對于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導通和關斷。逆變器IGBT模塊檢測:將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔,測試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性,來判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除,使用二極管測試檔，紅表筆接P(集電極c1)，黑表筆依次測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為；將表筆反過來，黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為。各相之間的正反向特性應相同，若出現(xiàn)差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時,只有擊穿短路情況出現(xiàn)。紅、黑兩表筆分別測柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性,萬用表兩次所測的數(shù)值都為，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示,則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時,說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。2、你還可以利用參數(shù)P372選擇模擬運行功能，來檢查是否功率器件被損壞，或者觸發(fā)脈沖的邏輯關系是否正確。寅涵供應原裝igbt芯片可控硅驅(qū)動模塊。福建Mitsubishi 三菱IGBT模塊庫存充足
也可以用模塊中的2個半橋電路并聯(lián)構成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊，即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊，用于直接構成三相橋電路，也可以將模塊中的3個半橋電路并聯(lián)構成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領域是變頻器和三相UPS、三相逆變器，不同的應用對IGBT的要求有所不同，故制造商習慣上會推出以實際應用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等。，CBI模塊，7in1模塊歐美廠商一般將包含圖6所示的7in1模塊稱為CBI模塊（Converter-Brake-InverterModule，整流-剎車-逆變）模塊，日系廠商則習慣稱其為PIM模塊。圖67in1模塊內(nèi)部的等效電路制造商一般都會分別給出模塊中個功能單元的參數(shù)，表1是IXYS的MUBW15-12T7模塊的主要技術規(guī)格。表1MUBW15-12T7的主要技術規(guī)格三相整流橋斷路器三相逆變器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE（sat）=（sat）=其中，斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術規(guī)格。福建Mitsubishi 三菱IGBT模塊庫存充足IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應用實現(xiàn)一致性的散熱性能。
因為高速開斷和關斷會產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。(3)IGBT開通后，驅(qū)動電路應提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。(4)IGBT驅(qū)動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響，RG較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會增加IGBT的開關時間和開關損耗；RG較小，會引起電流上升率增大，使IGBT誤導通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結構及IGBT的容量有關,一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。(5)驅(qū)動電路應具有較強的抗干擾能力及對IG2BT的保護功能。IGBT的控制、驅(qū)動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配,另外,在未采取適當?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開路。四、IGBT的結構IGBT是一個三端器件，它擁有柵極G、集電極c和發(fā)射極E。IGBT的結構、簡化等效電路和電氣圖形符號如圖所示。如圖所示為N溝道VDMOSFFT與GTR組合的N溝道IGBT(N-IGBT)的內(nèi)部結構斷面示意圖。IGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，形成丁一個大面積的PN結J1。由于IGBT導通時由P+注入?yún)^(qū)向N基區(qū)發(fā)射少子，因而對漂移區(qū)電導率進行調(diào)制，可仗IGBT具有很強的通流能力。介于P+注入?yún)^(qū)與N-漂移區(qū)之間的N+層稱為緩沖區(qū)。
晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關斷晶閘管GTO，逆導晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門的學科?！熬чl管交流技術”。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流——可變直流二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā)，實現(xiàn)負載交流功率的無級調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠距離輸送以減少損耗。當開關頻率很高時:導通的時間相對于很短，所以，導通損耗只能占一小部分。
墓他3組上橋臂的控制信號輸入電路與圖2相同，但3組15V直流電源應分別供電，而下橋臂的4組則共用一個15V直流電源。圖2控制信號輸入電路(2)緩沖電路緩沖電路（阻容吸收電路）主要用于抑制模塊內(nèi)部的IGBT單元的過電壓和du/出或者過電流和di/dt，同時減小IGBT的開關損耗。由于緩沖電路所需的電阻、電容的功率、體積都較大，所以在IGBT模塊內(nèi)部并沒有專門集成該部分電路，因此，在實際的系統(tǒng)中一定要設計緩沖電路，通過緩沖電路的電容可把過電壓的電磁能量變成靜電能量儲存起來。緩沖電路的電阻可防止電容與電感產(chǎn)生諧振。如果沒有緩沖電路，器件在開通時電流會迅速上升，di/dt也很大，關斷時du/dt很大，并會出現(xiàn)很高的過電壓，極易造成模塊內(nèi)部IGBT器件損壞。圖3給出了一個典型的緩沖電路；有關阻值與電容大小的設計可根據(jù)具體系統(tǒng)來設定不同的參數(shù)。.近，電動汽車概念也火的一塌糊涂，Infineon推出了650V等級的IGBT，專門用于電動汽車行業(yè)。廣東功率半導體IGBT模塊批發(fā)采購
模塊可以用于率封裝，比如450A，600A，800A等。福建Mitsubishi 三菱IGBT模塊庫存充足
在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越的應用，在較高頻率的大、率應用中占據(jù)了主導地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。1、IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時應該降等使用。2、使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時。福建Mitsubishi 三菱IGBT模塊庫存充足