ESD保護(hù)器件具有什么特點(diǎn)？ESD靜電保護(hù)器件特點(diǎn)特性：低電容，至低可達(dá)到零點(diǎn)幾皮法；快速響應(yīng)時(shí)間：通常小于1.0PS；體積小，小型化器件，節(jié)約PCB空間；工作電壓可以根據(jù)IC的工作電壓設(shè)計(jì)，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；靈活度高，可以根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)計(jì)電容、封裝形式、浪涌承受能力等參數(shù)；封裝形式多樣化。ESD保護(hù)對(duì)高密度、小型化和具有復(fù)雜功能的電子設(shè)備而言具有重要意義。在ESD保護(hù)領(lǐng)域，目前主流的是TVS管、壓敏電阻、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲等。ESD保護(hù)元件的作用是轉(zhuǎn)移來(lái)自敏感元件的ESD應(yīng)力；寧波ESD保護(hù)器件訂購(gòu)ESD保護(hù)器件種類(lèi)包括Zener二極管、壓敏電阻(varistor...

ESD保護(hù)器件的使用需要注意什么？ESD保護(hù)器件是經(jīng)常見(jiàn)到的，為 USB 4? 選擇 ESD 保護(hù)器件：新的 USB 4? 規(guī)范引入了一些更改，會(huì)影響 ESD 保護(hù)器件的選擇。顯然，ESD 保護(hù)需要在為系統(tǒng)增加低插入損耗（信號(hào)衰減）和低回波損耗（信號(hào)反射）的同時(shí)，提供低鉗位以保護(hù)敏感的高速數(shù)據(jù)線。放置 ESD 保護(hù)器件的較佳位置是直接放置在連接器后的入口處。如果將 USB 4 的 ESD 保護(hù)器件放置在此位置，則此 ESD 保護(hù)器件的額定電壓應(yīng)向后兼容可通過(guò) USBType-C? 連接的所有標(biāo)準(zhǔn)。ESD保護(hù)器件是業(yè)內(nèi)理想的高頻數(shù)據(jù)保護(hù)器件。陜西ESD保護(hù)器件費(fèi)用ESD保護(hù)器件原理：電路保護(hù)元件...

常用的ESD保護(hù)器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能夠瞬間進(jìn)入低阻態(tài)，故具有良好的電流泄放能力，可以作為ESD防護(hù)器件。在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見(jiàn)的器件。在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生Positive ESD Pulse時(shí)，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過(guò)雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生Negative ESD Pulse時(shí)，該Diode為正偏并釋放...

ESD保護(hù)器件在操作原理和原材料方面各自不同，以實(shí)現(xiàn)必要的功能。EDS保護(hù)器件大致分為陶瓷基類(lèi)型和使用硅或聚合物作為原料的半導(dǎo)體基類(lèi)型。陶瓷基類(lèi)型則分為兩種，即采用電壓依賴(lài)型可變電阻器的壓敏電阻型，和電極間放電的抑制型，半導(dǎo)體基類(lèi)型則包括齊納(恒定電壓)二極管類(lèi)型與場(chǎng)效應(yīng)晶體管方法。半導(dǎo)體基類(lèi)型的ESD保護(hù)器件使用稱(chēng)為齊納二極管方法的機(jī)制。齊納二極管由P型半導(dǎo)體(電子不足的條件)和N型半導(dǎo)體(電子過(guò)剩的條件)的組合構(gòu)成。當(dāng)施加超過(guò)擊穿電壓的過(guò)電壓(ESD)時(shí)，硅基ESD保護(hù)器件利用該二極管的技術(shù)將電流傳遞到地。即使應(yīng)用范圍于日常生活中使用的電子和電氣設(shè)備，使用ESD保護(hù)器件的地方也非常多樣化。...

