通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方，滿(mǎn)足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。質(zhì)量控制技術(shù)：由于用戶(hù)對(duì)光刻膠的穩(wěn)定性、一致性要求高，包括不同批次間的一致性，通常希望對(duì)感光靈敏度、膜厚的一致性保持在較高水平，因此，光刻膠生產(chǎn)商不僅*要配臵齊全的測(cè)試儀器，還需要建立一套嚴(yán)格的QA體系以保證產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定。原材料技術(shù)：光刻膠是一種經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等不同性質(zhì)的原料，通過(guò)不同的排列組合，經(jīng)過(guò)復(fù)雜、精密的加工工藝而制成。因此，光刻膠原材料的品質(zhì)對(duì)光刻膠的質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。對(duì)于半導(dǎo)體化學(xué)化學(xué)試劑的純度，際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）制定了國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，光刻技術(shù)...

光刻膠是一種特殊的聚合物材料，廣泛應(yīng)用于微電子制造中的光刻工藝中。光刻膠在光刻過(guò)程中的作用是將光刻圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面，從而形成微電子器件的圖形結(jié)構(gòu)。具體來(lái)說(shuō)，光刻膠的作用包括以下幾個(gè)方面：1.光刻膠可以作為光刻模板，將光刻機(jī)上的光刻圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面。在光刻過(guò)程中，光刻膠被曝光后，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，使得光刻膠的物理和化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，從而形成光刻圖形。2.光刻膠可以保護(hù)硅片表面，防止在光刻過(guò)程中硅片表面受到損傷。光刻膠可以形成一層保護(hù)膜，保護(hù)硅片表面免受化學(xué)和物理?yè)p傷。3.光刻膠可以調(diào)節(jié)光刻過(guò)程中的曝光劑量和曝光時(shí)間，從而控制光刻圖形的形狀和尺寸。不同類(lèi)型的光刻膠具有不同的曝光特性，可以根據(jù)需要...

光刻涂底方法：氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鐘；優(yōu)點(diǎn)：涂底均勻、避免顆粒污染；旋轉(zhuǎn)涂底。缺點(diǎn)：顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。目的：使表面具有疏水性，增強(qiáng)基底表面與光刻膠的黏附性旋轉(zhuǎn)涂膠方法：a、靜態(tài)涂膠（Static）。硅片靜止時(shí)，滴膠、加速旋轉(zhuǎn)、甩膠、揮發(fā)溶劑（原光刻膠的溶劑約占65～85%,旋涂后約占10～20%）；b、動(dòng)態(tài)（Dynamic）。低速旋轉(zhuǎn)（500rpm_rotationperminute）、滴膠、加速旋轉(zhuǎn)（3000rpm）、甩膠、揮發(fā)溶劑。決定光刻膠涂膠厚度的關(guān)鍵參數(shù)：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻膠的厚度越薄；表...

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，如混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過(guò)程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。同時(shí)，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場(chǎng)景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的個(gè)性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過(guò)程是將感光材料、樹(shù)脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕1000級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢瑁蛊涑浞只旌闲纬删嘁后w，經(jīng)過(guò)多次過(guò)濾，并通過(guò)中間過(guò)程控制和檢驗(yàn)，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求，較后做產(chǎn)品檢驗(yàn)，合格...

日本能把持光刻膠這么多年背后的深層次邏輯是什么？究其原因，主要是技術(shù)和市場(chǎng)兩大壁壘過(guò)高導(dǎo)致的。首先，光刻膠作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，扮演著極其重要的角色，甚至可以和光刻機(jī)相媲美，但市場(chǎng)規(guī)模卻很小。2019年的全球光刻膠市場(chǎng)的規(guī)模才90億美元，不及一家大型IC設(shè)計(jì)企業(yè)的年?duì)I收，行業(yè)成長(zhǎng)空間有限，自然進(jìn)入的企業(yè)就少。另一方面，光刻膠又是一個(gè)具有極高技術(shù)壁壘的產(chǎn)業(yè)。由于不同的客戶(hù)會(huì)有不同的應(yīng)用需求，同一個(gè)客戶(hù)也有不同的光刻應(yīng)用需求。導(dǎo)致光刻膠的種類(lèi)極其繁雜，必須通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方，滿(mǎn)足差異化應(yīng)用需求，這也是光刻膠制造商較中心的技術(shù)。光刻技術(shù)的發(fā)展離不開(kāi)光源技術(shù)的進(jìn)步，如深紫外光源、激光光源等。湖南...

