鋁碳化硅復(fù)合材料雖然有很多優(yōu)點(diǎn)，但優(yōu)點(diǎn)有時(shí)就是缺點(diǎn)，如鋁碳化硅材料抗磨，可做賽車、飛機(jī)的剎車件，但會(huì)造成機(jī)加的成本非常高。那么，整體零件一次鑄造成形，就成了鋁碳化硅零件的生產(chǎn)特征之一。另外，因?yàn)殇X碳化硅的鑄造環(huán)境相當(dāng)**（普通的鑄造手段是無(wú)法把鋁液鑄造進(jìn)陶瓷之...

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，因其具有高比強(qiáng)度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強(qiáng)度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導(dǎo)熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學(xué)性能和物理性能，被用于電子封裝構(gòu)件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領(lǐng)域...

添加造孔劑法： 添加造孔劑法是指在原料中添加造孔劑，利用造孔劑在坯體中占據(jù)一定的空間，然后在升溫或燒結(jié)過程中，使造孔劑燃盡或揮發(fā)而在陶瓷體中留下孔隙來制備多孔陶瓷。其工藝與普通陶瓷工藝相似，關(guān)鍵在于造孔劑種類和用量的選擇，以及在基料中的均勻分布性。 ...

鋁碳化硼中子吸收材料主要由兩相組成：鋁合金作為基體，而碳化硼作為功能相均勻的分布在基體中：不同的鋁合金由于其物理、力學(xué)性能、抗腐蝕性能的不同，可以根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)合選用；碳化硼的含量直接核熱中子吸收能力強(qiáng)弱有很大的關(guān)系，所以其質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì)于產(chǎn)品喲很重要的i意義。碳...

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強(qiáng)度，復(fù)合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)， 由此決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預(yù)制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特...

2、高體分鋁碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導(dǎo)體封裝材料，已率先實(shí)現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路...

在熱壓燒結(jié)過程中致密化的三種連續(xù)機(jī)制: 粒子重排，開口氣孔率降低，閉口氣孔率保持不變(溫度范圍：1800～1950℃)；塑性流動(dòng)，導(dǎo)致開口氣孔率的關(guān)閉，而不會(huì)對(duì)閉口氣孔產(chǎn)生***影響(1950～2100℃)；熱壓結(jié)束時(shí)的體積擴(kuò)散和氣孔消除(2100～...

鋁碳化硅材料成型制造技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)：鋁碳化硅的材料成型方法還在不斷改進(jìn)和發(fā)展，高效、低成本、批量生產(chǎn)的方法仍需研究開發(fā)，這將關(guān)系到鋁碳化硅材料的廣泛應(yīng)用和發(fā)展。當(dāng)前，現(xiàn)代制造技術(shù)的發(fā)展為鋁碳化硅復(fù)合材料的制備從理論研究到具體應(yīng)用提供了有力的保證。計(jì)算機(jī)技術(shù)、現(xiàn)...

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學(xué)對(duì)準(zhǔn)非常關(guān)鍵的復(fù)雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關(guān)鍵的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)部分無(wú)需額外的加工，保證光電器件的對(duì)接，降低成本。此外，AlSiC有優(yōu)良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優(yōu)化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。 AlSi...

鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)看，AlSiC可實(shí)現(xiàn)低成本的、無(wú)需進(jìn)一...

目前加入的添加劑主要包括金屬單質(zhì)(Fe、Al、Ni、Ti、Cu、Cr等)、金屬氧化物(Al2O3、TiO2等)、過渡金屬碳化物(CrC、VC、WC、TiC等)及其他添加劑(AlF3、MgF2、Be2C、Si等)。添加劑通過它本身或與碳化硼發(fā)生原位反應(yīng)，將形成一...

