TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）布局注意事項(xiàng)：ESD保護(hù)二極管位置影響ESD保護(hù)性能。ESD保護(hù)二極管靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)。在來(lái)自連接器的電路板走線分支成ESD保護(hù)二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護(hù)二極管（包括GND）串聯(lián)的走線電感降至比較低。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號(hào)走線并行。特別是，避免ESD抗擾度低的器件電路板走線與可能受ESD事件影響的電路板走線并行。TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的***比較大額定值，ESD保護(hù)二極管比較大額定值指最大允許電流、電壓、功耗和其他電氣特性。電路設(shè)計(jì)中，為了獲得ESD保護(hù)二極管比較好性能并且保持器件目標(biāo)工作壽命周期的可靠性...

ESD保護(hù)二極管考慮到要保護(hù)的信號(hào)線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護(hù)二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動(dòng)的未調(diào)制數(shù)字信號(hào)（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負(fù)的無(wú)偏壓模擬信號(hào)。雙向ESD保護(hù)二極管可用于高于和低于GND范圍的信號(hào)，如下圖所示。（單向和雙向二極管均可用于電壓*為正或*為負(fù)的信號(hào)。)在發(fā)生ESD沖擊時(shí)，ESD電流同時(shí)流入ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護(hù)器件的電流（即增加分流到ESD保護(hù)二極管的電流）是十分重要的。盡量減少ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)線路以及GND之間的串聯(lián)走線電感。深圳標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)...

當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過(guò)pn結(jié)。電場(chǎng)造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過(guò)pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場(chǎng)加速，獲得較大動(dòng)能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致電子進(jìn)一步脫離的過(guò)程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。采用多級(jí)保護(hù)電路，可以有效地提高保護(hù)效果。常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR08D3BL型號(hào)近期價(jià)格 E...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時(shí)，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（E(g)）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。此外，隨著溫度升高，半導(dǎo)體晶格振動(dòng)增加，載流子遷移率相應(yīng)下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請(qǐng)注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。星河微ESD靜電保護(hù)二極管...

SR18D3BL是一款18V的ESD保護(hù)二極管，峰值脈沖電流為5A。該型號(hào)的主要特點(diǎn)是具有低電容和快速響應(yīng)速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。因此，SR18D3BL適用于需要高速響應(yīng)和低電容的應(yīng)用場(chǎng)景，如USB接口、HDMI接口、以太網(wǎng)接口等。SR24D3BL是一款24V的ESD保護(hù)二極管，其峰值脈沖電流為5A。相較于SR18D3BL，SR24D3BL的電壓等級(jí)更高，因此適用于需要更高電壓保護(hù)的應(yīng)用場(chǎng)景，如電源線、電池充電器等。SR12D3BL是一款12V的ESD保護(hù)二極管，其峰值脈沖電流為5A。該型號(hào)的主要特點(diǎn)是具有低電容和快速響應(yīng)速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。不要將...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管2，然后反向流過(guò)二極管3，因?yàn)槎O管3的VBR低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5（a）所示時(shí)，ESD電流不會(huì)反向流過(guò)二極管1和二極管2。因此，這個(gè)電路整體上提高了ESD...

保護(hù)二極管:保護(hù)二極管用作浪涌保護(hù)電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過(guò)大時(shí)導(dǎo)通。穩(wěn)壓二極管:當(dāng)小電流（I(Z)）從陰極（K）流到陽(yáng)極（A）時(shí)，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（V(Z)）。可用功率受二極管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的基本工作原理：ESD保護(hù)二極管插在信號(hào)線與GND之間，保護(hù)受保護(hù)器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒(méi)有ESD浪涌情況），除極少量電流（I(R)）流過(guò)二極管使其反向擊穿電壓（V(BR)）高于信號(hào)線電壓之外，幾乎沒(méi)有電流流過(guò)ESD保護(hù)二極管。當(dāng)高于反向擊穿電壓 （V(BR)）的浪涌電壓進(jìn)入信號(hào)線時(shí)，E...

低鉗位電壓（V(C)）和***峰值電壓：采用IEC 61000-4-2規(guī)定ESD波形時(shí)，高低鉗位電壓（V(C)）ESD保護(hù)二極管的波形效果。這些波形采集于受保護(hù)器件（DUP）輸入端。具有低V(C )的ESD保護(hù)二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高V(C)的ESD保護(hù)二極管。ESD波形曲線下的面積越小，受保護(hù)器件（DUP）受到的損壞越小。因此，具有低V(C)的ESD保護(hù)二極管可提供更好的ESD脈沖保護(hù)。此外，一些ESD保護(hù)二極管在ESD進(jìn)入后不會(huì)立即響應(yīng)。因此，如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護(hù)二極管的V(C)，則可能施加到受保護(hù)器件，造成故障或破壞。ESD保護(hù)二...

