先進(jìn)高超音速飛行器及航空發(fā)動(dòng)機(jī)性能的提高越發(fā)依賴(lài)于先進(jìn)材料、工藝及相關(guān)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用。傳統(tǒng)金屬材料因減重和耐溫空間有限，難滿(mǎn)足高推重比發(fā)動(dòng)機(jī)對(duì)高溫部件的需求，急需發(fā)展CMC–SiC復(fù)合材料等**性新型耐高溫結(jié)構(gòu)材料，而隨著飛行器速度及航空發(fā)動(dòng)機(jī)推重比的提高，必...

火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國(guó)***火星探測(cè)任務(wù)工程火星探測(cè)器*****孫澤洲介紹，為適應(yīng)火星的特殊環(huán)境，火星車(chē)將采用復(fù)合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充...

真空壓力浸滲法 工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機(jī)加（—表面處理） 工藝設(shè)備：真空壓力浸滲爐 工藝優(yōu)勢(shì)：1、可實(shí)現(xiàn)近凈成型加工，尤其是復(fù)雜的零件；2、組織致密度高，材料性...

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱(chēng)是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，采用鋁合金作為基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)...

一直以來(lái)，碳化硅（SiC）陶瓷憑借硬度高、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、高導(dǎo)熱、化學(xué)穩(wěn)定性好、抗熱震性能和抗氧化性能優(yōu)良等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)制造領(lǐng)域。多孔碳化硅陶瓷除了具備碳化硅陶瓷的以上特點(diǎn)外，其獨(dú)特的微觀多孔結(jié)構(gòu)使其在冶金、化工、環(huán)保和能源等領(lǐng)域擁有廣闊的...

（2）、增強(qiáng)體SiC與基體鋁浸潤(rùn)性差的問(wèn)題：增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)性差是鋁碳化硅材料制造的又一關(guān)鍵技術(shù)，基體對(duì)增強(qiáng)材料浸潤(rùn)性差，有時(shí)根本不發(fā)生潤(rùn)濕現(xiàn)象。該問(wèn)題主要解決方法：①、加入合金元素，優(yōu)化基體組分，改善基體對(duì)增強(qiáng)體的浸潤(rùn)性，常用的合金元素有：鎂、硅等；②、對(duì)...

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究員認(rèn)為的，隨著電子制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，***、二代材料越來(lái)越無(wú)法滿(mǎn)足當(dāng)代電子封裝的需求，以鋁碳化硅及鋁硅為**的第三代封裝材料已成為主流，國(guó)內(nèi)已于2013年實(shí)現(xiàn)了鋁碳化硅技術(shù)的突破，隨著新能源汽車(chē)的發(fā)展，國(guó)內(nèi)對(duì)鋁碳化硅復(fù)合材料的需求迅速增加，...

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開(kāi)發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特...

鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點(diǎn)，如何設(shè)計(jì)產(chǎn)品，才能在保障產(chǎn)品的可用性前提下盡量降低成本呢？下面羅列出一些設(shè)計(jì)原則，作為設(shè)計(jì)人員的參考（當(dāng)然，您也可以完全不必操心這些事情，把您的產(chǎn)品圖紙、用途和使用環(huán)境郵件發(fā)送給我們，我們會(huì)遵循鋁碳化硅的生產(chǎn)工藝原則，為您設(shè)...

碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料的簡(jiǎn)稱(chēng)，它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿(mǎn)足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、...

模板法 模板法是將陶瓷漿料或前驅(qū)物注入具有多孔結(jié)構(gòu)的模板材料，隨后通過(guò)一系列的處理便可得到與模板材料結(jié)構(gòu)相似的多孔陶瓷。模板法可分為2類(lèi)：一種是使用人工合成材料的有機(jī)泡沫浸漬法；另一種是使用自然生物作為模板材料的生物炭模板法。 ①有機(jī)泡沫浸漬法...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無(wú)壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得...

2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù)：由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性，其加工性能不如樹(shù)脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù)，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng)；增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)性差；增強(qiáng)材料在基體中的分布。 （1）、高溫...

在我國(guó)工業(yè)和信息化部于2019年印發(fā)的《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019年版）》中，收錄了鋁碳化硅復(fù)合材料，并對(duì)相關(guān)性能提出了明確要求：熱導(dǎo)率 W(m·k)室溫≥200抗彎折強(qiáng)度≥300MPa熱膨脹系數(shù) ppm/℃（RT～200℃）＜9 杭...

添加造孔劑法： 添加造孔劑法是指在原料中添加造孔劑，利用造孔劑在坯體中占據(jù)一定的空間，然后在升溫或燒結(jié)過(guò)程中，使造孔劑燃盡或揮發(fā)而在陶瓷體中留下孔隙來(lái)制備多孔陶瓷。其工藝與普通陶瓷工藝相似，關(guān)鍵在于造孔劑種類(lèi)和用量的選擇，以及在基料中的均勻分布性。 ...

熱工材料主要用作隔熱材料和換熱器隔熱材料是利用多孔陶瓷的高孔隙度（主要是閉孔）的隔熱作用換熱器則利用其巨大的孔隙度、大的熱交換面積，同時(shí)又具備耐熱耐蝕不污染等特性。 復(fù)合材料骨架材料SiC由于具有密度低、強(qiáng)度高和導(dǎo)熱性好等特點(diǎn)，使其成為一種常用的金屬...