ESD保護(hù)器件的主要性能參數(shù)有哪些？電容(Capacitance)，在給定電壓、頻率條件下測(cè)得的值，此值越小，對(duì)保護(hù)電路的信號(hào)傳輸影響越小。比如硅半導(dǎo)體TVS管的結(jié)電容(pF級(jí))，壓敏電阻的寄生電容(nF級(jí))。響應(yīng)時(shí)間(ResponseTime)指ESD器件對(duì)輸入的大電壓鉗制到預(yù)定電壓的時(shí)間。一般地，TVS管的響應(yīng)時(shí)間是ns級(jí)，壓敏電阻是μs級(jí)，此時(shí)間越小，更能有效的保護(hù)電路中元器件。壽命(ESDPulseWithstanding)，TVS技術(shù)利用的是半導(dǎo)體的鉗位原理，在經(jīng)受瞬時(shí)高壓時(shí)，會(huì)立即將能量釋放出去，基本上沒(méi)有壽命限制；而壓敏電阻采用的是物理吸收原理，因此每經(jīng)過(guò)一次ESD事件，材料就會(huì)...

ESD保護(hù)器件的歸類(lèi)：ESD脈沖、電源瞬變、浪涌等現(xiàn)象是損壞芯片的主要原因。ESD保護(hù)器件能抑制靜電荷的積累和靜電壓的產(chǎn)生；安全、迅速、有效的消除已產(chǎn)生的靜電荷。ESD保護(hù)器件一般包括三種：TVS二極管、壓敏電阻和聚合物靜電抑制器。TVS二極管：瞬態(tài)抑制二極管(Transient Vo1 tage Suppressor) 簡(jiǎn)稱(chēng)TVS， 是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，利用P-N結(jié)的反向擊穿工作原理，將靜電的高壓脈沖導(dǎo)入地，從而保護(hù)了電器內(nèi)部對(duì)靜電敏感的元件。壓敏電阻：多層壓敏電阻及金屬氧化物壓敏電阻利用Zn0（氧化鋅）等壓敏材料的壓敏特性，實(shí)現(xiàn)了對(duì)靜電的防護(hù)。壓敏電阻器的電阻體材料是半導(dǎo)體，...

需要應(yīng)對(duì)ESD保護(hù)器件的地方便是在電氣設(shè)備可能與人體或物體接觸的所有點(diǎn)處，都需要采用ESD對(duì)策。包括USB2.0、USB3.0、輸出終端、LAN，或是用戶連接或斷開(kāi)連接器的其他點(diǎn)，以及需要觸摸電子產(chǎn)品的操作按鈕的情況，或者設(shè)備在生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)接觸到電路板，以及使用連接器將電路板彼此連接的情況。作為ESD保護(hù)器件對(duì)策安裝在這些點(diǎn)的部件便稱(chēng)為“ESD保護(hù)器件”。電子設(shè)備制造商需要制定適當(dāng)?shù)腅SD對(duì)策，以滿足每個(gè)電子設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)，并且已經(jīng)針對(duì)各種目的和產(chǎn)品制定了各種測(cè)試和標(biāo)準(zhǔn)。目前有四種針對(duì)IC電路和電子組件等各種器件的通用性測(cè)試方法，包括IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，HBM(HumanBody Mod...

ESD TVS器件采用的技術(shù)：聚合物浪涌抑制器，聚合物浪涌抑制器件為消弧器件，且總是雙向保護(hù)器件。它們的電容很低，對(duì)高速應(yīng)用具有吸引力。但是它們的短處是導(dǎo)通電壓高、導(dǎo)通阻抗性能相對(duì)較差，遭受多次應(yīng)力時(shí)易于性能下降。TVS二極管，如今大多數(shù)的二極管都是采用硅制造的固態(tài)器件。它們?yōu)殡p端器件，很容易讓一個(gè)方向上的電流流過(guò)，但在相反方向上，它們呈現(xiàn)高阻抗，直到兩端電壓達(dá)到擊穿電壓。二極管本質(zhì)上為單向器件，保護(hù)方式為電壓箝位。二極管的特性取決于N區(qū)與P區(qū)的摻雜程度，這兩個(gè)區(qū)離結(jié)點(diǎn)的距離遠(yuǎn)近不同。調(diào)節(jié)摻雜程度能構(gòu)建反向偏置擊穿電壓在幾百伏到單幾伏之間的二極管。設(shè)計(jì)有明確定義的反向偏置擊穿電壓的二極管，通常...

