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  • 浙江高壓igbt驅(qū)動模塊可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    浙江高壓igbt驅(qū)動模塊可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi);④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離;⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,要求串聯(lián)的元件同一時刻導(dǎo)通,宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種:①電磁觸發(fā)方式,將低電位觸發(fā)信號經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發(fā)方式成本較低,技術(shù)比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題,同時觸發(fā)時的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式,將觸發(fā)脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖,直接觸發(fā)高位光控晶閘管。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管,且該種晶閘管的成本較高,不適宜采用;③間接光觸發(fā)方式,利用光纖通信的方...

  • 貴州igbt驅(qū)動開關(guān)可控硅(晶閘管)semikron西門康全新原裝現(xiàn)貨
    貴州igbt驅(qū)動開關(guān)可控硅(晶閘管)semikron西門康全新原裝現(xiàn)貨

    [8]2.檢測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極管正、反向電阻,根據(jù)正、反向電阻值的大小,即可初步判定紅外接收二極管的好壞。[8]二極管激光二極管按照檢測普通二極管正、反向電阻的方法,即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測時要注意,由于激光二極管的正向壓降比普通二極管要大,所以檢測正向電阻時,萬用表指針公略微向右偏轉(zhuǎn)而已。[8]二極管主要應(yīng)用編輯二極管電子電路應(yīng)用幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導(dǎo)體二極管。半導(dǎo)體二極管在電路中的使用能夠起到保護(hù)電二極管路,延長電路壽命等作用。半導(dǎo)體二極管的發(fā)展,使得集成電路更加優(yōu)化,在各個領(lǐng)域都起到了積極的作用。二極管在集成電路中的作用很多,維持著...

  • 廣西可關(guān)斷可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫存
    廣西可關(guān)斷可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫存

    或電流)的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通,它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài),而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷,像一個二極管一樣導(dǎo)通,直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時,它才會截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后,允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來模擬,如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時,BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài),此時電路基本上沒有電流流過負(fù)載電阻RL,當(dāng)柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通,使BG1的基極電位下降,BG1因此開始道通,BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升...

  • 四川分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)SCR系列
    四川分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)SCR系列

    5、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時,如果變壓器空載,輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流,導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量,嚴(yán)重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,可在模塊輸出端接一固定電阻,一般每相輸出電流不小于500mA(具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗情況確定)。(2)小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,極易掀起折斷,接線時應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。(3)嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。(4)模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用。為保證安全,模塊輸入端前面需加空氣開關(guān)。(5)測量模塊工作殼溫時,測試點選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面。可將散熱器表面以下橫向打一深孔至散熱器...

  • 甘肅igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨
    甘肅igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

    它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓:≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作電源:單相220V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號:三相同步,AC380V,50HZ,電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號:DC0∽10V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號比較大共模電壓≤10V,其他需定制(5)IF電流反饋信號:DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號比較大共模電壓≤5V,其...

  • 廣東ABB可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫存
    廣東ABB可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫存

    Ia與Il成正比,即當(dāng)光電二極管的光電流增大時,光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大,同時Il的增大,使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時,光控晶閘管的Ia達(dá)到**大,即完全導(dǎo)通。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度,稱其為導(dǎo)通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,一經(jīng)觸發(fā),即成通導(dǎo)狀態(tài)。只要有足夠強(qiáng)度的光源照射一下管子的受光窗口,它就立即成為通導(dǎo)狀態(tài),而后即使撤離光源也能維持導(dǎo)通,除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相,才能關(guān)閉。3.光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導(dǎo)通,因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導(dǎo)通。這樣光控晶閘管受到了高溫和...

  • 江蘇大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)富士IGBT
    江蘇大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)富士IGBT

    晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負(fù)載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100...

  • 浙江igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨
    浙江igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨

    載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩V档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時反向電流若為250uA,溫度升高到35℃,反向電流將上升到500uA,依此類推,在75℃時,它的反向電流已達(dá)8mA,不失去了單方向?qū)щ娞匦?,還會使管子過熱而損壞。又如,2CP10型硅二極管,25℃時反向電流為5uA,溫度升高到75℃...

  • 貴州igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨
    貴州igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

    載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時反向電流若為250uA,溫度升高到35℃,反向電流將上升到500uA,依此類推,在75℃時,它的反向電流已達(dá)8mA,不失去了單方向?qū)щ娞匦?,還會使管子過熱而損壞。又如,2CP10型硅二極管,25℃時反向電流為5uA,溫度升高到75℃...