光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中的重要設(shè)備，主要用于將芯片設(shè)計(jì)圖案轉(zhuǎn)移到硅片上。根據(jù)不同的光刻技術(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域，光刻機(jī)可以分為接觸式光刻機(jī)、投影式光刻機(jī)和電子束光刻機(jī)等不同類(lèi)型。接觸式光刻機(jī)是更早出現(xiàn)的光刻機(jī)，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、易于操作和維護(hù)。但由于接觸式光刻機(jī)需要將掩模與硅片直接接觸，容易造成掩模和硅片的損傷，同時(shí)也限制了芯片的制造精度和分辨率。投影式光刻機(jī)則采用了光學(xué)投影技術(shù)，將掩模上的圖案通過(guò)透鏡系統(tǒng)投射到硅片上，具有制造精度高、分辨率高、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)。但投影式光刻機(jī)的成本較高，同時(shí)也受到光學(xué)衍射和透鏡制造精度等因素的影響。電子束光刻機(jī)則采用了電子束束流曝光技術(shù)，具有制造精度高、分辨率高、可制造復(fù)雜...

光刻膠供應(yīng)商與客戶(hù)粘性大；一般情況下，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定，下游客戶(hù)與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后，不會(huì)輕易更換。通過(guò)建立反饋機(jī)制，滿(mǎn)足個(gè)性化需求，光刻膠供應(yīng)商與客戶(hù)的粘性不斷增加。后來(lái)者想要加入到供應(yīng)商行列，往往需要滿(mǎn)足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對(duì)新進(jìn)入者壁壘較高。通常光刻膠等微電子化學(xué)品不僅品質(zhì)要求高，而且需要多種不同的品類(lèi)滿(mǎn)足下游客戶(hù)多樣化的需。如果沒(méi)有規(guī)模效益，供應(yīng)商就無(wú)法承擔(dān)滿(mǎn)足***多樣化需求帶來(lái)的開(kāi)銷(xiāo)。因此，品種規(guī)模構(gòu)成了進(jìn)入該行業(yè)的重要壁壘。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。常用的光刻機(jī)是掩模對(duì)準(zhǔn)光刻，所以它被稱(chēng)為掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。低線(xiàn)寬光刻加工工廠(chǎng)光刻機(jī)是半導(dǎo)體制...

普通的光刻膠在成像過(guò)程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對(duì)提高圖形分辨率的影響也越來(lái)越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。伴隨著新一代曝光技術(shù)（NGL）的研究與發(fā)展，為了更好的滿(mǎn)足其所能實(shí)現(xiàn)光刻分辨率的同時(shí)，光刻膠也相應(yīng)發(fā)展。先進(jìn)曝光技術(shù)對(duì)光刻膠的性能要求也越來(lái)越高。光刻其實(shí)是由多步工序所組成的。清洗：清洗襯底表面的...

當(dāng)光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會(huì)產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會(huì)移除樹(shù)脂的保護(hù)基團(tuán)從而使得樹(shù)脂變得易于溶解。化學(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對(duì)深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性，同時(shí)具有高對(duì)比度，對(duì)高分辨率等優(yōu)點(diǎn)。按照曝光波長(zhǎng)分類(lèi)；光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線(xiàn)光刻膠等。不同曝光波長(zhǎng)的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。河北曝光光刻正膠光刻的基本流程：襯...

普通的光刻膠在成像過(guò)程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對(duì)提高圖形分辨率的影響也越來(lái)越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。伴隨著新一代曝光技術(shù)（NGL）的研究與發(fā)展，為了更好的滿(mǎn)足其所能實(shí)現(xiàn)光刻分辨率的同時(shí)，光刻膠也相應(yīng)發(fā)展。先進(jìn)曝光技術(shù)對(duì)光刻膠的性能要求也越來(lái)越高。顯影液：正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶...