ESD保護(hù)器件分類(lèi)：ESD（Electro-Static discharge）器件又稱(chēng)靜電保護(hù)器件，常見(jiàn)的ESD保護(hù)器件主要有壓敏電阻、硅材料的TVS二極管以及陶瓷材料的A-TVS等。壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器件，在遭受ESD時(shí)，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相對(duì)固定的電壓值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)后級(jí)電路的保護(hù)。但是其ESD性能會(huì)隨使用次數(shù)增多而變差，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，材料便宜，成本極低。硅材料的TVS二極管，是利用PN結(jié)反向擊穿雪崩的原理，在經(jīng)歷ESD事件時(shí)，瞬間將能量傳遞出去，對(duì)器件本身并無(wú)影響。但是受工藝影響，成本較高。特別是高速數(shù)據(jù)線上用的TVS，需要的寄生容值越低，成本越高。A-TVS，采用電極間放電的...

半導(dǎo)體基類(lèi)型的ESD保護(hù)器件使用稱(chēng)為齊納二極管方法的機(jī)制。齊納二極管由P型半導(dǎo)體(電子不足的條件)和N型半導(dǎo)體(電子過(guò)剩的條件)的組合構(gòu)成。當(dāng)施加超過(guò)擊穿電壓的過(guò)電壓(ESD)時(shí)，硅基ESD保護(hù)器件利用該二極管的技術(shù)將電流傳遞到地。即使應(yīng)用范圍只限于日常生活中使用的電子和電氣設(shè)備，使用ESD保護(hù)器件的地方也非常多樣化。ESD保護(hù)器件在出廠時(shí)都需要通過(guò)測(cè)試，其測(cè)試規(guī)范包含在標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2之中。在測(cè)試時(shí)會(huì)在電路中包括150pF電容器和330Ω的內(nèi)部電阻，并且通過(guò)以2kV、4kV、6kV和8kV的順序放電四個(gè)ESD電壓，來(lái)評(píng)估產(chǎn)品的擊穿電阻，以了解這些器件的情況。ESD是由多個(gè)TVS晶...

一般，ESD 保護(hù)一般通過(guò)兩種途徑來(lái)實(shí)現(xiàn)，第一種方法是避免ESD 的發(fā)生；第二種方法則是通過(guò)片內(nèi)或片外集成內(nèi)部保護(hù)電路或?qū)ｉT(mén)用的ESD 保護(hù)器件，從而避免ESD 發(fā)生后將被保護(hù)器件損壞。避免ESD 的發(fā)生：避免ESD 發(fā)生的方法多出現(xiàn)于產(chǎn)品交付客戶以前，即研發(fā)、生產(chǎn)等過(guò)程。因?yàn)樵谶@些階段，IC、電路板等靜電敏感器件可能裸露在外（如生產(chǎn)工過(guò)程中的SMT 制程），IC 因ESD 而損壞的可能遠(yuǎn)大于有外殼保護(hù)的成品。一般而言，避免ESD 的方法可分為以下幾類(lèi)：Surround（包圍）：靜電敏感元器件都以抗靜電材料包裝，或使用有蓋的抗靜電容器儲(chǔ)放；而在靜電敏感區(qū)域（如SMT 制程）工作的人員，則還要穿...

