一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無(wú)塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過(guò)程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒(méi)有強(qiáng)大的資金實(shí)力，企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。中山紫外光刻光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的...

光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。水坑（旋覆浸沒(méi)）式顯影（PuddleDevelopment）。噴覆足夠（不能太多，較小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動(dòng)保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液：首先次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點(diǎn)：顯影液用量少；硅片顯影均勻；較小化了溫度梯度。光刻機(jī)又被稱(chēng)為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。微納光刻實(shí)驗(yàn)室光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別...

接觸式光刻曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1μm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5μm左右。接觸式光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個(gè)由手動(dòng)控制的臺(tái)子上，臺(tái)子可以進(jìn)行X、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制。掩模版和襯底晶片需要通過(guò)分立視場(chǎng)的顯微鏡同時(shí)觀察，這樣操作者用手動(dòng)控制定位臺(tái)子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對(duì)準(zhǔn)了。經(jīng)過(guò)紫外光曝光，光線通過(guò)掩模版透明的部分，圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。負(fù)膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預(yù)處理、涂膠、軟烘、曝光、后...

根據(jù)曝光方式的不同，光刻機(jī)主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機(jī)，曝光時(shí)，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單，分辨率高，沒(méi)有衍射效應(yīng)，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會(huì)在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙，因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒(méi)有接觸，缺陷減少，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點(diǎn)是分辨率低，存在衍射效應(yīng)。投影式曝光，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對(duì)準(zhǔn)后曝光，每次曝光一小部分，曝完一個(gè)圖形后，硅片移動(dòng)到下一個(gè)曝光位置繼續(xù)對(duì)準(zhǔn)曝光，這種曝光方式...

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專(zhuān)業(yè)公司壟斷。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)87%的份額，行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴(lài)較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長(zhǎng)有關(guān)。貴州光刻價(jià)錢(qián)光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來(lái)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是促進(jìn)了光刻...

光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。水坑（旋覆浸沒(méi)）式顯影（PuddleDevelopment）。噴覆足夠（不能太多，較小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動(dòng)保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液：首先次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點(diǎn)：顯影液用量少；硅片顯影均勻；較小化了溫度梯度。堅(jiān)膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力。低線寬光刻外協(xié)正膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預(yù)處理，涂膠、...

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專(zhuān)業(yè)公司壟斷。目前**大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)87%的份額，行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴(lài)較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì)。非接觸式曝光，掩膜板與光刻膠層的略微分開(kāi)，可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。數(shù)字光刻服務(wù)價(jià)格在光刻過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)光刻膠未涂滿(mǎn)襯底的異常，主要原因可能...

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的中心，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶(hù)是半導(dǎo)體制造商，不同的客戶(hù)會(huì)有不同的應(yīng)用需求，同一個(gè)客戶(hù)也有不同的光刻應(yīng)用需求。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣，即使類(lèi)似的光刻過(guò)程，不同的廠商也會(huì)有不同的要求。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn)。負(fù)膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預(yù)處理、...

一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無(wú)塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過(guò)程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒(méi)有強(qiáng)大的資金實(shí)力，企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。正性光刻膠主要應(yīng)用于腐蝕和刻蝕工藝，而負(fù)膠工藝主要應(yīng)用于剝離工藝。上海光刻加工光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快，厚度越??；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻；與旋轉(zhuǎn)加速的時(shí)...

光刻技術(shù)是集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過(guò)顯影技術(shù)溶...

光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴(lài)，中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”，是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的中心工藝，對(duì)制造出更先進(jìn)，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程。其中不同的光刻過(guò)程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。東莞功率器件光刻整個(gè)光刻顯影過(guò)程中，TMAH沒(méi)有同PH...

光刻涂底方法：氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；優(yōu)點(diǎn)：涂底均勻、避免顆粒污染；旋轉(zhuǎn)涂底。缺點(diǎn)：顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增強(qiáng)基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法：a、靜態(tài)涂膠（Static）。硅片靜止時(shí)，滴膠、加速旋轉(zhuǎn)、甩膠、揮發(fā)溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85%,旋涂后約占10～20%）；b、動(dòng)態(tài)（Dynamic）。低速旋轉(zhuǎn)（500rpm_rotationperminute）、滴膠、加速旋轉(zhuǎn)（3000rpm）、甩膠、揮發(fā)溶劑。決定光刻膠涂膠厚度的關(guān)鍵參數(shù)：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻膠的厚度越??；深...

光刻層間對(duì)準(zhǔn)，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對(duì)準(zhǔn)。曝光中較重要的兩個(gè)參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調(diào)整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現(xiàn)為圖形的關(guān)鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a、接觸式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來(lái)的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng)，設(shè)備簡(jiǎn)單。缺點(diǎn)：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。b、接近式曝光（ProximityPrinting）。光刻版就是在蘇打材料通過(guò)光刻、刻蝕等工藝在表面使...

