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previadeliberacióndelConsejodeMinistrosensureunióndeldía28dediciembrede1995,DISPONGO:ArtículoúónTécnicaComplementariaMI-IP04?I...

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于提供高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機(jī)...

負(fù)的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征，上述氧化物膜推薦包含sio2，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序，能夠使上述氮化物膜去除工序中發(fā)生的副反應(yīng)氧化物的...

鋁蝕刻液是鋁蝕刻液STM-AL100。根據(jù)查詢(xún)相關(guān)信息顯示：鋁蝕刻液STM-AL100是一款專(zhuān)為蝕刻鋁目的去設(shè)計(jì)的化學(xué)品，STM-AL100的組成有主要蝕刻化學(xué)品，添加劑，輔助化學(xué)品，對(duì)于控制蝕刻均勻以及穩(wěn)定的蝕刻速率一定的效果，在長(zhǎng)效性的表現(xiàn)上更是無(wú)話可說(shuō)....

內(nèi)嵌觀察窗402通過(guò)觀察窗翻折滾輪401內(nèi)嵌入裝置內(nèi)部，工作人員可通過(guò)內(nèi)嵌的透明窗對(duì)內(nèi)部的制備狀況進(jìn)行實(shí)時(shí)查看，從而很好的體現(xiàn)了該裝置的實(shí)時(shí)性。推薦的，鹽酸裝罐7的頂端嵌入連接有熱水流入漏斗9，在進(jìn)行制備時(shí)需要向鹽酸裝罐7內(nèi)倒入一定比例的熱水進(jìn)行均勻調(diào)...

引線框架的腐蝕是如何生產(chǎn)的呢？引線框架的材料主要是電子銅帶，常見(jiàn)在引線框架中通過(guò)亮鎳、錫和錫鉛鍍層下進(jìn)行鍍鎳完成保護(hù)金屬材料的目的，在材質(zhì)過(guò)程中42合金引線相對(duì)來(lái)說(shuō)容易發(fā)生應(yīng)力-腐蝕引發(fā)的裂紋。為了保障引線框架的優(yōu)異的導(dǎo)電性和散熱性，處理方式通過(guò)電鍍銀、片...

伸縮桿12下端固定安裝有圓環(huán)塊13，圓環(huán)塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14，分隔板2與承載板3相互垂直設(shè)置，電解池4內(nèi)部底端的傾斜角度設(shè)計(jì)為5°，進(jìn)液管8的形狀設(shè)計(jì)為l型，且進(jìn)液管8貫穿分隔板2設(shè)置在進(jìn)液漏斗6與伸縮管9之間，圓環(huán)塊13通過(guò)伸縮桿...

本實(shí)用涉及蝕刻設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種ito蝕刻液制備裝置。背景技術(shù)：蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)，蝕刻技術(shù)分為濕蝕刻和干蝕刻，其中，濕蝕刻是采用化學(xué)試劑，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)達(dá)到蝕刻的目的，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器(tft～lcd)、...

所述液體入口1處設(shè)有減壓閥12，所述蒸汽出口5處設(shè)有真空泵13、除霧組件3及除沫組件4，所述除霧組件3用于過(guò)濾分離器中閃蒸的蒸汽中的含銅液體，所述除沫組件4用于將經(jīng)除霧組件3除霧的氣體進(jìn)行除沫。含銅蝕刻液在加熱器11中進(jìn)行加熱，達(dá)到閃蒸要求的溫度，輸送...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯(lián)劑本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯(lián)劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時(shí)使用。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦使上述硅烷系偶聯(lián)劑的...

其中輸送裝置借由至少一呈順時(shí)針?lè)较蜣D(zhuǎn)動(dòng)的滾輪帶動(dòng)基板由噴灑裝置的下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀的下端部的方向移動(dòng)。如上所述的蝕刻方法，其中風(fēng)刀裝置分別借由一設(shè)置于該輸送裝置的上端部的***風(fēng)刀與一設(shè)置于該輸送裝置的下端部的第二風(fēng)刀朝向基板的上表面與下表...

從蝕刻速度及安全性的觀點(diǎn)來(lái)看，推薦為40℃至70℃，更推薦為45℃至55℃。處理時(shí)間視對(duì)象物的表面狀態(tài)及形狀等而變化，通常為30秒至120秒左右。實(shí)施例然后，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例與比較例一起進(jìn)行說(shuō)明。此外，本發(fā)明并非限定于下述實(shí)施例而解釋。制備表1及表2所...

很好的對(duì)注入量進(jìn)行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的整體示意圖；圖2為本實(shí)用新型的a處放大示意圖；圖3為本實(shí)用新型的b處放大示意圖；圖4為本實(shí)用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，...

