(3)、激光加工：目前國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)鋁基復(fù)合材料激光加工技術(shù)的研究主要集中在打孔、切割、劃線和型腔加工等方面。用自行研制的機(jī)械斬光盤調(diào)脈沖激光器切割試驗(yàn)表明，在高峰值能量、短脈沖寬度、高脈沖頻率和適當(dāng)?shù)钠骄β蕳l件下，采用高速多次重復(fù)走刀切割工藝，可以得到無裂紋...

碳化硼陶瓷是一種具有優(yōu)良性能的特種陶瓷，如高熔點(diǎn)、高硬度、低密度、耐磨性好、耐酸堿性強(qiáng)等特點(diǎn)，但由于其燒結(jié)溫度過高、難以致密化及韌性低等缺點(diǎn)，限制了它在工業(yè)上的廣泛應(yīng)用。 近年來，碳化硼-鋁復(fù)合材料的研究較為***，鋁原料來源***，價(jià)格便宜，與碳化...

碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的內(nèi)壁，可提高其耐磨性而延長(zhǎng)使用壽命1～2倍；用以制成的高級(jí)耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高，節(jié)能效果好。...

SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)述如下：碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。 硅、碳直接反應(yīng)法是對(duì)自蔓延高溫合成法的應(yīng)用,是以外加熱源點(diǎn)燃反應(yīng)物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學(xué)反應(yīng)熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有...

因此，碳化硼陶瓷的燒結(jié)工藝要盡量利用反應(yīng)過程中的化學(xué)驅(qū)動(dòng)力、微裂紋增韌等作用來達(dá)到既能降低碳化硼的燒結(jié)溫度又能提高制品的綜合性能的效果。陶瓷致密度越高，陶瓷晶粒越細(xì)，陶瓷整體的硬度就越高。而要想提高陶瓷材料的斷裂韌性，可以從細(xì)化晶粒、提高結(jié)構(gòu)均勻性、減少缺陷尺...

多孔陶瓷材料是以剛玉砂、碳化硅、堇青石等質(zhì)量原料為主料、經(jīng)過成型和特殊高溫?zé)Y(jié)工藝制備的一種具有開孔孔徑、高開口氣孔率的一種多孔性陶瓷材料、具有耐高溫，高壓、抗酸、堿和有機(jī)介質(zhì)腐蝕，良好的生物惰性、可控的孔結(jié)構(gòu)及高的開口孔隙率、使用壽命長(zhǎng)、產(chǎn)品再生性能好等優(yōu)點(diǎn)...

發(fā)泡法 發(fā)泡法是通過向陶瓷組分中添加有機(jī)或無機(jī)化學(xué)物質(zhì)作為發(fā)泡劑，在加熱處理時(shí)形成揮發(fā)性氣體，產(chǎn)生泡沫，經(jīng)干燥和燒成后制得碳化硅多孔陶瓷。在制備過程中，發(fā)泡劑選擇非常關(guān)鍵，通過調(diào)整發(fā)泡劑種類及陶瓷料漿中各成分比例，可控制制品的性能。 優(yōu)點(diǎn)包括：...

(4)、超聲加工： 超聲加工(USM)是指將超聲波和數(shù)控加工中心相互結(jié)合，在數(shù)控加工中心上由超聲發(fā)生器產(chǎn)生高頻電振蕩(一般為16kHz～25kHz)，施加于超聲換能器上，將高頻電振蕩轉(zhuǎn)換成超聲頻振動(dòng)。超聲振動(dòng)通過變幅桿放大振幅，并驅(qū)動(dòng)以一定的靜壓力壓...

1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線，供應(yīng)商開始提供商品化的碳化硅基。2001年德國(guó)Infineon公司推出SiC二極管產(chǎn)品，美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。在日本，羅姆、新日本無線及瑞薩電子等投產(chǎn)了SiC二極管...

有機(jī)泡沫浸漬法是利用有機(jī)泡沫作模板，將調(diào)制好的陶瓷漿料均勻涂覆在模板上或?qū)⒛０褰霛{料中，排除空氣，使?jié){料均勻附著在有機(jī)泡沫模板上，然后經(jīng)干燥高溫?zé)Y(jié)去除有機(jī)模板，從而制得多孔陶瓷的方法。該方法比較大的缺點(diǎn)則是無法制備出小孔徑閉口氣孔制品，形狀受限制且預(yù)制體的...

SiC因?yàn)榫邆涞蜔崤蛎浵禂?shù)、高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的高溫化學(xué)、力學(xué)穩(wěn)定性及高的水通量、生物兼容性而在陶瓷膜的發(fā)展過程中受到***關(guān)注。由于SiC是共價(jià)化合物，純SiC需要在2000℃左右才能完成燒結(jié)，這種制備方法燒結(jié)溫度過高，在實(shí)際生產(chǎn)中常通過添加低溫?zé)Y(jié)助劑的方式來...

3）、增強(qiáng)體SiC在基體中均勻分布的問題：按結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需求，使增強(qiáng)材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中，SiC顆粒的團(tuán)聚，以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項(xiàng)難點(diǎn)。該問題主要...