在國(guó)內(nèi)外常用的眾多防彈陶瓷材料中，碳化硼（B4C）由于密度比較低，彈性模量較高，硬度高，使其成為***裝甲和空間領(lǐng)域材料方面炙手可熱的良好選擇，目前已廣泛應(yīng)用于防彈衣、防彈裝甲、武裝直升機(jī)以及警、民用特種車輛等防護(hù)領(lǐng)域。目前碳化硼防彈材料主要通過燒結(jié)法制備。純...

中子吸收材料又稱中子毒物材料，是通過其含有的大量的中子吸收截面物質(zhì)（如硼、鎘、釓等）吸收熱中子，從而抑制核裂變鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，主要用于核燃料與乏燃料貯存和運(yùn)輸中，以保證貯運(yùn)的次臨界安全。 碳化硼增強(qiáng)鋁（B4C/Al）復(fù)合材料中子吸收材料是由B4C顆粒添加到...

5、鋁碳化硅材料制機(jī)械加工技術(shù)介紹： 鋁碳化硅材料，尤其是高體分鋁碳化硅機(jī)械加工是產(chǎn)品制造中的難點(diǎn)環(huán)節(jié)，主要體現(xiàn)在鋁碳化硅的高耐磨，以及加工周期長(zhǎng)等方面。 （1）、傳統(tǒng)機(jī)械加工技術(shù)：SiC增強(qiáng)體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質(zhì)合金刀具)的硬...

2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù)：由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù)，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng)；增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)性差；增強(qiáng)材料在基體中的分布。 （1）、高溫...

在熱壓燒結(jié)過程中致密化的三種連續(xù)機(jī)制: 粒子重排，開口氣孔率降低，閉口氣孔率保持不變(溫度范圍：1800～1950℃)；塑性流動(dòng)，導(dǎo)致開口氣孔率的關(guān)閉，而不會(huì)對(duì)閉口氣孔產(chǎn)生***影響(1950～2100℃)；熱壓結(jié)束時(shí)的體積擴(kuò)散和氣孔消除(2100～...

在強(qiáng)碳-硅共價(jià)鍵作用下，SiC多孔陶瓷具有機(jī)械強(qiáng)度大，耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點(diǎn)，其在高溫?zé)煔獬龎m、水處理和氣體分離等方面有著***的應(yīng)用前景，而且與氧化物陶瓷膜和有機(jī)膜相比，SiC有著更優(yōu)異的抗污染性能。然而，SiC陶瓷燒結(jié)溫度高，純質(zhì)SiC燒結(jié)溫度通常...

多孔陶瓷是指經(jīng)過特殊成型和高溫?zé)Y(jié)工藝制備的一種具有較多孔洞的無(wú)機(jī)非金屬材料。具有耐高溫、開口孔隙率高、比表面積大、孔結(jié)構(gòu)可控等特點(diǎn)，因而在吸附、分離、過濾、分散、滲透、換熱隔熱、吸聲、隔音、催化載體、傳感以及生物醫(yī)學(xué)等方面都有著***的應(yīng)用。商業(yè)化的多孔...

立體光刻（SLA）：SLA 技術(shù)是目前商用效果比較好的陶瓷 3D 打印技術(shù)，常用于制備高精度、復(fù)雜形狀的陶瓷材料。 SLA 打印原理是采用陶瓷粉體、光固化樹脂以及添加劑（如光引發(fā)劑、稀釋劑等）均勻混合成打印漿料，保持漿料的固含量在 50% 以上以保證經(jīng)脫粘、燒...

中子吸收材料又稱中子毒物材料，通過其含有的大的中子吸收截面物質(zhì)（如硼、鎘、釓等）吸收熱中子，從而抑制核裂變鏈?zhǔn)椒磻?yīng)，主要用于核燃料與乏燃料貯存和運(yùn)輸中，以保證貯運(yùn)的次臨界安全。碳化硼增強(qiáng)鋁（B4C/Al）中子吸收材料是由B4C顆粒添加到鋁基體中形成的一種新型鋁...