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，如混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過(guò)程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。同時(shí)，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場(chǎng)景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的個(gè)性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過(guò)程是將感光材料、樹(shù)脂、溶劑等主要原料在恒溫恒濕1000級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體，經(jīng)過(guò)多次過(guò)濾，并通過(guò)中間過(guò)程控制和檢驗(yàn)，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求，較后做產(chǎn)品檢驗(yàn)，合格...

敏感度決定了光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值。抗蝕性決定了光刻膠作為覆蓋物在后續(xù)刻蝕或離子注入工藝中，不被刻蝕或抗擊離子轟擊，從而保護(hù)被覆蓋的襯底。光刻膠依據(jù)不同的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類(lèi)：按照化學(xué)反應(yīng)和顯影的原理，光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。如果顯影時(shí)未曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相反，稱(chēng)為負(fù)性光刻膠；如果顯影時(shí)曝光部分溶解于顯影液，形成的圖形與掩膜版相同，稱(chēng)為正性光刻膠。根據(jù)感光樹(shù)脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)來(lái)分類(lèi)，光刻膠可以分為光聚合型、光分解型和光交聯(lián)型三種類(lèi)別。正性光刻膠主要應(yīng)用于腐蝕和刻蝕工藝，而負(fù)膠工藝主要應(yīng)用于剝離工藝。深圳紫外光刻接觸式光刻曝光時(shí)掩模壓在光刻膠...

通常來(lái)說(shuō)，在使用工藝方法一致的情況下，波長(zhǎng)越短，加工分辨率越佳。靜態(tài)旋轉(zhuǎn)法：首先把光刻膠通過(guò)滴膠頭堆積在襯底的中心，然后低速旋轉(zhuǎn)使得光刻膠鋪開(kāi)，再以高速旋轉(zhuǎn)甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉(zhuǎn)的過(guò)程中，光刻膠中的溶劑會(huì)揮發(fā)一部分。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關(guān)鍵，量少了會(huì)導(dǎo)致光刻膠不能充分覆蓋硅片，量大了會(huì)導(dǎo)致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面，影響工藝質(zhì)量。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿(mǎn)足較新的硅片加工需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻。湖南光刻服務(wù)光刻膠供應(yīng)商與客戶(hù)粘性大；一般情況下，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定，下游客...

常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（positive photoresist）被曝光的部分會(huì)被顯影劑去除，負(fù)性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會(huì)被顯影劑去除。正性光刻膠主要應(yīng)用于腐蝕和刻蝕工藝，而負(fù)膠工藝主要應(yīng)用于剝離工藝（lift-off）。光刻是微納加工當(dāng)中不可或缺的工藝，主要是起到圖形化轉(zhuǎn)移的作用。常規(guī)的光刻分為有掩膜光刻和無(wú)掩膜光刻。無(wú)掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫(xiě)光，有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對(duì)于有掩膜光刻，首先需要設(shè)計(jì)光刻版，常用的設(shè)計(jì)軟件有CAD、L-edit等軟件。光刻機(jī)又被稱(chēng)為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、...

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等工序。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮?dú)獗Ｗo(hù)）目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機(jī)物、工藝殘余、可動(dòng)離子）；b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉裕鰪?qiáng)表面的黏附性（對(duì)光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。光刻膠是由光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑組成。...

在光刻過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)光刻膠未涂滿(mǎn)襯底的異常，主要原因可能以下幾個(gè)：滴膠量不、膠液偏離襯底中心、滴膠是有氣泡、滴膠是有“倒角”，主要的叫絕方法有：增加滴膠量、調(diào)整勻膠機(jī)水平位置、調(diào)整滴膠位置、在“倒角”處滴膠、消除“倒角”。光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈，表面有顆粒、滴膠后精致時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，部分光刻膠固話(huà)，解決的方法主要有更換光刻膠，使用新的光刻膠涂膠來(lái)測(cè)試一下、將襯底再清洗一次再涂膠、滴膠后馬上旋涂，以免光刻膠有所固化。光刻版材質(zhì)主要是兩種，一個(gè)是石英材質(zhì)一個(gè)是蘇打材質(zhì)，石英材料的透光率會(huì)比蘇打的透光率要高。光刻版就是在蘇打材料通過(guò)光刻、刻蝕等工藝在表面...