且過(guò)濾部件能將內(nèi)部的過(guò)濾板進(jìn)行拆卸更換，有效的提高了裝置連接安裝的便利性。2.高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，連接構(gòu)件，連接構(gòu)件設(shè)置在攪拌倉(cāng)的底部，連接構(gòu)件與攪拌倉(cāng)固定連接，連接構(gòu)件能將裝置主體內(nèi)部的兩個(gè)構(gòu)件進(jìn)行連接并固定，且在將兩構(gòu)件進(jìn)行連接或...

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于提供高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：高蝕刻速率無(wú)殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機(jī)...

提高反應(yīng)體系的穩(wěn)定性。當(dāng)體系中加入過(guò)氧化氫后有助于提高過(guò)氧化氫的穩(wěn)定性，避免由于過(guò)氧化氫分解而引發(fā)的，提高生產(chǎn)的安全性。具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例用于更加清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來(lái)限制本發(fā)明...

推薦的，所述制備裝置主體的兩端緊密貼合有防燙隔膜。推薦的，所述高效攪拌裝置是由內(nèi)部頂部中間部位的旋轉(zhuǎn)搖勻轉(zhuǎn)盤(pán)，內(nèi)部頂部?jī)蓚?cè)的震蕩彈簧件，震蕩彈簧件頂端的運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組，運(yùn)轉(zhuǎn)電機(jī)組頂端的控制面板，內(nèi)部中間部位的致密防腐桿和致密防腐桿內(nèi)部?jī)?nèi)側(cè)的攪動(dòng)孔共同組合而...

將裝置主體1內(nèi)部的蝕刻液進(jìn)行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：對(duì)于這類(lèi)的回收處理裝置，首先將蝕刻液倒入進(jìn)液漏斗6并由過(guò)濾網(wǎng)7過(guò)濾到進(jìn)液管8中，之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時(shí)，啟動(dòng)液壓缸11帶動(dòng)伸縮桿12向上移動(dòng)，從而通過(guò)圓環(huán)塊13配合連接桿...

所述制備裝置主體的內(nèi)部中間部位活動(dòng)連接有高效攪拌裝置，所述制備裝置主體的一側(cè)中間部位嵌入連接有翻折觀察板，所述制備裝置主體的底端固定連接有裝置底座，所述裝置底座的內(nèi)部底部固定連接有成品罐，所述裝置底座的頂端一側(cè)固定連接有鹽酸裝罐，所述裝置底座的頂端另一...

更推薦滿(mǎn)足。參照?qǐng)D4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時(shí)間變長(zhǎng)而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿(mǎn)足區(qū)間)...

本發(fā)明涉及一種用來(lái)在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術(shù)：以往，在蝕刻鈦時(shí)一直使用含有氫氟酸或過(guò)氧化氫的蝕刻液。例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來(lái)在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由...

該擋液板結(jié)構(gòu)10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其主要特征在于：該第二擋板12具有復(fù)數(shù)個(gè)貫穿該第二擋板12且錯(cuò)位設(shè)置的宣泄孔121。該***擋板11與該第二擋板12呈正交設(shè)置，且...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯(lián)劑本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯(lián)劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時(shí)使用。上述硅烷系偶聯(lián)劑推薦使上述硅烷系偶聯(lián)劑的...

裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲(chǔ)罐21，裝置主體1的內(nèi)部中間部位固定連接有連接構(gòu)件11，裝置主體1的內(nèi)部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構(gòu)件11的內(nèi)側(cè)固定連接有過(guò)濾部件9，裝置主體1的內(nèi)部底端另一側(cè)固定連接有收集倉(cāng)8，收集倉(cāng)8的...

618光電行業(yè)ITO**蝕刻液,專(zhuān)門(mén)針對(duì)氧化銦錫(ITO)玻璃導(dǎo)電薄膜鍍層圖線的脫膜蝕刻,它對(duì)于高阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃導(dǎo)電膜(PET-ITO)都且有優(yōu)良的蝕刻速度與效果。具有速度快、側(cè)蝕小、無(wú)沉淀、氣味小、不攻擊抗蝕層,不...

在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內(nèi)的情況下，能夠調(diào)節(jié)添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導(dǎo)體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以...

按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹?，一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品，按照性質(zhì)劃分可分為：酸類(lèi)、堿類(lèi)、有機(jī)溶劑類(lèi)和其他類(lèi)。酸類(lèi)包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等...

本實(shí)用新型涉及光刻膠生產(chǎn)設(shè)備，具體是一種光刻膠廢剝離液回收裝置。背景技術(shù)：光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，其是由溶劑、感光樹(shù)脂、光引發(fā)劑和添加劑四種成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，進(jìn)行光化...

圖3是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖二，其離子注入步驟。圖4是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖三，其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖四，其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖五，其...