發(fā)泡法 發(fā)泡法是通過向陶瓷組分中添加有機(jī)或無(wú)機(jī)化學(xué)物質(zhì)作為發(fā)泡劑，在加熱處理時(shí)形成揮發(fā)性氣體，產(chǎn)生泡沫，經(jīng)干燥和燒成后制得碳化硅多孔陶瓷。在制備過程中，發(fā)泡劑選擇非常關(guān)鍵，通過調(diào)整發(fā)泡劑種類及陶瓷料漿中各成分比例，可控制制品的性能。 優(yōu)點(diǎn)包括：...

為了滿足新型航空航天器熱端部件如高超音速飛行器頭錐、翼前緣及航空發(fā)動(dòng)機(jī)等愈加苛刻的服役環(huán)境，需要發(fā)展更長(zhǎng)壽命、耐更高溫度和結(jié)構(gòu)功能一體化的超高溫陶瓷基復(fù)合材料。目前，世界范圍內(nèi)研究**多、應(yīng)用**成功和*****的便是碳化硅陶瓷基復(fù)合材料。與硼化物涂層相比，硅...

顆粒堆積法制備多孔碳化硅陶瓷不需要添加額外的造孔劑，工藝簡(jiǎn)單，而且過程也比較容易控制。但是采用該方法制備的多孔陶瓷氣孔率普遍較低，孔的形狀、孔徑以及氣孔率的高低主要受原料顆粒的形狀、粒徑大小和分布、以及燒結(jié)程度決定。冷凍干燥法是將陶瓷骨料與適量分散劑或結(jié)合劑作...

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，采用鋁合金作為基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)...

核燃料可分為金屬型、陶瓷型和彌散型，外面敷以鋁合金、鎂合金、鋯合金以及不銹鋼等包殼材料。燃料芯塊的表面必須機(jī)械磨光，以保證與包殼材料的配合。核電站的反應(yīng)堆堆芯裝有100多個(gè)這樣的核燃料組件，總重量達(dá)幾十噸。B4C/A1復(fù)合材料具有良好的中子屏蔽性能、力學(xué)性能及...

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料，采用鋁合金作為基體，按設(shè)計(jì)要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強(qiáng)體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)...

一、核反應(yīng)堆工作原理目前的核電站產(chǎn)生熱能的原理和**的原理是一樣的，都是靠核裂變產(chǎn)生能量，根據(jù)愛因斯坦的質(zhì)能方程：E=MC2將質(zhì)量轉(zhuǎn)變?yōu)槟芰?。其主要過程為：含鈾的核原料發(fā)生裂變產(chǎn)生的熱量經(jīng)水或者熔鹽或氦氣通過熱交換器傳給液態(tài)水，液態(tài)水加熱后轉(zhuǎn)化為具有一定壓...

2、防中子核電站用屏蔽組件B4C具有密度小、硬度高、強(qiáng)度高、耐磨損、耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，將B4C粉體加入少量的助劑燒結(jié)為B4C塊體和板材可以用于核反應(yīng)堆的屏蔽組件。 目前，快中子反應(yīng)堆普遍采用不同10B富集度的熱壓燒結(jié)B4C芯塊作為中子吸收材...

SiC陶瓷的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)述如下：碳化硅粉體的制備技術(shù)就其原始原料狀態(tài)分為固相合成法和液相合成法。 硅、碳直接反應(yīng)法是對(duì)自蔓延高溫合成法的應(yīng)用,是以外加熱源點(diǎn)燃反應(yīng)物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學(xué)反應(yīng)熱來自行維持合成過程。除引燃外無(wú)需外部熱源,具有...

常見方法有顆粒堆積法、冷凍干燥法、溶膠凝膠法等，近年來興起的3D打印技術(shù)也可以用來直接打印制備出多孔結(jié)構(gòu)。顆粒堆積燒結(jié)法是**為簡(jiǎn)單的制備多孔碳化硅陶瓷的方法。該法的原理是利用陶瓷顆粒自身的燒結(jié)性能，在不同的SiC顆粒間形成燒結(jié)頸，從而使得顆粒堆積體形成多孔陶...