光刻曝光系統(tǒng)：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時(shí)掩模與晶片間相對(duì)關(guān)系是貼緊還是分開(kāi)。接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好、曝光設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn)。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對(duì)準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制。一般認(rèn)為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會(huì)引起損傷和沾污,成品率較高，對(duì)準(zhǔn)精度也高，能滿(mǎn)足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求。但投影曝光設(shè)備復(fù)雜，技術(shù)難度高，因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)。現(xiàn)代應(yīng)...

光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。水坑（旋覆浸沒(méi)）式顯影（PuddleDevelopment）。噴覆足夠（不能太多，較小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動(dòng)保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液：首先次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點(diǎn)：顯影液用量少；硅片顯影均勻；較小化了溫度梯度。接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。河北光刻技術(shù)敏感度決定了光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較...

動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿(mǎn)足較新的硅片加工需求。相對(duì)靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法而言，動(dòng)態(tài)噴灑法在光刻膠對(duì)硅片進(jìn)行澆注的時(shí)刻就開(kāi)始以低速旋轉(zhuǎn)幫助光刻膠進(jìn)行較初的擴(kuò)散。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展，較終以高速旋轉(zhuǎn)形成滿(mǎn)足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。集成電路的制程工藝水平按已由微米級(jí)、亞微米級(jí)、深亞微米級(jí)進(jìn)入到納米級(jí)階段。集成電路線寬不斷縮小的趨勢(shì)，對(duì)包括光刻在內(nèi)的半導(dǎo)體制程工藝提出了新的挑戰(zhàn)。光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。重慶光刻服務(wù)價(jià)格光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平...

一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無(wú)塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過(guò)程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒(méi)有強(qiáng)大的資金實(shí)力，企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。堅(jiān)膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力。河北光刻多少錢(qián)光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專(zhuān)業(yè)公司壟斷。...

光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來(lái)國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大。同時(shí)，國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國(guó)晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù)，力爭(zhēng)早日追上國(guó)際先進(jìn)水平，打進(jìn)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開(kāi)，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠距離國(guó)際先進(jìn)水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國(guó)已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。廣東省科學(xué)院...

每顆芯片誕生之初，都要經(jīng)過(guò)光刻機(jī)的雕刻，精度要達(dá)到頭發(fā)絲的千分之一，如今，全世界能夠生產(chǎn)光刻機(jī)的國(guó)家只有四個(gè)，中國(guó)成為了其中的一員，實(shí)現(xiàn)了從無(wú)到有的突破。光刻機(jī)又被稱(chēng)為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩模對(duì)準(zhǔn)光刻，所以它被稱(chēng)為掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。它指的是通過(guò)將硅晶片表面上的膠整平，然后將掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠，將器件或電路結(jié)構(gòu)暫時(shí)“復(fù)制”到硅晶片上的過(guò)程。它不是簡(jiǎn)單的激光器，但它的曝光系統(tǒng)基本上使用的是復(fù)雜的紫外光源。光刻機(jī)是芯片制造的中心設(shè)備之一，根據(jù)用途可分為幾類(lèi)：光刻機(jī)生產(chǎn)芯片；有光刻機(jī)包裝；還有一款投影光刻機(jī)用在LED制造領(lǐng)域。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕...

掩膜板與光刻膠層的略微分開(kāi)，大約為10～50μm?？梢员苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時(shí)引入了衍射效應(yīng)，降低了分辨率。1970后適用，但是其較大分辨率*為2～4μm。c、投影式曝光（ProjectionPrinting）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會(huì)以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點(diǎn)：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類(lèi)：掃描投影曝光（ScanningProjectPrinting）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；步進(jìn)重復(fù)投影曝光（Stepping-repeatingProjectP...

不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開(kāi)始采用365nm波長(zhǎng)光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高，波長(zhǎng)較短的兩個(gè)譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此較早被用來(lái)當(dāng)作光刻光源。使用波長(zhǎng)短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率。光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)...

光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來(lái)國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大。同時(shí)，國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國(guó)晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù)，力爭(zhēng)早日追上國(guó)際先進(jìn)水平，打進(jìn)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開(kāi)，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠距離國(guó)際先進(jìn)水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國(guó)已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。廣東省科學(xué)院...