  • 廣西脈沖可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    廣西脈沖可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,我們將它稱為快速晶閘管。它具有關(guān)斷時間(toff)短、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)、抗干擾能力較好等特點??焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏,關(guān)斷時間為20微妙的大功率快速晶閘管,同時還做出了比較高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產(chǎn)品廣應(yīng)用于大功率直流開關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領(lǐng)域。3.逆導(dǎo)晶閘管以往的為了便于調(diào)速采用直流供電,用直流開關(guān)動作增加或減小電路電阻,改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑...

  • 內(nèi)蒙古igbt驅(qū)動開關(guān)可控硅(晶閘管)semikron西門康全新原裝現(xiàn)貨
    內(nèi)蒙古igbt驅(qū)動開關(guān)可控硅(晶閘管)semikron西門康全新原裝現(xiàn)貨

    故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高其電流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導(dǎo)通后,1-(a1+a2)...

  • 廣東igbt驅(qū)動開關(guān)可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    廣東igbt驅(qū)動開關(guān)可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    4.可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是,當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力。5.光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射,沒有必要再引出控制極,所以只有兩個電極(陽極A和陰極K),結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,陰極加上負(fù)向電壓時,控晶閘管可以...

  • 吉林脈沖可控硅(晶閘管)富士IGBT
    吉林脈沖可控硅(晶閘管)富士IGBT

    晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優(yōu)點功耗低,效率高等適用溫度-25℃~+45℃目錄1模塊特點2模塊規(guī)格3注意事項4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點編輯(1)本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。(2)采用進(jìn)口方形芯片,模塊壓降小、功耗低,效率高;采用進(jìn)口貼片元件,保證觸發(fā)控制電路的可靠性;采用(DCB)陶瓷覆銅板,導(dǎo)熱性能好,熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍;采用高級導(dǎo)熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。(3)觸發(fā)控制電路、主電路...

  • 寧夏分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨
    寧夏分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨

    家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產(chǎn)品、無線電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術(shù)應(yīng)用系統(tǒng)電路中,可控硅元件可以多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關(guān)進(jìn)行如何有效保護(hù)晶閘管在行業(yè)應(yīng)用晶閘管越來越廣,作為行業(yè)增加應(yīng)用范圍。晶閘管的功能更加。但有時,在晶閘管的過程中會造成一定的傷害。為了保證晶閘管的生活,我們?nèi)绾胃玫乇Wo(hù)區(qū)晶閘管呢?1、過電壓保護(hù)晶閘管對過電壓很敏感,當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導(dǎo)...

  • 黑龍江IGBT單管可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    黑龍江IGBT單管可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    從而實際強(qiáng)觸發(fā),加速了元件的導(dǎo)通,提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管是由三個P—N結(jié)組成的。每個結(jié)相當(dāng)于一個電容器。結(jié)電壓急劇變化時,就有很大的位移電流流過元件,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用??赡苁咕чl管誤導(dǎo)通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生,快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來,即使電壓上升率較高,晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,不致使晶閘管誤導(dǎo)通。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高,結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大,在短路點上產(chǎn)生電壓降足夠大時,晶閘管才能導(dǎo)通。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管,用...

    2024-09-23
  • 浙江半導(dǎo)體igbt可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    浙江半導(dǎo)體igbt可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    WESTCODE英國西碼晶閘管 脈沖可控硅 可關(guān)斷可控硅 一、單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通,但一旦導(dǎo)通,外部信號就無法使其關(guān)斷,只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個PN結(jié)的二極管相比,單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制;與具有兩個PN結(jié)的三極管相比,差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。二、雙向可控硅具有兩個方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實質(zhì)上是兩個反并聯(lián)的單向可控硅,是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個PN結(jié)構(gòu)成、有三個電極的半導(dǎo)體器件。由于主電極的構(gòu)造是對稱的(都...

  • 湖南焊機(jī)igbt可控硅(晶閘管)宏微全新原裝
    湖南焊機(jī)igbt可控硅(晶閘管)宏微全新原裝

    晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時,當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時,晶閘管才接通?,F(xiàn)在,繪制其波形(圖4(c)和(d)),可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時,負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當(dāng)UG到達(dá)較早時,晶閘管導(dǎo)通時間較早;UG到達(dá)較晚時,晶閘管導(dǎo)通時間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時間,可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術(shù)中,交流電的半周常被設(shè)定為180度,稱為電角。因此,在U2的每一...