ESD保護(hù)二極管在醫(yī)療監(jiān)護(hù)儀、手術(shù)器械、診斷設(shè)備等醫(yī)療設(shè)備中有廣泛應(yīng)用。醫(yī)療設(shè)備中的電子部件同樣需要保護(hù)，以防止靜電放電對(duì)設(shè)備性能和患者安全造成影響。在這些領(lǐng)域，設(shè)備對(duì)可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護(hù)二極管能夠確保設(shè)備在極端環(huán)境下不受靜電放電的干擾。ESD保護(hù)二極管適用于任何需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。隨著電子設(shè)備的普及和應(yīng)用的不斷拓展，ESD保護(hù)二極管的應(yīng)用范圍也將越來(lái)越***適用于各種需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。在PCB布局時(shí)，應(yīng)將ESD保護(hù)二極管靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)放置，如靠近連接器。廣州星河微/SReleicsESD保護(hù)二極管SR12D3BL型號(hào)...

在電子設(shè)備中，ESD保護(hù)二極管通常被放置在容易受到靜電放電沖擊的部位，如集成電路的接口處。當(dāng)帶有電荷的物體（如人類）靠近或接觸這些接口時(shí)，ESD電流會(huì)釋放在PCB上，對(duì)電路造成損害。而ESD保護(hù)二極管則能將這部分電流引向地面，從而保護(hù)系統(tǒng)免受損害。ESD保護(hù)二極管分為雙向和單向兩種類型。雙向二極管具有正負(fù)對(duì)稱的I-V曲線和工作電壓、擊穿電壓，可以支持正負(fù)信號(hào)。而單向二極管則只能支持正向信號(hào)，不過(guò)相比雙向而言，單向二極管對(duì)于負(fù)壓的保護(hù)更好。在選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求來(lái)選擇合適的類型。SR15D3BL和SR18D3BL是常見(jiàn)的ESD保護(hù)二極管，具有響應(yīng)速度...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管2，然后反向流過(guò)二極管3，因?yàn)槎O管3的VBR低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5（a）所示時(shí)，ESD電流不會(huì)反向流過(guò)二極管1和二極管2。因此，這個(gè)電路整體上提高了ESD...

ESD保護(hù)二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理：?jiǎn)蜗蚝碗p向ESD保護(hù)二極管可吸收正負(fù)ESD脈沖。TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的選型指南，選擇正確的ESD保護(hù)二極管，請(qǐng)注意第3節(jié)介紹的主要電氣特性。保持被保護(hù)信號(hào)的質(zhì)量 。信號(hào)線電壓 根據(jù)被保護(hù)信號(hào)線的最大電壓，選擇具有相應(yīng)反向擊穿電壓（V(BR)）或工作峰值反向電壓（V(RWM)）的ESD保護(hù)二極管。信號(hào)極性：跨GND電平信號(hào)（如模擬信號(hào)），使用雙向ESD保護(hù)二極管。信號(hào)速度根據(jù)被保護(hù)信號(hào)線的比較大頻率，選擇總電容（C(T)）合適的的ESD保護(hù)二極管。 ESD靜電保護(hù)二極管已應(yīng)用于多個(gè)客戶的電子設(shè)備中，如手機(jī)...

等效電路及優(yōu)點(diǎn)：正常工作期間ESD保護(hù)二極管通常放在信號(hào)線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當(dāng)電容器。由于它們的電容和信號(hào)線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護(hù)二極管會(huì)造成插入損耗（I(L)），降低信號(hào)質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號(hào)質(zhì)量）。浪涌電壓情況下 當(dāng)浪涌或外部噪聲通過(guò)連接器進(jìn)入系統(tǒng)時(shí)，對(duì)后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護(hù)二極管。沒(méi)有ESD保護(hù)二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護(hù)二極管，大部分浪涌電流通過(guò)它們分流到GND。ESD保護(hù)二極管動(dòng)態(tài)電阻（R(dyn)）表示...

