鍵合焊區(qū)的損壞與共面性有關(guān),共面性差將導(dǎo)致探針卡的過度深入更加嚴(yán)重,會(huì)產(chǎn)生更大的力并在器件鍵合焊區(qū)位置造成更大的劃痕。共面性由兩部分決定:彈簧探針的自然共面性(受與晶圓距離的影響)以及探針卡和客戶系統(tǒng)的相關(guān)性。傾斜造成斜率X、距離Y。當(dāng)測試300mm晶圓時(shí),傾斜程度不變但距離卻加倍了,就會(huì)產(chǎn)生共面性問題。由于傾斜造成探針卡部分更靠近晶圓,而隨著每個(gè)彈簧向系統(tǒng)中引入了更多的力,造成的過量行程將更大,產(chǎn)生更大的劃痕,與此同時(shí)部分由于傾斜而遠(yuǎn)離的部分還會(huì)有接觸不良的問題,留下的劃痕也幾乎不可見??紤]到大面積的300mm晶圓,以及需要進(jìn)行可重復(fù)的接觸測試,將探針卡向系統(tǒng)傾斜便相當(dāng)有吸引力。自動(dòng)調(diào)節(jié)的共面系統(tǒng)降低了較大力造成損壞的可能,并允許測試設(shè)備與不同系統(tǒng)之間的兼容。根據(jù)測試探針制作流程不同可分成傳統(tǒng)機(jī)械加工與微機(jī)電制造工藝兩部分,后者具有更大優(yōu)勢,可以改善測試探針微細(xì)化、共面度、精度等問題。目前市售垂直式探針卡,均無法達(dá)到偵測每根測試探針力量的功能,測試探針垂直式排列,無法由上而下觀測測試探針接觸情形,改善的方法可借助探針力量回饋或改良影像辨識(shí)系統(tǒng),以確保所有探針的接觸狀況都是理想的。
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自去年末以來,蘋果新品包含iPhone6系列以及Watch、MacBookAir在內(nèi)新品不斷面市,且市場表現(xiàn)持續(xù)熱賣,將會(huì)對(duì)中國臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)造成持續(xù)不良影響。;?$S8y-i({&A據(jù)媒體報(bào)導(dǎo),蘋果()新品iPhone6系列推出至今持續(xù)熱賣,連新品Watch與MacBookAir亦傳出市場佳音,因此2015年的市場中包括智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦產(chǎn)品銷售將全方面遭到蘋果新品擠壓。對(duì)此媒體稱將會(huì)為2015年臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者運(yùn)營成長造成不利影響,業(yè)內(nèi)有人直言稱只要蘋果新品賣得好,臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者便難有起色。7d%^6G({+X2015年至今大陸及新興國家智能型手機(jī)市場需求一直沒有明顯好轉(zhuǎn)跡象,盡管高階手機(jī)銷售表現(xiàn)仍不錯(cuò),然在蘋果iPhone6系列及三星電子(SamsungElectronics)GalaxyS6吃掉大半的高階手機(jī)市場情況下,無法拿到這些高階手機(jī)訂單的臺(tái)系IC設(shè)計(jì)業(yè)者,只能靜待中、低階手機(jī)市場需求好轉(zhuǎn)。)m+t+a(u;r*h平板電腦需求下降電子器件訂單難增量Q:B*y/N+M:e6O"D/v4y"u&T4j'o至于全球Android平板電腦出貨量已連續(xù)3季下滑,且衰退幅度相較于蘋果iPad更明顯,這對(duì)于過去布局大陸Android平板電腦市場商機(jī)的臺(tái)系LCD驅(qū)動(dòng)、觸控IC、類比IC,以及聯(lián)發(fā)科等芯片供應(yīng)商來說,亦受到不小的沖擊。-f*L!
