ZiptronixInc.與EVGroup（簡稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在EVGGeminiFB產品融合鍵合機和SmartViewNT鍵合對準機上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制，只需要可進行測量的適當?shù)膶屎筒季止ぞ?，而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設備經過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米...

EVG?850DB自動解鍵合機系統(tǒng) 全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術數(shù)據 在全自動解鍵合機中，經過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實時監(jiān)控和記錄所有相關過程參數(shù) 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據特定工藝優(yōu)化了產量 技術數(shù)據 晶圓直徑（基板尺寸） 高達30...

EVG?850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術數(shù)據 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加，烘焙，將設備晶圓與載體晶圓的對準和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣，設備布局是模塊化的，這意味著可以根據特定過程對吞吐量進行優(yōu)化。可選的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺，因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機。三維芯片鍵合機芯片堆疊應用EVG...

臨時鍵合系統(tǒng)：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到了體現(xiàn)，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 ...

EVG鍵合機加工結果 除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產。它們通過在高真空，精確控制的準確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計，可實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產的簡單技術轉換。 模塊設計 各種鍵合對準（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優(yōu)勢。使用直接（實時）或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術。業(yè)內主流鍵合機使用工藝：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和...

EVG?510晶圓鍵合機系統(tǒng)：用于研發(fā)或小批量生產的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產設備完全兼容。特色：EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化，轉換時間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發(fā)機構或小批量生產應用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設計相同，鍵合程序易于轉移，可輕松擴大生產規(guī)模。EVG所有鍵合機系統(tǒng)都可以通過遠程通信的。西藏價格怎么樣鍵合機BONDSCALE與E...

Plessey工程副總裁JohnWhiteman解釋說：“GEMINI系統(tǒng)的模塊化設計非常適合我們的需求。在一個系統(tǒng)中啟用預處理，清潔，對齊（對準）和鍵合，這意味著擁有更高的產量和生產量。EVG提供的有質服務對于快速有效地使系統(tǒng)聯(lián)機至關重要?！盓VG的執(zhí)行技術總監(jiān)PaulLindner表示：“我們很榮幸Plessey選擇了我們蕞先進的GEMINI系統(tǒng)來支持其雄心勃勃的技術開發(fā)路線圖和大批量生產計劃。”該公告標志著Plessey在生產級設備投資上的另一個重要里程碑，該設備將GaN-on-Si硅基氮化鎵單片microLED產品推向市場。鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底智造，晶圓...

EVG?320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)用途：自動單晶片清洗系統(tǒng)，可有效去除顆粒EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預對準和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外，配置選項還包括兆頻，刷子和稀釋的化學藥品清洗。特征多達四個清潔站全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理可進行雙面清潔的邊緣處理（可選）使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進行高/效清潔先進的遠程診斷防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程 EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱器。解鍵合鍵合機可以免稅嗎完美的多用戶概念（無限數(shù)量...

EVG?501晶圓鍵合機（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產的蕞/低 購置成本 ■真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)蕞/高產量 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數(shù)據記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設計，可實現(xiàn)快速轉換和維護 ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機（系統(tǒng)） ■擁有EVG?501鍵合機的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產的蕞/佳購置成本 ■強勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補償實現(xiàn)高產量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產量，加速加熱...

臨時鍵合系統(tǒng)：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程，這對于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到了體現(xiàn)，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng)；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額，并且安裝的機臺已經超過1500套。...

針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時，具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應力匹配度高等優(yōu)點。EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。新疆EVG805鍵合機鍵合卡盤承載來自對...

鍵合機特征 高真空，對準，共價鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數(shù)據 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 ...

Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器（面對面，背面，紅外和透明對準） 無需Z軸運動，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊，然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術數(shù)據 基板/晶...

GEMINI ? FB自動化生產晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準和熔融 特色 技術數(shù)據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準，并結合了更高的生產率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。EVG鍵合可選功能：陽極，UV固化，650℃加熱器。熔融鍵合鍵合機高...

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現(xiàn)不同材料，高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層...

EVG?540自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng)，適用于蕞/大300mm的基板技術數(shù)據EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產鍵合機，設計用于中試線生產以及用于晶圓級封裝，3D互連和MEMS應用的大批量生產的研發(fā)。EVG540鍵合機基于模塊化設計，為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產的全集成生產鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機，蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術數(shù)據蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計，并結合了EVG手動鍵合...

晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經濟利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程?？s短的制造周期時間可提高生產量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進一步降低生產成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機，可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產系統(tǒng)，同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。奧地利鍵合機美元報價EVG?510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配...

GEMINI ? FB自動化生產晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準和熔融 特色 技術數(shù)據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準，并結合了更高的生產率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作...

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術數(shù)據，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到膏端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去除...

EVG?810LT技術數(shù)據晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）通用質量流量控制器：自校準（高達20.000sccm）真空系統(tǒng)：9x10-2mbar腔室的打開/關閉：自動化腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）可選功能：卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結的材料系統(tǒng)Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/Si（熱氧化）TEOS/TEOS（熱氧化）絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge...

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠程通信。因此，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經過現(xiàn)場驗證的，實時遠程診斷和排除故障。EVG經驗豐富的工藝工程師隨時...

EVG?850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度...

EVG320技術數(shù)據晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉時...

Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器（面對面，背面，紅外和透明對準） 無需Z軸運動，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊，然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術數(shù)據 基板/晶...

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術數(shù)據 EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術可對卷筒上的膠帶進行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術數(shù)據 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側保護襯套剝離 層壓 選件 頂側保護膜剝離 光學對準...

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統(tǒng) 用途：自動化生產鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數(shù)據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業(yè)標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。根據鍵合機型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。海南鍵合機...

EVG?850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度...

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質層，通過加熱熔融產生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅...

EVG?850DB自動解鍵合機系統(tǒng) 全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術數(shù)據 在全自動解鍵合機中，經過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實時監(jiān)控和記錄所有相關過程參數(shù) 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據特定工藝優(yōu)化了產量 技術數(shù)據 晶圓直徑（基板尺寸） 高達30...

針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時，具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應力匹配度高等優(yōu)點。EVG鍵合機通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應用。晶片鍵合機售后服務GEMI...