  • 江蘇igbt驅(qū)動開關(guān)可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨
    江蘇igbt驅(qū)動開關(guān)可控硅(晶閘管)Infineon英飛凌全新原裝現(xiàn)貨

    600V西門康IGBT模塊西門康(SEMIKRON)技術(shù)資料選型參考: SKM100GB063DSKM200GB063DSKM300GB063DGB 兩單元:SKM145GB066DSKM195GB066DSKM300GB066DSKM400GB066DSKM600GB066D1200V 西門康IGBT模塊GA一單元:SKM300GA123DSKM400GA123DSKM500GA123DSKM500GA123DSGB 兩單元元:SKM50GB123DSKM75GB123DSKM100GB123DSKM150GB123DSKM200GB123DSKM300GB123...

  • 安徽高壓igbt驅(qū)動模塊可控硅(晶閘管)宏微全新原裝
    安徽高壓igbt驅(qū)動模塊可控硅(晶閘管)宏微全新原裝

    做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,我們將它稱為快速晶閘管。它具有關(guān)斷時間(toff)短、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)、抗干擾能力較好等特點??焖倬чl管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快。目前,已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏,關(guān)斷時間為20微妙的大功率快速晶閘管,同時還做出了比較高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產(chǎn)品廣應(yīng)用于大功率直流開關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領(lǐng)域。3.逆導(dǎo)晶閘管以往的為了便于調(diào)速采用直流供電,用直流開關(guān)動作增加或減小電路電阻,改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑...

    2024-09-20
  • 江蘇ABB可控硅(晶閘管)Infineon全新原裝
    江蘇ABB可控硅(晶閘管)Infineon全新原裝

    為了實現(xiàn)這一點,作為示例,傳導(dǎo)層40覆蓋襯底20和溝槽22。層40例如由鋁、鋁-銅或鋁-硅-銅制成。層40可以布置在傳導(dǎo)界面層42上。區(qū)域302在溝槽中從層40或可能的界面層42延伸。層42例如旨在便于在層40和區(qū)域302、204、210以及可能的區(qū)域306之間形成電接觸件(下面的圖2a至圖2f的方法)。層42可以由硅化物制成或者可以是例如由鈦制成的金屬層。層42可以備選地包括硅化物層和金屬層,金屬層覆蓋硅化物層并且例如由鈦制成。硅化物因此形成電接觸件,而金屬層提供對層40的粘附。層42可以至少部分地通過自對準(zhǔn)硅化工藝來獲得,并且硅化物然后是不連續(xù)的并且不覆蓋層304的上部部分。層42的厚度推...

  • 新疆大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)日本富士
    新疆大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)日本富士

    如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話,那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,從電路功能上可以把它等效成圖3(c),也就是說,一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,管子才能導(dǎo)通。對雙向晶閘管來說,無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極,對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講,對一個管子是陽極,對另一個管子就是陰極,反過來也一樣。因此,雙向晶閘管...

  • 內(nèi)蒙古IGBT單管可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫存
    內(nèi)蒙古IGBT單管可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫存

    斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt:是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下,不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt:指在規(guī)定條件下,晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大,在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi),從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖,使得晶閘管在需要時正常開通。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點要求:①觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導(dǎo)通;②觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度,對一些溫度較低的場合,脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件**大觸發(fā)電流的3~5倍,脈沖的陡度也需要增加,...

  • 重慶可關(guān)斷可控硅(晶閘管)ABB配套
    重慶可關(guān)斷可控硅(晶閘管)ABB配套

    他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵磁、無觸點開關(guān)及自動控制等方面?,F(xiàn)在我畫一個**簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?,F(xiàn)在,畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只...

  • 吉林ABB可控硅(晶閘管)宏微全新原裝
    吉林ABB可控硅(晶閘管)宏微全新原裝

    且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi);④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離;⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,要求串聯(lián)的元件同一時刻導(dǎo)通,宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種:①電磁觸發(fā)方式,將低電位觸發(fā)信號經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發(fā)方式成本較低,技術(shù)比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題,同時觸發(fā)時的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式,將觸發(fā)脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖,直接觸發(fā)高位光控晶閘管。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管,且該種晶閘管的成本較高,不適宜采用;③間接光觸發(fā)方式,利用光纖通信的方...