在光刻圖案化工藝中，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復(fù)雜的曝光裝置中，光線(xiàn)通過(guò)一個(gè)具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，在隨后的化學(xué)顯影過(guò)程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中，會(huì)對(duì)沒(méi)有光刻膠保護(hù)的硅片部分進(jìn)行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠。這時(shí)光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過(guò)程經(jīng)過(guò)多次迭代，聯(lián)同其他多個(gè)物理過(guò)程，便產(chǎn)生集成電路。顯影液：正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。遼寧光刻加工在光刻過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)光刻膠未涂滿(mǎn)襯底的異常，主要原因可能以下幾個(gè)：滴膠量不、膠液偏離襯底中心、滴膠是有氣...

光聚合型，可形成正性光刻膠，是通過(guò)采用了烯類(lèi)單體，在光作用下生成自由基從而進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物的過(guò)程；光分解型光刻膠可以制成正性膠，通過(guò)采用含有疊氮醌類(lèi)化合物的材料在經(jīng)過(guò)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)的過(guò)程。光交聯(lián)型，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開(kāi)，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而起到抗蝕作用，是一種典型的負(fù)性光刻膠。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示(LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類(lèi)較低，而半導(dǎo)體光刻膠表示著光刻膠技術(shù)較先進(jìn)水平。接...

光聚合型，可形成正性光刻膠，是通過(guò)采用了烯類(lèi)單體，在光作用下生成自由基從而進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物的過(guò)程；光分解型光刻膠可以制成正性膠，通過(guò)采用含有疊氮醌類(lèi)化合物的材料在經(jīng)過(guò)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)的過(guò)程。光交聯(lián)型，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開(kāi)，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而起到抗蝕作用，是一種典型的負(fù)性光刻膠。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示(LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類(lèi)較低，而半導(dǎo)體光刻膠表示著光刻膠技術(shù)較先進(jìn)水平。正...

光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。目前中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來(lái)國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大。同時(shí)，國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國(guó)晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù)，力爭(zhēng)早日追上國(guó)際先進(jìn)水平，打進(jìn)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠(chǎng)的供應(yīng)鏈。光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開(kāi)，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域，盡管?chē)?guó)產(chǎn)光刻膠距離國(guó)際先進(jìn)水平仍然有差距，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國(guó)已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。廣東省科學(xué)院...

顯影液：正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因?yàn)闀?huì)帶來(lái)可動(dòng)離子污染（MIC，MovableIonContamination），所以在IC制造中一般不用。較普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26，溫度15～25C）。在I線(xiàn)光刻膠曝光中會(huì)生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒(méi)有影響；在化學(xué)放大光刻膠（CAR，ChemicalAmplifiedResist）中包含的酚醛樹(shù)脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產(chǎn)生的酸會(huì)去除PHS中的保護(hù)基團(tuán)（t-BOC），從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中。光刻膠...

一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無(wú)塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過(guò)程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒(méi)有強(qiáng)大的資金實(shí)力，企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。中山紫外光刻光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè)。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的...

光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。水坑（旋覆浸沒(méi)）式顯影（PuddleDevelopment）。噴覆足夠（不能太多，較小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動(dòng)保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液：首先次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點(diǎn)：顯影液用量少；硅片顯影均勻；較小化了溫度梯度。光刻機(jī)又被稱(chēng)為：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等。微納光刻實(shí)驗(yàn)室光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別...

接觸式光刻曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1μm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5μm左右。接觸式光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個(gè)由手動(dòng)控制的臺(tái)子上，臺(tái)子可以進(jìn)行X、y方向及旋轉(zhuǎn)的定位控制。掩模版和襯底晶片需要通過(guò)分立視場(chǎng)的顯微鏡同時(shí)觀察，這樣操作者用手動(dòng)控制定位臺(tái)子就能把掩模版圖形和襯底晶片上的圖形對(duì)準(zhǔn)了。經(jīng)過(guò)紫外光曝光，光線(xiàn)通過(guò)掩模版透明的部分，圖形就轉(zhuǎn)移到了光刻膠上。負(fù)膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預(yù)處理、涂膠、軟烘、曝光、后...

