Ia與Il成正比，即當(dāng)光電二極管的光電流增大時(shí)，光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大，同時(shí)Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時(shí)，光控晶閘管的Ia達(dá)到**大，即完全導(dǎo)通。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度，稱其為導(dǎo)通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經(jīng)觸發(fā)，即成通導(dǎo)狀態(tài)。只要有足夠強(qiáng)度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成為通導(dǎo)狀態(tài)，而后即使撤離光源也能維持導(dǎo)通，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關(guān)閉。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導(dǎo)通，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導(dǎo)通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制，在目前的條件下，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。光控晶閘管除了觸發(fā)信號(hào)不同以外，其它特性基本與普通晶閘管是相同的，因此在使用時(shí)可按照普通晶閘管選擇，只要注意它是光控這個(gè)特點(diǎn)就行了。光控晶閘管對(duì)光源的波長(zhǎng)有一定的要求，即有選擇性。波長(zhǎng)在——，都是光控晶閘管較為理想的光源。使用注意事項(xiàng)/晶閘管編輯選用可控硅的額定電壓時(shí)，應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。1、選用可控硅的額定電流時(shí)。可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)。廣東ABB可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存
由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區(qū)域306的上表面上連續(xù)。在圖2e的步驟中，腔502被填充，例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的，例如執(zhí)行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區(qū)域306的任一側(cè)上獲得兩個(gè)區(qū)域302。在圖2f的步驟中，去除位于襯底以及區(qū)域302和306的上表面上的可能元件，諸如層304的可接近部分。然后形成可能的層42和層40。通過圖2a至圖2f的方法獲得的結(jié)構(gòu)30的變型與圖1的結(jié)構(gòu)30的不同之處在于，區(qū)域306與區(qū)域302分離并且一直延伸到層40或可能的層42，并且該變型包括在區(qū)域306的任一側(cè)上的兩個(gè)區(qū)域302。每個(gè)區(qū)域302與層40電接觸。每個(gè)區(qū)域302通過層304與襯底分離?？梢酝ㄟ^與圖2a至圖2f的方法類似的方法來獲得結(jié)構(gòu)30a，其中在圖2b和圖2c的步驟之間進(jìn)一步提供方法來形成掩蔽層，該掩蔽層保護(hù)位于溝槽22的單側(cè)上的壁上的層308，并且使得層308在溝槽的另一側(cè)上被暴露。在圖2c的步驟中獲得單個(gè)腔502。已描述了特定實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易想到各種改變、修改和改進(jìn)。特別地，結(jié)構(gòu)30和30a及其變體可以被使用在利用襯底上的傳導(dǎo)區(qū)域通過絕緣層的靜電影響的任何電子部件(例如，晶體管)。貴州分立半導(dǎo)體模塊可控硅（晶閘管）ABB配套大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。
人們?cè)谥圃旃に嚭徒Y(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個(gè)特點(diǎn)。一、關(guān)斷時(shí)間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管，當(dāng)切斷正向電流時(shí)。并不能馬上“關(guān)斷”，這時(shí)如立即加上正向電壓，它還會(huì)繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時(shí)間，叫做關(guān)斷時(shí)間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程，實(shí)際上是儲(chǔ)存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時(shí)采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會(huì)影響元件的其它性能。二、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管?？偸窃诳拷刂茦O的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通，然后逐漸向外擴(kuò)展，直到整個(gè)面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能***積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時(shí)，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時(shí)這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個(gè)放大觸發(fā)信號(hào)用的小晶閘管?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管后，小晶閘管的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。
其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車輛調(diào)速等領(lǐng)域。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車和地鐵機(jī)車為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動(dòng)和加速。開關(guān)體積大、壽命短，而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大（減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上）等缺點(diǎn)。自有了逆導(dǎo)晶閘管，采用了逆導(dǎo)晶閘管控制、調(diào)節(jié)車速，不*克服了上述缺點(diǎn)，而且還降低了功耗，提高了機(jī)車可靠性。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個(gè)硅片上。它的等效電路和符號(hào)如圖1所示。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏鳌Ｓ捎谒年枠O和陰極接入反向并聯(lián)的二極管，可對(duì)電感負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的大電流、高電壓進(jìn)行快速釋放。目前已經(jīng)能生產(chǎn)出耐壓達(dá)到1500～2500V正向電流達(dá)400A。吸收電流達(dá)150A，關(guān)斷時(shí)間小于30微秒的逆導(dǎo)晶閘管?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。晶閘管晶閘管前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作。
晶閘管（SCR）是一種半導(dǎo)體開關(guān)器件。早在1956年，Moll等人就發(fā)表了這種開關(guān)器件的理論基礎(chǔ)。盡管低功率器件在當(dāng)***關(guān)領(lǐng)域已基本銷聲匿跡，并被高壓雙極結(jié)型晶體管（BJT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等所取代，但它們?cè)谡淄呒?jí)開關(guān)器件領(lǐng)域仍無可替代，例如2kA、1.2kV的SCR就被應(yīng)用于機(jī)車驅(qū)動(dòng)器中，或用來控制鋁材生產(chǎn)廠中的電爐等;
在修理電視機(jī)及各種電器設(shè)備時(shí)，遇到元器件損壞應(yīng)該采用相同型號(hào)的元件進(jìn)行更換。但是，有時(shí)相同的元件手邊沒有，就要采用其他型號(hào)的進(jìn)行代換，這樣就要考慮到各方面的性能、參數(shù)、外形尺寸等，例如電視的里面的行輸出管，只要考慮耐壓、電流、功率一般是可以進(jìn)行代換的(行輸出管外觀尺寸幾乎相同)，而且功率往往大一些更好。 按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。貴州分立半導(dǎo)體模塊可控硅（晶閘管）ABB配套
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍。廣東ABB可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存
可控硅的工作原理是什么？可控硅分為單向可控硅、雙向可控硅，兩者原理分別是：?jiǎn)蜗蚩煽毓瑁簡(jiǎn)蜗蚩煽毓枘茉谕獠靠刂菩盘?hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號(hào)就無法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷；工作原理：可控硅實(shí)際上就是一個(gè)大功率的二極管,它與普通二極管的不同之處在于它多了一個(gè)控制極.普通二極管是正向電壓就導(dǎo)通,可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。廣東ABB可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存