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Wide-IO技術(shù)目前已經(jīng)到了第二代,可以實(shí)現(xiàn)較多512bit的內(nèi)存接口位寬,內(nèi)存接口操作頻率比較高可達(dá)1GHz,總的內(nèi)存帶寬可達(dá)68GBps,是靠前的的DDR4接口帶寬(34GBps)的兩倍。Wide-IO在內(nèi)存接口操作頻率并不高,其主要目標(biāo)市場是要求低功耗的移動(dòng)設(shè)備。2、AMD,NVIDIA和海力士主推的HBM標(biāo)準(zhǔn)HBM(High-BandwidthMemory,高帶寬內(nèi)存)標(biāo)準(zhǔn)主要針對(duì)顯卡市場,它的接口操作頻率和帶寬要高于Wide-IO技術(shù),當(dāng)然功耗也會(huì)更高。HBM使用3DIC技術(shù)把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起,并使用。目前AMD在2015年推出的FIJI旗艦顯卡首先使用HBM標(biāo)準(zhǔn),顯存帶寬可達(dá)512GBps,而顯卡霸主Nvidia也緊追其后,在2016年P(guān)ascal顯卡中預(yù)期使用HBM標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)1TBps的顯存帶寬。
TSMC主推的CoWoS和InFO技術(shù)CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)和InFO(IntegratedFanOut)是臺(tái)積電推出的2.5D封裝技術(shù),稱為晶圓級(jí)封裝。臺(tái)積電的2.5D封裝技術(shù)把芯片封裝到硅載片上,并使用硅載片上的高密度走線進(jìn)行互聯(lián)。CoWoS針對(duì)較好市場,連線數(shù)量和封裝尺寸都比較大。InFO針對(duì)性價(jià)比市場,封裝尺寸較小,連線數(shù)量也比較少。目前InFO技術(shù)已經(jīng)得到業(yè)界認(rèn)可,蘋果在iPhone7中使用的A10處理器即將采用InFO技術(shù)。Wide-IO標(biāo)準(zhǔn)、HBM標(biāo)準(zhǔn)、HMC技術(shù)都和內(nèi)存相關(guān),下表是有關(guān)Wide-IO,HMC,HBM及DDR標(biāo)準(zhǔn)比較。Wide-IO,HMC,HBM及DDR標(biāo)準(zhǔn)比較選擇測試探針卡哪家好。
產(chǎn)品可用性EVG目前正在接受該系統(tǒng)的訂單,產(chǎn)品演示現(xiàn)已在位于公司總部的EVG的NILPhotonics®能力中心提供。有關(guān)EVG7300自動(dòng)化SmartNIL納米壓印和晶圓級(jí)光學(xué)系統(tǒng)的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問。3、EVG參加SPIEAR/VR/MR2022EVG在SPIEAR/VR/MR會(huì)議和展覽上就NIL在制造增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)波導(dǎo)中的好處進(jìn)行受邀演講,該會(huì)議與在舊金山Moscone中心舉行的SPIEPhotonicsWest共同舉辦1月22日至27日。EVG也是此次活動(dòng)的參展商,將展示其用于光學(xué)和光子器件及應(yīng)用的先進(jìn)制造解決方案。4、關(guān)于EV集團(tuán)(EVG)EVGroup(EVG)是半導(dǎo)體、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、化合物半導(dǎo)體、功率器件和納米技術(shù)器件制造設(shè)備和工藝解決方案的領(lǐng)仙供應(yīng)商。主要產(chǎn)品包括晶圓鍵合、薄晶圓加工、光刻/納米壓印光刻(NIL)和計(jì)量設(shè)備,以及光刻膠涂布機(jī)、清潔劑和檢測系統(tǒng)。EVGroup成立于1980年,為遍布全球的全球客戶和合作伙伴網(wǎng)絡(luò)提供服務(wù)和支持。有關(guān)EVG的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問我們的官網(wǎng)。 專業(yè)提供測試探針卡廠家。河北測試探針卡多少錢
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本公司是專業(yè)提供FLASH晶圓(晶粒)測試、分類、各類IC成品測試以及其它與測試相關(guān)的加工服務(wù)型工廠。我們擁有專業(yè)的晶圓測試設(shè)備,及專業(yè)的工程技術(shù)人員,可隨時(shí)為您提供質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)。在晶圓制造完成之后,是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產(chǎn)過程的成績單。在測試過程中,每一個(gè)芯片的電性能力和電路機(jī)能都被檢測到。晶圓測試也就是芯片測試(diesort)或晶圓電測(wafersort)。在測試時(shí),晶圓被固定在真空吸力的卡盤上,并與很薄的探針電測器對(duì)準(zhǔn),同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸,電測器在電源的驅(qū)動(dòng)下測試電路并記錄下結(jié)果。測試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制。測試機(jī)是自動(dòng)化的,所以在探針電測器與前面的片晶圓對(duì)準(zhǔn)后(人工對(duì)準(zhǔn)或使用自動(dòng)視覺系統(tǒng))的測試工作無須操作員的輔助。測試是為了以下三個(gè)目標(biāo)。前面的,在晶圓送到封裝工廠之前,鑒別出合格的芯片。第二,器件/電路的電性參數(shù)進(jìn)行特性評(píng)估。工程師們需要監(jiān)測參數(shù)的分布狀態(tài)來保持工藝的質(zhì)量水平。第三,芯片的合格品與不良品的核算會(huì)給晶圓生產(chǎn)人員提供較全業(yè)績的反饋。合格芯片與不良品在晶圓上的位置在計(jì)算機(jī)上以晶圓圖的形式記錄下來。從前的舊式技術(shù)在不良品芯片上涂下一墨點(diǎn)。 浙江有名測試探針卡制造
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