根據(jù)曝光方式的不同，光刻機(jī)主要分為接觸式，接近式以及投影式三種。接觸式光刻機(jī)，曝光時(shí)，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單，分辨率高，沒(méi)有衍射效應(yīng)，缺點(diǎn)是光刻版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會(huì)在晶圓片和光刻版上產(chǎn)生缺陷，降低光刻版使用壽命，成品率低。接近式光刻機(jī)，光刻版與光刻膠有一個(gè)很小的縫隙，因?yàn)楣饪贪媾c襯底沒(méi)有接觸，缺陷減少，優(yōu)點(diǎn)是避免晶圓片與光刻版直接接觸，缺陷少，缺點(diǎn)是分辨率低，存在衍射效應(yīng)。投影式曝光，一般光學(xué)系統(tǒng)將掩模版上的圖像縮小4x或5x倍，聚焦并與硅片上已有的圖形對(duì)準(zhǔn)后曝光，每次曝光一小部分，曝完一個(gè)圖形后，硅片移動(dòng)到下一個(gè)曝光位置繼續(xù)對(duì)準(zhǔn)曝光，這種曝光方式...

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專(zhuān)業(yè)公司壟斷。目前**大廠(chǎng)商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)87%的份額，行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴(lài)較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì)。一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長(zhǎng)有關(guān)。貴州光刻價(jià)錢(qián)光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，特別是近年來(lái)大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，更是促進(jìn)了光刻...

光刻噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。水坑（旋覆浸沒(méi)）式顯影（PuddleDevelopment）。噴覆足夠（不能太多，較小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動(dòng)保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液：首先次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點(diǎn)：顯影液用量少；硅片顯影均勻；較小化了溫度梯度。堅(jiān)膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護(hù)下表面的能力。低線(xiàn)寬光刻外協(xié)正膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預(yù)處理，涂膠、...

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專(zhuān)業(yè)公司壟斷。目前**大廠(chǎng)商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng)87%的份額，行業(yè)集中度高。并且高分辨率的KrF和ArF半導(dǎo)體光刻膠中心技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國(guó)大陸對(duì)于電子材料，特別是光刻膠方面對(duì)國(guó)外依賴(lài)較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國(guó)產(chǎn)代替是必然趨勢(shì)。非接觸式曝光，掩膜板與光刻膠層的略微分開(kāi)，可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。數(shù)字光刻服務(wù)價(jià)格在光刻過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)光刻膠未涂滿(mǎn)襯底的異常，主要原因可能...

光刻膠的技術(shù)壁壘包括配方技術(shù)，質(zhì)量控制技術(shù)和原材料技術(shù)。配方技術(shù)是光刻膠實(shí)現(xiàn)功能的中心，質(zhì)量控制技術(shù)能夠保證光刻膠性能的穩(wěn)定性而***的原材料則是光刻膠性能的基礎(chǔ)。配方技術(shù)：由于光刻膠的下游用戶(hù)是半導(dǎo)體制造商，不同的客戶(hù)會(huì)有不同的應(yīng)用需求，同一個(gè)客戶(hù)也有不同的光刻應(yīng)用需求。一般一塊半導(dǎo)體芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10-50道光刻過(guò)程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣，即使類(lèi)似的光刻過(guò)程，不同的廠(chǎng)商也會(huì)有不同的要求。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn)。負(fù)膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預(yù)處理、...

一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求，且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無(wú)塵或微塵處理。制備較優(yōu)微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程，以避免污染，提高質(zhì)量。因此，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn)、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng)、過(guò)程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高。如果沒(méi)有強(qiáng)大的資金實(shí)力，企業(yè)就難以在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，以提升可持續(xù)發(fā)展能力。因此，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘。正性光刻膠主要應(yīng)用于腐蝕和刻蝕工藝，而負(fù)膠工藝主要應(yīng)用于剝離工藝。上海光刻加工光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快，厚度越??；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻；與旋轉(zhuǎn)加速的時(shí)...