一般，ESD 保護(hù)一般通過(guò)兩種途徑來(lái)實(shí)現(xiàn)，第一種方法是避免ESD 的發(fā)生；第二種方法則是通過(guò)片內(nèi)或片外集成內(nèi)部保護(hù)電路或?qū)ｉT(mén)用的ESD 保護(hù)器件，從而避免ESD 發(fā)生后將被保護(hù)器件損壞。避免ESD 的發(fā)生：避免ESD 發(fā)生的方法多出現(xiàn)于產(chǎn)品交付客戶以前，即研發(fā)、生產(chǎn)等過(guò)程。因?yàn)樵谶@些階段，IC、電路板等靜電敏感器件可能裸露在外（如生產(chǎn)工過(guò)程中的SMT 制程），IC 因ESD 而損壞的可能遠(yuǎn)大于有外殼保護(hù)的成品。一般而言，避免ESD 的方法可分為以下幾類(lèi)：Surround（包圍）：靜電敏感元器件都以抗靜電材料包裝，或使用有蓋的抗靜電容器儲(chǔ)放；而在靜電敏感區(qū)域（如SMT 制程）工作的人員，則還要穿...

ESD保護(hù)器件主要有滯回和非滯回兩類(lèi)，都需要滿足以下條件：（1）當(dāng)電路正常工作時(shí)，ESD保護(hù)器件必須處于關(guān)閉狀態(tài)，不影響電路功能和性能。（2）當(dāng)ESD沖擊到來(lái)時(shí)，ESD保護(hù)器件必須快速開(kāi)啟，以泄放沖擊大電流，快速鉗位到安全電壓。（3）當(dāng)ESD沖擊消失后，保護(hù)器件快速關(guān)斷，以防止電路進(jìn)入閂鎖狀態(tài)。ESD保護(hù)器件就像一位優(yōu)越而強(qiáng)健的保鏢，當(dāng)有危險(xiǎn)到來(lái)時(shí)，及時(shí)現(xiàn)身保護(hù)主人，當(dāng)危險(xiǎn)消失后，保鏢也就默默地走到一旁。（4）ESD保護(hù)器件自身能夠承受住外部沖擊。（5）ESD保護(hù)泄放通路的電阻必須足夠小，以使ESD沖擊電流不會(huì)通過(guò)內(nèi)部電路造成損傷。（6）占據(jù)盡可能小的芯片面積、低漏電流、高泄放能力等。ESD保...

ESD 保護(hù)器件選型要注意：鉗位電壓 VC：應(yīng)小于被保護(hù)電路至大可承受的瞬態(tài)安全電壓，VC 與 ESD的擊穿電壓及 IPP 都成正比。漏電流 IR：在通信線路及低功耗電路中，要特別關(guān)注 IR這個(gè)參數(shù)，IR越小ESD性能越好。結(jié)電容 C j：ESD 一般用于各類(lèi)通信端口靜電防護(hù)，在一些高速數(shù)據(jù)線路，如 USB3.0、HDMI等接口， 應(yīng)選擇結(jié)電容小的 ESD 器件，以避免影響信號(hào)質(zhì)量。極性：ESD 有單向和雙向之分，根據(jù)工作的信號(hào)進(jìn)行選擇，單極性的信號(hào)可以選擇單向的 ESD 或雙向的 ESD 器件， 雙極性的信號(hào)需選擇雙向的 ESD 器件。ESD 器件主要應(yīng)用于各類(lèi)通信接口的 ESD 保護(hù)，如 ...

ESD保護(hù)器件種類(lèi)包括Zener二極管、壓敏電阻(varistors），SCR(可控硅整流器）和TVS(瞬時(shí)電壓抑制器）等。其中，TVS應(yīng)用較廣，因?yàn)樗哂泻軓?qiáng)的電容和快速開(kāi)啟速度，保護(hù)內(nèi)部電路的能力。資料顯示，預(yù)計(jì)從2020年至2024年，全球ESD保護(hù)器件市場(chǎng)復(fù)合年均增長(zhǎng)率為5%。ESD原理和模型：當(dāng)兩個(gè)具有不同電荷的物體彼此靠近時(shí)，可能會(huì)形成靜電放電(ESD）脈沖。對(duì)于任何電子設(shè)備，ESD電流可能會(huì)造成不可逆轉(zhuǎn)的損壞。因此，ESD保護(hù)電路變得極為重要。由ESD保護(hù)器件組成的保護(hù)電路在ESD電流發(fā)生時(shí)，提供放電路徑，保護(hù)電子設(shè)備。電阻低的放電路徑允許電流通過(guò)，并將電壓鉗制在相對(duì)較低的水平，...