對(duì)于國(guó)產(chǎn)光刻膠來(lái)說(shuō)，今年的九月是極為特殊的一個(gè)月份。9月23日，發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部、財(cái)政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長(zhǎng)點(diǎn)增長(zhǎng)極的指導(dǎo)意見(jiàn)》，《意見(jiàn)》提出，加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng)，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。而在《意見(jiàn)》還未發(fā)布之前，部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動(dòng)了。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國(guó)產(chǎn)光刻膠之外，還有兩家企業(yè)通過(guò)購(gòu)買(mǎi)光刻機(jī)的方式，開(kāi)展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè)，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持，這已不是什么鮮為人知的信息了。光刻版材質(zhì)主要是兩種，一個(gè)是石英材質(zhì)一個(gè)是蘇打材質(zhì)，石英材料的透光率會(huì)比蘇打的透光率要高。甘肅光刻光刻曝光系...

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的中心，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶(hù)是半導(dǎo)體制造商，不同的客戶(hù)會(huì)有不同的應(yīng)用需求，同一個(gè)客戶(hù)也有不同的光刻應(yīng)用需求。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣，即使類(lèi)似的光刻過(guò)程，不同的廠商也會(huì)有不同的要求。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn)。接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好...

光聚合型光刻膠采用烯類(lèi)單體，在光作用下生成自由基，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類(lèi)化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負(fù)性光刻膠。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿(mǎn)足較新的硅片加工需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙，避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少。佛山接觸式光刻光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快，厚度越??；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快...

對(duì)于國(guó)產(chǎn)光刻膠來(lái)說(shuō)，今年的九月是極為特殊的一個(gè)月份。9月23日，發(fā)改委聯(lián)合工信部、科技部、財(cái)政部共同發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長(zhǎng)點(diǎn)增長(zhǎng)極的指導(dǎo)意見(jiàn)》，《意見(jiàn)》提出，加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng)，具體涉及加快在光刻膠、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。而在《意見(jiàn)》還未發(fā)布之前，部分企業(yè)已經(jīng)聞聲先動(dòng)了。除了幾家企業(yè)加大投資、研發(fā)國(guó)產(chǎn)光刻膠之外，還有兩家企業(yè)通過(guò)購(gòu)買(mǎi)光刻機(jī)的方式，開(kāi)展光刻膠的研發(fā)。光刻膠產(chǎn)業(yè)，尤其是較優(yōu)光刻膠一直是日本企業(yè)所把持，這已不是什么鮮為人知的信息了。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。正性光刻膠主要應(yīng)用于腐蝕和刻蝕工藝，而負(fù)膠工藝主要應(yīng)用于剝離工藝。河南光刻加工平臺(tái)...

光聚合型，可形成正性光刻膠，是通過(guò)采用了烯類(lèi)單體，在光作用下生成自由基從而進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物的過(guò)程；光分解型光刻膠可以制成正性膠，通過(guò)采用含有疊氮醌類(lèi)化合物的材料在經(jīng)過(guò)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)的過(guò)程。光交聯(lián)型，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開(kāi)，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而起到抗蝕作用，是一種典型的負(fù)性光刻膠。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示(LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類(lèi)較低，而半導(dǎo)體光刻膠表示著光刻膠技術(shù)較先進(jìn)水平。在...

普通的光刻膠在成像過(guò)程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對(duì)提高圖形分辨率的影響也越來(lái)越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。伴隨著新一代曝光技術(shù)（NGL）的研究與發(fā)展，為了更好的滿(mǎn)足其所能實(shí)現(xiàn)光刻分辨率的同時(shí)，光刻膠也相應(yīng)發(fā)展。先進(jìn)曝光技術(shù)對(duì)光刻膠的性能要求也越來(lái)越高。光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻...

光刻涂底方法：氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；優(yōu)點(diǎn)：涂底均勻、避免顆粒污染；旋轉(zhuǎn)涂底。缺點(diǎn)：顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增強(qiáng)基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法：a、靜態(tài)涂膠（Static）。硅片靜止時(shí)，滴膠、加速旋轉(zhuǎn)、甩膠、揮發(fā)溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85%,旋涂后約占10～20%）；b、動(dòng)態(tài)（Dynamic）。低速旋轉(zhuǎn)（500rpm_rotationperminute）、滴膠、加速旋轉(zhuǎn)（3000rpm）、甩膠、揮發(fā)溶劑。決定光刻膠涂膠厚度的關(guān)鍵參數(shù)：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻膠的厚度越??；在...

光刻膠國(guó)產(chǎn)代替是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要；自從中美貿(mào)易摩擦依賴(lài)，中國(guó)大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”，是國(guó)產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國(guó)產(chǎn)化的產(chǎn)品。光刻是半導(dǎo)制程的中心工藝，對(duì)制造出更先進(jìn)，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配。現(xiàn)在，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程。其中不同的光刻過(guò)程對(duì)于光刻膠也有不一樣的具體需求。表面有顆粒、滴膠后精致時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，部分光刻膠固話(huà)，解決的方法主要有更換光刻膠。東莞光刻工藝光刻層間對(duì)準(zhǔn)，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經(jīng)存...