甘肅igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-09-24

它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開(kāi)關(guān)量輸入、故障及報(bào)警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線(xiàn)電壓:≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作電源:?jiǎn)蜗?20V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號(hào):三相同步,AC380V,50HZ,電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號(hào):DC0∽10V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號(hào)比較大共模電壓≤10V,其他需定制(5)IF電流反饋信號(hào):DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號(hào)比較大共模電壓≤5V,其他需定制。⑹1F電流反饋信號(hào):DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號(hào)比較大共模電壓≤5V,其他需定制。⑺2F電流反饋信號(hào):DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號(hào)比較大共模電壓≤5V,其他需定制。⑻電位器給定接口:自帶電源,每個(gè)接口只能接一個(gè)R≥電位器。⑼儀表控制接口:常規(guī)0~10mA儀表控制信號(hào)輸入,內(nèi)阻抗≥500Ω。其他需定制。⑽開(kāi)關(guān)量輸入節(jié)點(diǎn):4路開(kāi)關(guān)量輸入,自帶電源,禁止同其他電源混接。⑾故障及報(bào)警繼電板輸出接點(diǎn):故障和及報(bào)警各一對(duì)常開(kāi)接點(diǎn)輸出,容量:AC220V/1A。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等。甘肅igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

所以一旦可控硅導(dǎo)通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用,沒(méi)有關(guān)斷功能,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于他只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以晶閘管具有開(kāi)關(guān)特性,這也就是晶閘管的作用。晶閘管在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件,它的工作條件如下:1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門(mén)極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽(yáng)極電壓,不論門(mén)極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,即晶閘管導(dǎo)通后,門(mén)極失去作用。門(mén)極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管關(guān)斷。4全控型晶閘管的工作條件:1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門(mén)極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),在門(mén)極承受正向電壓。陜西ABB可控硅(晶閘管)原裝進(jìn)口晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。

或電流)的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開(kāi)始導(dǎo)通,它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài),而此時(shí)門(mén)極電流可以取消。晶閘管不能被門(mén)極關(guān)斷,像一個(gè)二極管一樣導(dǎo)通,直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時(shí),它才會(huì)截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后,允許門(mén)極在某個(gè)可控的時(shí)刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個(gè)不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來(lái)模擬,如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時(shí),BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)電路基本上沒(méi)有電流流過(guò)負(fù)載電阻RL,當(dāng)柵極輸入一個(gè)正脈沖電壓時(shí)BG2道通,使BG1的基極電位下降,BG1因此開(kāi)始道通,BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升高,BG1的基極電位進(jìn)一步下降,經(jīng)過(guò)這一個(gè)正反饋過(guò)程使BG1和BG2進(jìn)入飽和道通狀態(tài)。電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入道通狀態(tài),這時(shí)柵極就算沒(méi)有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時(shí)在陽(yáng)極和陰極加上反向電壓,由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止,另外如果加大負(fù)載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少,當(dāng)減少到某一個(gè)值時(shí)由于電路的正反饋?zhàn)饔?,電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài),我們稱(chēng)這個(gè)電流為維持電流。

5、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí),如果變壓器空載,輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流,導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量,嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,可在模塊輸出端接一固定電阻,一般每相輸出電流不小于500mA(具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定)。(2)小規(guī)格模塊主電極無(wú)螺釘緊固,極易掀起折斷,接線(xiàn)時(shí)應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。(3)嚴(yán)禁將電纜銅線(xiàn)直接壓接在模塊電極上,以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。(4)模塊不能當(dāng)作隔離開(kāi)關(guān)使用。為保證安全,模塊輸入端前面需加空氣開(kāi)關(guān)。(5)測(cè)量模塊工作殼溫時(shí),測(cè)試點(diǎn)選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面??蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔至散熱器中心,把熱電偶探頭插到孔底。要求該測(cè)試點(diǎn)的溫度應(yīng)≤80℃。晶閘管智能模塊晶閘管智能模塊模塊參數(shù)編輯a)工作頻率f為50Hz;b)模塊輸入交流電壓VIN(RMS)范圍:額定電壓為220VAC時(shí)為170~250VAC、額定電壓為380VAC時(shí)為300~450VAC(輸入電壓低于或高于上述各規(guī)定值時(shí),應(yīng)專(zhuān)門(mén)定做);c)三相交流輸出電壓不對(duì)稱(chēng)度<6%;d)控制電源電壓12VDC;e)控制信號(hào):VCON為0~10VDC;f)控制信號(hào)電流ICON≤1mA;g)輸出電壓溫度系數(shù)<??煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍。

晶閘管陽(yáng)極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻,處于截止?fàn)顟B(tài)(稱(chēng)為正向阻斷狀態(tài)),簡(jiǎn)稱(chēng)斷態(tài)。當(dāng)陽(yáng)極電壓上升到某一數(shù)值時(shí),晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通狀態(tài),簡(jiǎn)稱(chēng)通態(tài)。陽(yáng)極這時(shí)的電壓稱(chēng)為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓(UDSM),或稱(chēng)正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。導(dǎo)通后,元件中流過(guò)較大的電流,其值主要由限流電阻(使用時(shí)由負(fù)載)決定。在減小陽(yáng)極電源電壓或增加負(fù)載電阻時(shí),陽(yáng)極電流隨之減小,當(dāng)陽(yáng)極電流小于維持電流IH時(shí),晶閘管便從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出,當(dāng)晶閘管控制極流過(guò)正向電流Ig時(shí),晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低,Ig越大,轉(zhuǎn)折電壓越小,當(dāng)Ig足夠大時(shí),晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小,一加上正向陽(yáng)極電壓,晶閘管就導(dǎo)通。實(shí)際規(guī)定,當(dāng)晶閘管元件陽(yáng)極與陰極之間加上6V直流電壓時(shí),能使元件導(dǎo)通的控制極**小電流(電壓)稱(chēng)為觸發(fā)電流(電壓)。在晶閘管陽(yáng)極與陰極間加上反向電壓時(shí),開(kāi)始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài),只有很小的反向漏電流流過(guò)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值時(shí),反向漏電流急劇增大,這時(shí),所對(duì)應(yīng)的電壓稱(chēng)為反向不重復(fù)峰值電壓(URSM),或稱(chēng)反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR)??梢?jiàn),晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類(lèi)似。晶閘管晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過(guò)程的物理過(guò)程較為復(fù)雜。大;**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。內(nèi)蒙古大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)SCR系列

TECHSEM臺(tái)基晶閘管KK1200A1600V中頻爐可控硅;甘肅igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

可控硅又稱(chēng)晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶可控硅閘管、快速晶閘管,等等??煽毓?,是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,亦稱(chēng)為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn),是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中,多用來(lái)作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無(wú)線(xiàn)電遙控、攝像機(jī)及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。甘肅igbt驅(qū)動(dòng)芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