  • 浙江焊機(jī)igbt可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫存
    浙江焊機(jī)igbt可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫存

    人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。一、關(guān)斷時間(toff)短導(dǎo)通的晶閘管,當(dāng)切斷正向電流時。并不能馬上“關(guān)斷”,這時如立即加上正向電壓,它還會繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時間,叫做關(guān)斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程,實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程,制造快速晶閘管時采用了摻金工藝,把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多,t0仟越小,但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管??偸窃诳拷?..

  • 江蘇可關(guān)斷可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨
    江蘇可關(guān)斷可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

    [7]二極管雙向觸發(fā)二極管將萬用表置于相應(yīng)的直流電壓擋,測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時,搖動兆歐表,萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進(jìn)行比較,兩者的較為值之差越小,說明被測雙向觸發(fā)二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS,按照測量普通二極管的方法,可測出其正、反向電阻,一般正向電阻為4kΩ左右,反向電阻為無窮大。[8]對于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管,任意調(diào)換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無窮大,否則,說明管子性能不良或已經(jīng)損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識別正、負(fù)極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區(qū)別是其色標(biāo)顏色...

  • 四川大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)原廠原盒
    四川大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)原廠原盒

    三相晶閘管觸發(fā)板是以高級工業(yè)級單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板,并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。中文名三相晶閘管觸發(fā)板外文名Three-phasethyristortriggerboard適應(yīng)適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載電壓5V~380V目錄1三相晶閘管觸發(fā)板2種高性能PID方案?適用電路?正常使用條件?工作原理?技術(shù)參數(shù)3三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板編輯使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器,性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V~380V各種同步電壓。三相晶閘管觸發(fā)板種高性能PID方案編輯適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載,控制精度高,動態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā),脈沖不對稱度≤°...

  • 重慶中頻爐可控硅(晶閘管)日本富士
    重慶中頻爐可控硅(晶閘管)日本富士

    而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)?,所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR,單向MCR-100,雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分:分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分:常規(guī)工作電壓進(jìn)行品種、高壓品種??煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點,自上個世紀(jì)六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門單獨的學(xué)科?!熬чl管交流技術(shù)”??煽毓璋l(fā)展到,在工藝上已經(jīng)非常成熟,質(zhì)量更好,收率有了很大的提高,并向高壓大電...

  • 云南脈沖可控硅(晶閘管)原廠原盒
    云南脈沖可控硅(晶閘管)原廠原盒

    ⑿脈沖輸出:六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度:2個20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對稱度:≤°;脈沖電流峰值:>800mA⒀PID動態(tài)響應(yīng)時間≤10ms,超調(diào)量≤1%。⒁有回零保護(hù)、軟起動、急停功能。⒂比較大外形尺寸:235㎜×180㎜×50㎜。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨有三相不平衡自動調(diào)整功能,有效提高電能利用效率?!粝冗M(jìn)的數(shù)字控制技術(shù),改善了電網(wǎng)功率因數(shù),可以有效節(jié)省用電量。◆具有移相觸發(fā)與過零觸發(fā)雙重工作模式,撥動選擇開關(guān),即可輕松實現(xiàn)轉(zhuǎn)換?!舳喾N控制信號輸入:DC4~20mA、DC0~10mA、DC1~5V、DC0~10V、開關(guān)...

  • 浙江igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)FUJI全新原裝原裝
    浙江igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)FUJI全新原裝原裝

    此外,單個溝槽可以被提供有例如至少在一側(cè)上的晶體管。此外,在所描述的實施例中,晶體管的n和p傳導(dǎo)類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽極可以同時反轉(zhuǎn)。上文已描述了具有各種變型的各種實施例。應(yīng)當(dāng)注意,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將這些各種實施例和變型的各種元件進(jìn)行組合。后,基于上文給出的功能指示,所描述的實施例的實際實現(xiàn)在本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍內(nèi)。根據(jù)以上詳細(xì)描述,可以對實施例進(jìn)行這些和其他改變。通常,在所附權(quán)利要求中,所使用的術(shù)語不應(yīng)被解釋為將權(quán)利要求限制于說明書和權(quán)利要求中公開的特定實施例,而是應(yīng)被解釋為包括權(quán)利要求所要求保護(hù)的所有可能的實施例以及這樣的等同物的全部范圍。因此,權(quán)利要求不受本公開的...

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