ESD 保護(hù)器件選型要注意：鉗位電壓 VC：應(yīng)小于被保護(hù)電路至大可承受的瞬態(tài)安全電壓，VC 與 ESD的擊穿電壓及 IPP 都成正比。漏電流 IR：在通信線路及低功耗電路中，要特別關(guān)注 IR這個(gè)參數(shù)，IR越小ESD性能越好。結(jié)電容 C j：ESD 一般用于各類(lèi)通信端口靜電防護(hù)，在一些高速數(shù)據(jù)線路，如 USB3.0、HDMI等接口， 應(yīng)選擇結(jié)電容小的 ESD 器件，以避免影響信號(hào)質(zhì)量。極性：ESD 有單向和雙向之分，根據(jù)工作的信號(hào)進(jìn)行選擇，單極性的信號(hào)可以選擇單向的 ESD 或雙向的 ESD 器件， 雙極性的信號(hào)需選擇雙向的 ESD 器件。ESD 器件主要應(yīng)用于各類(lèi)通信接口的 ESD 保護(hù)，如 ...

ESD保護(hù)器件的主要性能參數(shù)：1、較大工作電壓(MaxWorkingVoltage)，允許長(zhǎng)期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的電壓(有效值)，在此工作狀態(tài)下ESD器件不導(dǎo)通，保持高阻狀態(tài)，反向漏電流很小。2、擊穿電壓(BreakdownVoltage)，ESD器件開(kāi)始動(dòng)作(導(dǎo)通)的電壓。一般地，TVS管動(dòng)作電壓比壓敏電阻低。3、鉗位電壓(ClampingVoltage)，ESD器件流過(guò)峰值電流時(shí)，其兩端呈現(xiàn)的電壓，超過(guò)此電壓，可能造成ESD永遠(yuǎn)性損傷。4、漏電流(LeakageCurrent)，在指定的直流電壓(一般指不超過(guò)工作電壓)的作用下面，流過(guò)ESD器件的電流。一般地，TVS管的反向漏電流...

ESD對(duì)IC的損傷主要有兩類(lèi)，即大電流產(chǎn)生局部熱量、高電場(chǎng)損傷絕緣層，都會(huì)導(dǎo)致電路或者器件功能性能的異常。ESD保護(hù)的基本原理就是并聯(lián)保護(hù)器件，以此泄放大電流和鉗位高電壓，避免對(duì)內(nèi)部電路造成損傷。保護(hù)的原理已經(jīng)非常清楚，那么在具體實(shí)施過(guò)程中，一種方式是減少靜電的產(chǎn)生，例如靜電手套、指套、離子風(fēng)扇等中和靜電，這樣就減少了芯片受到的ESD威脅；另一種就是讓自身變得更加強(qiáng)大，既然無(wú)法避免強(qiáng)大靜電的產(chǎn)生，那么盡可能增強(qiáng)自身的抗ESD沖擊能力，這可以通過(guò)系統(tǒng)級(jí)和ESD保護(hù)器件來(lái)實(shí)現(xiàn)。ESD 保護(hù)器件選型要注意鉗位電壓 VC；河南ESD保護(hù)器件訂購(gòu)ESD保護(hù)器件的主要性能參數(shù)有哪些？電容(Capacita...