ESD保護(hù)二極管電容為0.12pF至100pF。浪涌保護(hù)齊納二極管具有寬結(jié)，以便吸收大量浪涌能量。這類二極管的總電容為100pF至600pF，適用于雷電感應(yīng)和開(kāi)關(guān)浪涌的保護(hù)。表1.2顯示ESD保護(hù)二極管和浪涌保護(hù)齊納二極管適用于不同類型過(guò)壓浪涌脈沖：保護(hù)二極管（ESD保護(hù)二極管和浪涌保護(hù)齊納二極管）與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別：保護(hù)二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護(hù)二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護(hù)二極管專門(mén)用于保護(hù)電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導(dǎo)通。壽命測(cè)試：確保二極管在長(zhǎng)期使用中保持穩(wěn)定的性能。新型ESD保護(hù)二極管SR24D3...

ESD保護(hù)二極管是一種用于抑制靜電感應(yīng)和瞬時(shí)過(guò)壓的半導(dǎo)體器件，在電路中起到了關(guān)鍵的保護(hù)作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通信設(shè)備以及工業(yè)控制設(shè)備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的一部分。ESD保護(hù)二極管的工作原理基于其內(nèi)部的PN結(jié)結(jié)構(gòu)。當(dāng)外部電壓超過(guò)二極管的額定電壓時(shí)，PN結(jié)會(huì)被擊穿，形成導(dǎo)電通道，將靜電放電的能量導(dǎo)入地面，從而保護(hù)電路元件免受損壞。在靜電放電結(jié)束后，二極管會(huì)自動(dòng)恢復(fù)高阻態(tài)，防止電流流過(guò)，確保電路的正常運(yùn)行。在高速信號(hào)傳輸線路中，如 USB 接口ESD 保護(hù)二極管可以防止靜電...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時(shí)，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（Eg）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。此外，隨著溫度升高，半導(dǎo)體晶格振動(dòng)增加，載流子遷移率相應(yīng)下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請(qǐng)注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管：在...

ESD保護(hù)二極管動(dòng)態(tài)電阻與流入受保護(hù)器件的電流： 如何計(jì)算ESD保護(hù)二極管的動(dòng)態(tài)電阻（R(DYN)），以及ESD電擊時(shí)浪涌電流的流向。如果ESD保護(hù)二極管阻抗（即動(dòng)態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過(guò)ESD保護(hù)二極管分流到地（GND），從而減少流入受保護(hù)器件的電流。因此，ESD保護(hù)二極管有助于防止手保護(hù)啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試用于納秒級(jí)寬度短脈沖，根據(jù)隨時(shí)間變化的電流-電壓關(guān)系可研究二極管的電流-電壓（I-V）特性。下圖中，TLP I和TLP V分別**電流和電壓。電源端口：電源端口是靜電放電的常見(jiàn)入口，ESD保護(hù)二極管在這里發(fā)揮著重要作用。深圳新型ES...

選擇保證ESD性能高于系統(tǒng)ESD抗擾度要求的ESD保護(hù)二極管。但請(qǐng)注意，ESD保護(hù)二極管的ESD性能通常與其總電容成正比。選擇電氣額定值高于峰值脈沖功率和峰值脈沖電流要求的ESD保護(hù)二極管。ESD保護(hù)二極管靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)。ESD保護(hù)二極管靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號(hào)走線并行。特別是，避免ESD抗擾度低的器件電路板走線與可能受ESD事件影響的電路板走線并行。ESD保護(hù)二極管比較大額定值指最大允許電流、電壓、功耗和其他電氣特性。電路設(shè)計(jì)中，為了獲得ESD保護(hù)二極管比較好性能并且保持器件目標(biāo)工作壽命周期的可靠性，了解比較大額定值至關(guān)重要。為保證ES...

ESD保護(hù)二極管適用于各種電子設(shè)備，包括半導(dǎo)體工業(yè)、集成電路、分立器件、計(jì)算機(jī)電路、通訊設(shè)備和雷達(dá)設(shè)備等。半導(dǎo)體工業(yè)與集成電路：在芯片生產(chǎn)、組裝和運(yùn)輸過(guò)程中，ESD保護(hù)二極管能夠有效防止靜電對(duì)芯片的損害。通訊設(shè)備與雷達(dá)設(shè)備：在天線罩的金屬屏蔽層中使用ESD保護(hù)二極管，可以保護(hù)設(shè)備免受靜電放電的影響。電子儀器儀表：在精密電位差計(jì)、高精度的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)發(fā)生器等需要精確測(cè)量的場(chǎng)合，ESD保護(hù)二極管能夠確保測(cè)量的準(zhǔn)確性。電子設(shè)備中的電容器與濾波器：作為電容器元件或抗干擾濾波器，ESD保護(hù)二極管能夠抑制共模干擾等不利因素。壽命測(cè)試：確保二極管在長(zhǎng)期使用中保持穩(wěn)定的性能。星河微/SReleicsE...

TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）布局注意事項(xiàng)：ESD保護(hù)二極管位置影響ESD保護(hù)性能。ESD保護(hù)二極管靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)。在來(lái)自連接器的電路板走線分支成ESD保護(hù)二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護(hù)二極管（包括GND）串聯(lián)的走線電感降至比較低。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號(hào)走線并行。特別是，避免ESD抗擾度低的器件電路板走線與可能受ESD事件影響的電路板走線并行。TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的***比較大額定值，ESD保護(hù)二極管比較大額定值指最大允許電流、電壓、功耗和其他電氣特性。電路設(shè)計(jì)中，為了獲得ESD保護(hù)二極管比較好性能并且保持器件目標(biāo)工作壽命周期的可靠性...

在發(fā)生ESD沖擊時(shí)，ESD電流同時(shí)流入ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護(hù)器件的電流（即增加分流到ESD保護(hù)二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護(hù)二極管數(shù)據(jù)表含有動(dòng)態(tài)電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向?qū)Ｊ较耉(F)–I(F)曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊，給定電壓下，低動(dòng)態(tài)電阻ESD保護(hù)二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護(hù)二極管阻抗（即動(dòng)態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過(guò)ESD保護(hù)二極管分流，減少流入受保護(hù)器件的電流，從而降低損壞的可能性。 當(dāng)靜電電壓達(dá)到...

指接觸放電ESD容限，即通過(guò)與受保護(hù)器件直接接觸放電。ESD容限是根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法和ESD波形測(cè)量的。規(guī)定的VESD值是測(cè)試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測(cè)器件（EUT）與放電槍之間通過(guò)空氣層放電。IEC 61000-4-2規(guī)定了試驗(yàn)方法和ESD波形。PPK是ESD保護(hù)二極管本身?yè)p壞之前可以分流的比較大浪涌功率。圖6.1顯示使用8／20μs脈沖波形測(cè)量的峰值脈沖功率。(8／20μs表示波形上升到100%需要8μs，從100%下降到50%需要20μs。)醫(yī)療設(shè)備對(duì)靜電敏感，ESD保護(hù)二極管用于保護(hù)精密的電子元件。定制ESD...

ESD保護(hù)二極管是一種基于PN結(jié)的半導(dǎo)體器件，其工作原理是在正常工作條件下呈現(xiàn)高阻抗?fàn)顟B(tài)，而在靜電放電事件中，能夠迅速導(dǎo)通并將電荷釋放到地線，從而保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電的損害。當(dāng)外部接口電壓超過(guò)ESD二極管的擊穿電壓時(shí)，二極管開(kāi)始起作用，將電流分流到地，防止電壓超過(guò)內(nèi)部電路的承受能力。ESD保護(hù)二極管具有快速響應(yīng)能力，能夠在極短的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通并釋放靜電能量。由于其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和工作原理，ESD保護(hù)二極管能夠提供可靠的保護(hù)，防止電子設(shè)備因靜電放電而受損。ESD 保護(hù)二極管可以在靜電放電瞬間迅速導(dǎo)通，將靜電電流引導(dǎo)到地，從而保護(hù)電子設(shè)備中的敏感元件。深圳定制ESD保護(hù)二極管SR12D3B...

在電子設(shè)備中，ESD保護(hù)二極管通常被放置在容易受到靜電放電沖擊的部位，如集成電路的接口處。當(dāng)帶有電荷的物體（如人類）靠近或接觸這些接口時(shí)，ESD電流會(huì)釋放在PCB上，對(duì)電路造成損害。而ESD保護(hù)二極管則能將這部分電流引向地面，從而保護(hù)系統(tǒng)免受損害。ESD保護(hù)二極管分為雙向和單向兩種類型。雙向二極管具有正負(fù)對(duì)稱的I-V曲線和工作電壓、擊穿電壓，可以支持正負(fù)信號(hào)。而單向二極管則只能支持正向信號(hào)，不過(guò)相比雙向而言，單向二極管對(duì)于負(fù)壓的保護(hù)更好。在選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景和需求來(lái)選擇合適的類型。ESD二極管能在極短時(shí)間內(nèi)響應(yīng)靜電放電事件，防止過(guò)高的電壓進(jìn)入電路。廣東...

EAP配置中低電容ESD保護(hù)二極管：它由三個(gè)二極管組成：低電容二極管1和二極管2（電容分別為C(1)和C(2)）和高電容二極管3（電容為C(3)）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積小，反向擊穿電壓（V(BR)）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（V(BR)）。加到陽(yáng)極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過(guò)二極管2，然后反向流過(guò)二極管3，因?yàn)槎O管3的V(BR)低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5（a）所示時(shí)...

