再重新連接。 DDR3一致性測試和DDR3速度測試之間有什么區(qū)別？

DDR3信號質量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高，信號電平降低，信號質量問題也會變得突出。比如DDR1的數據信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質量；DDR2/3/4會將外部電阻變成內部ODT；對于多負載的控制命令信號，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅動能力的選擇等方面，可以通過仿真 來得到正確驅動和端接，使DDR工作時信號質量改善，從而增大DDRI作時序裕量。DDR3一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環(huán)境？上海智能化多端口矩陣測試DDR3測試

DDR3一致性測試的目標是什么？安徽多端口矩陣測試DDR3測試

DDR 規(guī)范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統(tǒng)設計過程，以及將實際的設計需求和 DDR 規(guī)范中的主要性能指標相結合，我們以一個實際的設計分析實例來說明，如何在一個 DDR 系統(tǒng)設計中，解讀并使用 DDR 規(guī)范中的參數，應用到實際的系統(tǒng)設計中。是某項目中，對 DDR 系統(tǒng)的功能模塊細化框圖。在這個系統(tǒng)中，對 DDR 的設計需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個 DDR 功能模塊由四個 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲芯片 MT46V64M8BN-75。每個 DDR 芯片是 8 位數據寬度，構成 32 位寬的 2GBDDR 存儲單元，地址空間為 Add<13..0>，分四個 Bank，尋址信號為 BA<1..0>。

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