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產(chǎn)品時(shí)多采用熔滲法，其實(shí)質(zhì)是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強(qiáng)度的多孔碳化硅基體預(yù)制件，再滲以熔點(diǎn)比其低的金屬填充預(yù)制件，其理論基礎(chǔ)是在金屬液潤(rùn)濕多孔基體時(shí)，在...

多孔碳化硅陶瓷的特殊性能主要得益于其特殊的多孔結(jié)構(gòu)，它的多孔結(jié)構(gòu)包含氣孔率、孔徑大小及分布、孔的形狀等。因此需要通過制備方法來調(diào)控其孔隙率、孔徑大小及分布、孔的形狀來得到所需的多孔結(jié)構(gòu)。所以，它的制備方法一直是人們的研究重點(diǎn)。物理法是指多孔碳化硅陶瓷中的空隙是...

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達(dá)到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標(biāo)是消除熱結(jié)。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。銅基板具有良好的導(dǎo)熱能力，但銅的熱膨脹系...

1.直寫成型（DIW）：DIW 技術(shù)的打印原理是在計(jì)算機(jī)的輔助下，將具有高粘度的材料通過噴頭擠壓成長(zhǎng)絲，按照計(jì)算機(jī)輸出的模型橫截面進(jìn)行構(gòu)建，然后逐層“書寫”建立三維結(jié)構(gòu)，***將制得的預(yù)制件進(jìn)行熱解、燒結(jié)。DIW技術(shù)制備碳化硅陶瓷的優(yōu)點(diǎn)主要是簡(jiǎn)易、便宜、快捷，...

添加造孔劑法： 添加造孔劑法是指在原料中添加造孔劑，利用造孔劑在坯體中占據(jù)一定的空間，然后在升溫或燒結(jié)過程中，使造孔劑燃盡或揮發(fā)而在陶瓷體中留下孔隙來制備多孔陶瓷。其工藝與普通陶瓷工藝相似，關(guān)鍵在于造孔劑種類和用量的選擇，以及在基料中的均勻分布性。 ...

中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）：1、性能優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用方向：（1）、高微屈服強(qiáng)度：（35%～55%）光學(xué)儀表級(jí)鋁碳化硅的微屈強(qiáng)度服度可達(dá)（110～120）MPa水平，是國(guó)產(chǎn)真空熱壓鈹材的5倍，且無毒，可確保慣性導(dǎo)航系統(tǒng)中陀螺儀有效屏蔽小幅震動(dòng)，保證穩(wěn)...

(2)、銑磨加工技術(shù)： 目前，切削加工是AlSiC復(fù)合材料的主要加工方法，但在切削加工中存在刀具磨損嚴(yán)重和難以獲得良好加工表面質(zhì)量的問題。有研究提出了顆粒增強(qiáng)AlSiC復(fù)合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結(jié))在數(shù)控銑床上對(duì)工件...

作為結(jié)構(gòu)件或結(jié)構(gòu)-功能一體化構(gòu)件，中體分鋁碳化硅可用于我國(guó)高分辨率遙感衛(wèi)星的光機(jī)結(jié)構(gòu)。例如，在高分辨率遙感衛(wèi)星的詳查相機(jī)上，若采用這種高剛度、低膨脹的復(fù)合材料制作其空間光學(xué)反射鏡坯，不僅可近無余量地獲得整體性（無需連接）的復(fù)雜輕量化結(jié)構(gòu)，而且由于剛度高、韌性好...

鋁碳化硅在T/R組件中的應(yīng)用：本世紀(jì)初，美國(guó)的AlSiC年產(chǎn)量超過100萬件，T/ R模塊已經(jīng)由“磚”式封裝向很薄、邊長(zhǎng)5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發(fā)展，進(jìn)一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產(chǎn)生的熱量。歐洲防務(wù)公司、法、英、德聯(lián)合開發(fā)機(jī)載AESA及...

碳化硅（SiC）是目前發(fā)展**成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。 碳化硅顆粒增強(qiáng)的鋁...

碳化硅（SiC）是目前發(fā)展**成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。 碳化硅顆粒增強(qiáng)的鋁...

制備工藝與方法、碳化硅顆粒粒徑、體積分?jǐn)?shù)、配比、表面處理對(duì)碳化硅增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的熱力學(xué)性能有非常重要的影響。SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封...

碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。有機(jī)聚合物的高溫分解是制備碳化硅的有效技術(shù)：一類是加熱凝膠聚硅氧烷發(fā)生分解反應(yīng)放出小單體,**終形成SiO2和C,再由碳還原反應(yīng)制得SiC粉。另一類是加熱聚硅烷或聚碳硅烷放出小單體后生成骨架,**...

a、T/R模塊封裝：機(jī)載雷達(dá)天線安裝在飛機(jī)萬向支架上，采用機(jī)電方式掃描，其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)是從美國(guó)F-22開始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制，其探測(cè)距離下表所示：圖三機(jī)載雷達(dá)探測(cè)距離 APG-80捷變波束雷達(dá)、多功能機(jī)頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、...

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí)，*次于世界上**硬的金剛石（10級(jí)），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時(shí)能抗氧化。 碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破，...

真空壓力浸滲法 工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機(jī)加（—表面處理） 工藝設(shè)備：真空壓力浸滲爐 工藝優(yōu)勢(shì)：1、可實(shí)現(xiàn)近凈成型加工，尤其是復(fù)雜的零件；2、組織致密度高，材料性...