ESD保護(hù)器件TVS的ESD保護(hù)原理：許多集成電路(IC)都有一些可能比較敏感的輸入，這使得它們?cè)谳斎腚妷哼h(yuǎn)高于正常值的的情況下(例如在ESD應(yīng)力作用下)易于受損。正常工作電壓與使器件開(kāi)始受損的電壓之間的區(qū)域是安全過(guò)壓區(qū)。安全過(guò)壓區(qū)與器件受損區(qū)之間有少許交疊，因?yàn)槿绻^大的過(guò)壓?jiǎn)纬掷m(xù)極短時(shí)間，那么即使不是在安全過(guò)壓區(qū)，器件可能也可以承受。TVS的任務(wù)就是發(fā)生ESD事件時(shí)，將輸入電壓維持在安全過(guò)壓范圍之內(nèi)，而在正常工作時(shí)不影響系統(tǒng)性能。TVS器件被放置于鄰近ESD事件可能進(jìn)入系統(tǒng)的位置，旨在限制敏感節(jié)點(diǎn)處的電壓，并將電流引至不太敏感的節(jié)點(diǎn)，如地電平。為實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能，TVS必須在正常工作電壓范圍內(nèi)...

ESD TVS器件采用的技術(shù)主要有：壓敏電阻、聚合物和硅二極管，每種技術(shù)各有其獨(dú)特特性。1．金屬氧化物壓敏電阻(MOV)，壓敏電阻在小電流和低電壓下具有高阻抗，但在高電壓和大電流下，它們的阻抗大幅下降，因此它們屬于電壓箝位器件。壓敏電阻是雙向保護(hù)器件，具有很寬范圍的電流和電壓保護(hù)能力，適用從高壓輸電線路和雷電保護(hù)，到到小型ESD表面貼裝器件等應(yīng)用領(lǐng)域，。然而，相對(duì)于它們的導(dǎo)電率來(lái)說(shuō)，它們電容較大，這意味著它們?cè)诟咚傩盘?hào)線路保護(hù)方面的應(yīng)用受到限制。壓敏電阻在遭受多次應(yīng)力后，性能也會(huì)下降，即使遠(yuǎn)低于單次應(yīng)力導(dǎo)致的損壞等級(jí)。ESD保護(hù)器件的ESD是什么意思？四川ESD保護(hù)器件怎么樣ESD保護(hù)器件：T...

ESD 保護(hù)器件對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝要求更高，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，一般設(shè)計(jì)成多路PN 結(jié)集成結(jié)構(gòu)，采用多次外延、雙面擴(kuò)結(jié)或溝槽設(shè)計(jì)。ESD 保護(hù)器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護(hù)，表示著當(dāng)前TVS 的技術(shù)水平和發(fā)展方向。TVS/ESD 保護(hù)器件的應(yīng)用領(lǐng)域普遍，隨著在5G 基礎(chǔ)設(shè)施和5G 手機(jī)、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、個(gè)人電腦、工業(yè)電子等市場(chǎng)的推動(dòng)下，業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)TVS/ESD 保護(hù)器件將大幅度增長(zhǎng)。ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對(duì)于我們來(lái)說(shuō)是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象，然而對(duì)電子產(chǎn)品而言，ESD 往往是致命的——它可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至...

ESD靜電保護(hù)器件（TVS）的特點(diǎn)：1. ESD-TVS是一種鉗位型過(guò)壓保護(hù)器件，用于靜電防護(hù)及一些較低浪涌的防護(hù)；2. ESD-TVS電壓根據(jù)被保護(hù)IC 的工作電壓設(shè)計(jì)，如2.5V、2.8V、3.3V、5V、8V、12V、15V、24V、36V等；3. 電容低，目前可做到0.17pF，滿足10GMbps高速應(yīng)用，不影響數(shù)據(jù)通信質(zhì)量；4. 封裝小型化，封裝形式多樣化；ESD保護(hù)二極管選型指南：1）ESD靜電二極管的截止電壓高于該電路的至高工作電壓;2）峰值電流IPP和至大箝位電壓VC的選擇應(yīng)基于線路上可能出現(xiàn)的至大浪涌電流。需要注意的是，此時(shí)VC應(yīng)小于被保護(hù)芯片所能承受的至大峰值電壓;3）用于...