SR08D3BL型號(hào)和SR12D3BL型號(hào)的優(yōu)勢(shì)也有所不同。SR08D3BL型號(hào)的優(yōu)勢(shì)在于其響應(yīng)速度快，可以在納秒級(jí)別內(nèi)響應(yīng)ESD事件，有效保護(hù)電路。此外，SR08D3BL型號(hào)的封裝體積小，適合在空間受限的電路中使用。而SR12D3BL型號(hào)的優(yōu)勢(shì)在于其電壓容忍度高，可以在更高的電壓下工作，同時(shí)其ESD保護(hù)效果也非常好。無(wú)論是SR08D3BL型號(hào)還是SR12D3BL型號(hào)，它們都具有以下優(yōu)點(diǎn)：一是響應(yīng)速度快，可以在納秒級(jí)別內(nèi)響應(yīng)ESD事件，保護(hù)電路；二是具有低電容和低電感，不會(huì)對(duì)電路的高頻性能產(chǎn)生影響；三是具有良好的ESD保護(hù)效果，可以很好地保護(hù)電路免受靜電放電的損害。采用多級(jí)保護(hù)電路，可以有效地...

等效電路及優(yōu)點(diǎn)：正常工作期間ESD保護(hù)二極管通常放在信號(hào)線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當(dāng)電容器。由于它們的電容和信號(hào)線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護(hù)二極管會(huì)造成插入損耗（I(L)），降低信號(hào)質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號(hào)質(zhì)量）。浪涌電壓情況下 當(dāng)浪涌或外部噪聲通過(guò)連接器進(jìn)入系統(tǒng)時(shí)，對(duì)后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護(hù)二極管。沒(méi)有ESD保護(hù)二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護(hù)二極管，大部分浪涌電流通過(guò)它們分流到GND。ESD保護(hù)二極管動(dòng)態(tài)電阻（R(dyn)）表示...

在發(fā)生ESD沖擊時(shí)，ESD電流同時(shí)流入ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護(hù)器件的電流（即增加分流到ESD保護(hù)二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護(hù)二極管數(shù)據(jù)表含有動(dòng)態(tài)電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向?qū)Ｊ较耉(F)–I(F)曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊，給定電壓下，低動(dòng)態(tài)電阻ESD保護(hù)二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護(hù)二極管阻抗（即動(dòng)態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過(guò)ESD保護(hù)二極管分流，減少流入受保護(hù)器件的電流，從而降低損壞的可能性。 DW05DLC...

工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備和汽車電子：在這些領(lǐng)域中，傳感器廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備和系統(tǒng)中，其接口暴露在外界環(huán)境中，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護(hù)二極管可以保護(hù)這些傳感器接口，確保傳感器能夠在惡劣環(huán)境中可靠工作。例如，在觸摸屏設(shè)備中，ESD保護(hù)二極管可以保護(hù)觸摸控制器免受靜電放電的損害，保證觸摸屏的正常功能。消費(fèi)電子設(shè)備：現(xiàn)代消費(fèi)電子設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦、智能手表等，集成了大量的精密電子元件。這些設(shè)備的接口和按鍵區(qū)域很容易受到靜電放電的侵害。使用ESD保護(hù)二極管能夠有效防止靜電放電對(duì)設(shè)備內(nèi)部電路的損壞，延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命，提高用戶體驗(yàn)。SR15D3BL和SR18D3BL的電容和...

由于ESD保護(hù)二極管反向連接，正常工作時(shí)，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。因此，ESD保護(hù)二極管正常工作時(shí)不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，以下三個(gè)注意事項(xiàng)適用于正常工作狀態(tài)：ESD保護(hù)二極管反向擊穿電壓（VBR）是否充分高于被保護(hù)信號(hào)線的振幅（最大電壓）ESD保護(hù)二極管總電容（CT）相對(duì)于受保護(hù)信號(hào)線的頻率是否足低，信號(hào)極性（即信號(hào)電壓是否像模擬信號(hào)一樣跨GND電位），當(dāng)靜電放電（ESD）進(jìn)入系統(tǒng)時(shí)，ESD保護(hù)二極管要么導(dǎo)通，要么反向擊穿。單向ESD保護(hù)二極管通過(guò)正ESD電擊時(shí)反向擊穿，負(fù)ESD電擊時(shí)導(dǎo)通吸收ESD能量。ESD保護(hù)...