目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質(zhì)金屬封裝材料,滿(mǎn)足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關(guān)部門(mén)調(diào)試重視。經(jīng)過(guò)近些年來(lái)研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展，相繼推動(dòng)高體分碳化硅與鋁合金的...

SiC因?yàn)榫邆涞蜔崤蛎浵禂?shù)、高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的高溫化學(xué)、力學(xué)穩(wěn)定性及高的水通量、生物兼容性而在陶瓷膜的發(fā)展過(guò)程中受到***關(guān)注。由于SiC是共價(jià)化合物，純SiC需要在2000℃左右才能完成燒結(jié)，這種制備方法燒結(jié)溫度過(guò)高，在實(shí)際生產(chǎn)中常通過(guò)添加低溫?zé)Y(jié)助劑的方式來(lái)...

更為引人注目的是，在20世紀(jì)90年代末，鋁碳化硅在大型客機(jī)上獲得正式應(yīng)用。普惠公司從PW4084發(fā)動(dòng)機(jī)開(kāi)始，將DWA公司生產(chǎn)的擠壓態(tài)顆粒增強(qiáng)變形鋁合金基復(fù)合材料（6092/SiC/17.5p-T6）作為風(fēng)扇出口導(dǎo)流葉片，用于所有采用PW4000系發(fā)動(dòng)機(jī)的波音7...

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預(yù)制件中，通過(guò)金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過(guò)程中，可在...

封裝金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種，SiC是其中應(yīng)用**為***的一種，這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技術(shù)成熟，價(jià)格相對(duì)較低；另一方面，顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性，**有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)(含量)及分布和粒度大小，...

鋁碳化硅復(fù)合材料雖然有很多優(yōu)點(diǎn)，但優(yōu)點(diǎn)有時(shí)就是缺點(diǎn)，如鋁碳化硅材料抗磨，可做賽車(chē)、飛機(jī)的剎車(chē)件，但會(huì)造成機(jī)加的成本非常高。那么，整體零件一次鑄造成形，就成了鋁碳化硅零件的生產(chǎn)特征之一。另外，因?yàn)殇X碳化硅的鑄造環(huán)境相當(dāng)**（普通的鑄造手段是無(wú)法把鋁液鑄造進(jìn)陶瓷之...

碳化硅多孔陶瓷預(yù)制體制備工藝技術(shù)主要研究?jī)?nèi)容包含：碳化硅顆粒級(jí)配粉料配置、碳化硅陶瓷顆粒表面改性、碳化硅陶瓷粉料混料、造粒、過(guò)篩、二次造粒、干壓、烘干排膠、燒結(jié)**部分。在技術(shù)方法和路線上采用添加造孔劑和粘結(jié)劑進(jìn)行壓制成型技術(shù)制備碳化硅預(yù)制型，采用低溫?zé)Y(jié)技術(shù)...

鋁碳化硅是目前金屬基復(fù)合材料中**常見(jiàn)、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料，采用Al合金作基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。鋁碳化硅研發(fā)較...

發(fā)泡成型法是將氣體或者可以通過(guò)后續(xù)處理產(chǎn)生氣體的物質(zhì)加入陶瓷坯體或前驅(qū)體，然后再經(jīng)過(guò)燒結(jié)得到多孔碳化硅陶瓷。與其他制備方法不同，發(fā)泡法是一種有效的制備閉孔陶瓷的工藝?；瘜W(xué)法是指多孔碳化硅陶瓷中的孔狀結(jié)構(gòu)是由無(wú)機(jī)鹽或添加的有機(jī)物質(zhì)分解或發(fā)生反應(yīng)之后，在原位置留下...

熔滲法是AlSiC制備的關(guān)鍵，一般分為有壓力滲透和無(wú)壓力滲透，前者根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點(diǎn)是需要真空和高壓設(shè)備，滲透時(shí)間較短，有效控制Al與SiC的界面反應(yīng)，同時(shí)與精度的模具相配套，獲得...

一直以來(lái)，碳化硅（SiC）陶瓷憑借硬度高、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)小、高導(dǎo)熱、化學(xué)穩(wěn)定性好、抗熱震性能和抗氧化性能優(yōu)良等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種先進(jìn)制造領(lǐng)域。多孔碳化硅陶瓷除了具備碳化硅陶瓷的以上特點(diǎn)外，其獨(dú)特的微觀多孔結(jié)構(gòu)使其在冶金、化工、環(huán)保和能源等領(lǐng)域擁有廣闊的...

隨著AlSiC復(fù)合材料在航空航天、汽車(chē)、***、電子、體育用具等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其制品的加工精和表面質(zhì)量的要求也越來(lái)越高，采用傳統(tǒng)的機(jī)械加工方法或單一的特種加工方法，都難以實(shí)現(xiàn)高標(biāo)準(zhǔn)的加工要求。這就要求在對(duì)AlSiC復(fù)合材料的機(jī)械切削加工、激光加工、超聲加工...

SiC陶瓷的優(yōu)異性能與其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)是密切相關(guān)的：SiC是共價(jià)鍵很強(qiáng)的化合物，SiC中Si-C鍵的離子性*12％左右。因此，SiC具有強(qiáng)度高、彈性模量大，具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會(huì)被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空...

AlSiC封裝材料產(chǎn)業(yè)化引起國(guó)內(nèi)科研院所、大學(xué)等單位的***重視，積極著手研發(fā)其凈成形工藝，部分單位研制成功樣品，為AlSiC工業(yè)化生產(chǎn)積累經(jīng)驗(yàn), 離規(guī)?；a(chǎn)尚有一定距離，存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位...