ESD保護(hù)器件的主要性能參數(shù)：1、較大工作電壓(MaxWorkingVoltage)，允許長(zhǎng)期連續(xù)施加在ESD保護(hù)器件兩端的電壓(有效值)，在此工作狀態(tài)下ESD器件不導(dǎo)通，保持高阻狀態(tài)，反向漏電流很小。2、擊穿電壓(BreakdownVoltage)，ESD器件開(kāi)始動(dòng)作(導(dǎo)通)的電壓。一般地，TVS管動(dòng)作電壓比壓敏電阻低。3、鉗位電壓(ClampingVoltage)，ESD器件流過(guò)峰值電流時(shí)，其兩端呈現(xiàn)的電壓，超過(guò)此電壓，可能造成ESD永遠(yuǎn)性損傷。4、漏電流(LeakageCurrent)，在指定的直流電壓(一般指不超過(guò)工作電壓)的作用下面，流過(guò)ESD器件的電流。一般地，TVS管的反向漏電流...

常用的ESD保護(hù)器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能夠瞬間進(jìn)入低阻態(tài)，故具有良好的電流泄放能力，可以作為ESD防護(hù)器件。在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見(jiàn)的器件。在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生Positive ESD Pulse時(shí)，Diode發(fā)生雪崩擊穿并釋放ESD電流，從而保護(hù)內(nèi)部電路不受ESD影響。但由于二極管完全通過(guò)雪崩擊穿釋放ESD電流，在大電流下器件的功耗很大，因此這種模式下二極管的抗ESD能力往往很低，器件的微分電阻也較大；而在VDD相對(duì)于VSS發(fā)生Negative ESD Pulse時(shí)，該Diode為正偏并釋放...

ESD保護(hù)器件的作用有哪些？ESD保護(hù)器件的作用：ESD保護(hù)器件在出廠時(shí)都需要通過(guò)測(cè)試，其測(cè)試規(guī)范包含在標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2之中。在測(cè)試時(shí)會(huì)在電路中包括150pF電容器和330Ω的內(nèi)部電阻，并且通過(guò)以2kV、4kV、6kV和8kV的順序放電四個(gè)ESD電壓，來(lái)評(píng)估產(chǎn)品的擊穿電阻，以了解這些器件的情況。ESD保護(hù)器件和對(duì)策組件的主要功能是使進(jìn)入器件的ESD能夠逃逸到地面，如果沒(méi)有保護(hù)裝置，則具有幾千伏電壓的ESD將直接應(yīng)用于內(nèi)部IC，這將對(duì)芯片帶來(lái)嚴(yán)重的影響。ESD形式與帶電體的幾何形狀、電壓和帶電體的材質(zhì)有關(guān)。蘇州ESD保護(hù)器件費(fèi)用ESD靜電保護(hù)器件（TVS）的特點(diǎn)：1. ESD-TVS...

ESD 保護(hù)器件對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝要求更高，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，一般設(shè)計(jì)成多路PN 結(jié)集成結(jié)構(gòu)，采用多次外延、雙面擴(kuò)結(jié)或溝槽設(shè)計(jì)。ESD 保護(hù)器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護(hù)，表示著當(dāng)前TVS 的技術(shù)水平和發(fā)展方向。TVS/ESD 保護(hù)器件的應(yīng)用領(lǐng)域普遍，隨著在5G 基礎(chǔ)設(shè)施和5G 手機(jī)、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、個(gè)人電腦、工業(yè)電子等市場(chǎng)的推動(dòng)下，業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)TVS/ESD 保護(hù)器件將大幅度增長(zhǎng)。ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對(duì)于我們來(lái)說(shuō)是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象，然而對(duì)電子產(chǎn)品而言，ESD 往往是致命的——它可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至...