晶圓探針卡又稱探針卡，英文名稱"Probecard"。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、邏輯、消費(fèi)、驅(qū)動(dòng)、通訊IC等科技產(chǎn)品的晶圓測試，屬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)席位的一環(huán)。當(dāng)IC設(shè)計(jì)完成后，會(huì)下單給晶圓代工廠制作，晶圓制作完成后而尚未切割封裝之際，為確保晶圓良率及避免封裝的浪費(fèi)，須執(zhí)行晶圓電性測試及分析制程。探針卡預(yù)測試機(jī)構(gòu)構(gòu)成測試回路，與IC封裝前，以探針測晶粒，篩選出電性功能不良的芯片，避免不良品造成后段造成品的浪費(fèi)。隨著半導(dǎo)體制程的快速進(jìn)展，傳統(tǒng)探針卡已面臨測試極限，為滿足高積密度測試，探針卡類型不斷發(fā)展。探針卡的發(fā)簪前景及晶圓高科技設(shè)計(jì)的不斷更新讓人歡欣鼓舞，這表率科技的不斷進(jìn)步，但我們應(yīng)看到探針卡依然面臨不少挑戰(zhàn)，比如探針成本不斷增加，維修更換探針高科技人員的培養(yǎng)，通過有效控制測試機(jī)臺(tái)在線清潔探針的頻率及各種參數(shù)來提高探針卡使用壽命?？傮w來講，晶圓探針卡的發(fā)展可謂機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存，需要高科技人員不斷學(xué)習(xí)，跟上世界前列技術(shù)的步伐。 蘇州矽利康測試探針卡供應(yīng)商。河北好的測試探針卡廠家
熱處理在涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時(shí)光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時(shí)產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時(shí)間可自由設(shè)定的甩膠機(jī)來進(jìn)行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機(jī)的吸盤上，將具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時(shí)間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)速來控制。所謂光刻膠，是對光、電子束或X線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性質(zhì)，同時(shí)具有耐腐蝕性的材料。一般說來，正型膠的分辯率高，而負(fù)型膠具有感光度以及和下層的粘接性能好等特點(diǎn)。光刻工藝精細(xì)圖形(分辯率，清晰度)，以及與其他層的圖形有多高的位置吻合精度(套刻精度)來決定，因此有良好的光刻膠，還要有好的曝光系統(tǒng)。 北京專業(yè)提供測試探針卡銷售尋找測試探針卡生產(chǎn)廠家。
混合鍵合技術(shù)的應(yīng)用用于封裝的混合鍵合在其他方面有所不同。傳統(tǒng)上，IC封裝是在OSAT或封裝廠進(jìn)行的。在銅混合鍵合中，該過程在晶圓廠（而不是OSAT）的潔凈室中進(jìn)行。與處理微米級缺陷的傳統(tǒng)封裝不同，混合鍵合對微小的納米級缺陷很敏感，所以，需要一個(gè)晶圓廠級的潔凈室，以防止微小的缺陷破壞工藝。缺陷控制在這里至關(guān)重要?！半S著先進(jìn)的封裝工藝越來越復(fù)雜，并且所涉及的功能越來越小，有效的工藝控制的需求也在不斷增長。鑒于這些工藝使用昂貴的已知優(yōu)制模具，失敗的成本很高?！盋yberOptics研發(fā)副總裁TimSkunes說道。在組件之間，有用于形成垂直電氣連接的凸塊?？刂仆裹c(diǎn)高度和共面性對于確保堆疊組件之間的可靠連接至關(guān)重要?！睂?shí)際上，已知的良好模具（KGD）至關(guān)重要。KGD是符合指定規(guī)格的未封裝零件或裸模。沒有KGD，包裝可能會(huì)產(chǎn)生低產(chǎn)量或失敗。KGD對于封裝廠很重要?！拔覀兪盏铰隳＃缓髮⑺鼈兎湃氚b中，以交付具有功能的產(chǎn)品。人們要求我們提供很高的產(chǎn)量，”ASE的工程和技術(shù)營銷總監(jiān)曹立宏在蕞近的一次活動(dòng)中說。“因此，對于已知的優(yōu)制模具，我們希望以良好的功能對其進(jìn)行權(quán)面測試。我們希望它是100％?！北M管如此。
懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長度彎曲后，再用環(huán)氧樹脂固定，針位較穩(wěn)定。懸臂探針卡的主要設(shè)計(jì)參數(shù)：針位：+/-0.25mil水平：+/-0.25mil針壓：2-3g/mil+/-20%漏電流：10nA/5V接觸電阻：3/20mA懸臂探針卡有多種探針尺寸，多元探針材質(zhì)；懸臂探針卡的擺針形式靈活，單層，多層皆可；懸臂探針卡的造價(jià)低廉，可以更換單根探針；懸臂探針卡用于大電流測試。懸臂探針卡是先將探針按一定角度，長度彎曲后，再用環(huán)氧樹脂固定，針位較穩(wěn)定專業(yè)提供測試探針卡供應(yīng)商。
探針卡的探針個(gè)數(shù)越來越多,探針間的pitch越來越小,對探針卡的質(zhì)量要求越來越高。保證晶圓測試成品率,減少探針卡測試問題,防止探針卡的異常損壞,延長探針卡的使用壽命,降低測試成本,提高測試良率和測試結(jié)果的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,成為晶圓測試中重要的技術(shù)。因此,開展探針卡使用問題的分析和研究具有重要的實(shí)用價(jià)值。論文的主要工作和成果如下:1.本文總結(jié)和分析了影響探針卡壽命的各種因素,并針對65納米的晶圓測試中,PM7540探針卡遇到的針尖易氧化和針跡易外擴(kuò)引起的探針消耗過快問題,提出了改進(jìn)方法。2.研究表明影響探針卡壽命的因素有機(jī)臺(tái)硬件和參數(shù)的設(shè)定、晶圓自身的影響、探針卡本身的問題、人員操作問題和測試程序的問題。并結(jié)合PM754065nm晶圓測試過程中的遇到實(shí)際問題,通過實(shí)驗(yàn)和分析,找到了造成探針卡針尖氧化和針跡外擴(kuò)的原因。3.通過對有可能造成探針卡針尖氧化原因進(jìn)行羅列、歸納和分析,探針在高溫下時(shí)間越長,氧化越嚴(yán)重,確定了高溫測試是造成針尖氧化的原因。4.通過對收集的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析,證明了承載臺(tái)水平異常是造成針跡外擴(kuò)的主要原因。解決探針卡的針尖氧化和針跡外擴(kuò)的問題,可以更好地保護(hù)和使用探針卡,延長使用壽命,進(jìn)而提高晶圓測試的穩(wěn)定性和測試成品率。 選擇測試探針卡那些廠家。安徽尋找測試探針卡
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濺鍍（SputteringDeposition）所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來，利用這一現(xiàn)象來形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發(fā)法相比有以下的特點(diǎn)：臺(tái)階部分的被覆性好，可形成大面積的均質(zhì)薄膜，形成的薄膜，可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜，可獲得絕緣薄膜和高熔點(diǎn)材料的薄膜，形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。因而，電極和布線用的鋁合金（Al-Si,Al-Si-Cu）等都是利用濺射法形成的。較常用的濺射法在平行平板電極間接上高頻（）電源，使氬氣（壓力為1Pa）離子化，在靶材濺射出來的原子淀積到放到另一側(cè)電極上的基片上。為提高成膜速度，通常利用磁場來增加離子的密度，這種裝置稱為磁控濺射裝置（magnetronsputterapparatus），以高電壓將通入惰性氬體游離，再藉由陰極電場加速吸引帶正電的離子，撞擊在陰極處的靶材，將欲鍍物打出后沉積在基板上。一般均加磁場方式增加電子的游離路徑，可增加氣體的解離率，若靶材為金屬，則使用DC電場即可，若為非金屬則因靶材表面累積正電荷，導(dǎo)致往后的正離子與之相斥而無法繼續(xù)吸引正離子。 河北好的測試探針卡廠家
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