電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負(fù)值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當(dāng)于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護(hù)二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸?shù)男盘?，?pF電容的ESD保護(hù)二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時(shí)，二極管因pn結(jié)（p:p型半導(dǎo)體，n:n型半導(dǎo)體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但...

ESD保護(hù)二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當(dāng)電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護(hù)二極管會造成插入損耗（IL），降低信號質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質(zhì)量）。當(dāng)浪涌或外部噪聲通過連接器進(jìn)入系統(tǒng)時(shí)，對后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護(hù)二極管。沒有ESD保護(hù)二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護(hù)二極管，大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護(hù)二極管動態(tài)電阻（Rdyn）表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動態(tài)電流ES...

電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負(fù)值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當(dāng)于5GHz的頻率）的情況下，電容?。?.1pF至0.3pF）的ESD保護(hù)二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸?shù)男盘?，?pF電容的ESD保護(hù)二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時(shí)，二極管因pn結(jié)（p:p型半導(dǎo)體，n:n型半導(dǎo)體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但...

電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負(fù)值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當(dāng)于5GHz的頻率）的情況下，電容?。?.1pF至0.3pF）的ESD保護(hù)二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸?shù)男盘?，?pF電容的ESD保護(hù)二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時(shí)，二極管因pn結(jié)（p:p型半導(dǎo)體，n:n型半導(dǎo)體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但...

使用不同類型保護(hù)二極管（ESD保護(hù)二極管和用于過壓保護(hù)的齊納二極管）ESD保護(hù)二極管是一種齊納二極管，專門用來保護(hù)電路免受過壓浪涌，特別是靜電放電（ESD）事件的影響。ESD保護(hù)二極管主要用于ESD短脈沖，以及脈沖寬度幾微秒以下的雷電感應(yīng)和開關(guān)浪涌保護(hù)。專門用于脈沖寬度大于ESD浪涌保護(hù)的齊納二極管，稱為浪涌保護(hù)齊納二極管。這些齊納二極管適用于雷電感應(yīng)和開關(guān)浪涌引起的、脈沖寬度大于幾微秒的過壓脈沖電路保護(hù)。ESD保護(hù)二極管專門用于過壓浪涌，特別是ESD放電電路保護(hù)，而不會影響信號線波形。星河微ESD靜電保護(hù)二極管可在各種環(huán)境下工作，包括高溫、低溫、高濕度、低濕度等條件下。深圳標(biāo)準(zhǔn)E...

ESD保護(hù)二極管總電容（C(T)）相對于受保護(hù)信號線的頻率是否足夠低：圖3.3顯示ESD保護(hù)二極管的等效電路。二極管在正常工作期間不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)交界面形成耗盡層，如圖3.3所示。耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護(hù)信號線頻率的基礎(chǔ)上，正確選擇ESD保護(hù)二極管，否則信號質(zhì)量會下降。圖3.4顯示了總電容（C(T)）分別為5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保護(hù)二極管插入損耗特性。電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負(fù)值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當(dāng)于5GHz的頻率）的情況下，電容?。?.1p...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個(gè)型號的區(qū)別主要在于電壓等級的不同。同時(shí)，它們都具有低電容和快速響應(yīng)速度的特點(diǎn)，能夠有效保護(hù)電子設(shè)備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，需要根據(jù)具體應(yīng)用場景來選擇合適的型號，以達(dá)到保護(hù)效果。在使用ESD保護(hù)二極管時(shí)，還需要注意以下幾點(diǎn)：正確安裝：ESD保護(hù)二極管應(yīng)正確安裝在需要保護(hù)的信號線上，以確保其能夠有效地工作。合理布局：在電路設(shè)計(jì)中，應(yīng)合理布局ESD保護(hù)二極管，以避免信號線之間的干擾。SRV05-4：可用于 VGA 模擬視頻輸出接口的靜電保護(hù)。廣州星河微/SReleicsESD保護(hù)二極管SR24D3BL型號多少...

TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態(tài)（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護(hù)二極管反向連接，正常工作時(shí)，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護(hù)二極管正常工作時(shí)不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，以下三個(gè)注意事項(xiàng)適用于正常工作狀態(tài)：正常工作狀態(tài)（無ESD事件）的主要特性。ESD保護(hù)二極管反向擊穿電壓（V(BR)）是否充分高于被保護(hù)信號線的振幅（最大電壓），ESD保護(hù)二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（V(BR)）時(shí)，漏電流增加。電壓接近V(BR)時(shí)，漏電流可能使保護(hù)信號線的波形失真。反向電流（I(R)）...

當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場加速，獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對，導(dǎo)致電子進(jìn)一步脫離的過程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。低成本：ESD靜電保護(hù)管的成本相對較低，可在各種電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用。深圳新型ESD保護(hù)二極管SR12D3...

ESD保護(hù)二極管是一種基于PN結(jié)的半導(dǎo)體器件，其工作原理是在正常工作條件下呈現(xiàn)高阻抗?fàn)顟B(tài)，而在靜電放電事件中，能夠迅速導(dǎo)通并將電荷釋放到地線，從而保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電的損害。當(dāng)外部接口電壓超過ESD二極管的擊穿電壓時(shí)，二極管開始起作用，將電流分流到地，防止電壓超過內(nèi)部電路的承受能力。ESD保護(hù)二極管具有快速響應(yīng)能力，能夠在極短的時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通并釋放靜電能量。由于其獨(dú)特的設(shè)計(jì)和工作原理，ESD保護(hù)二極管能夠提供可靠的保護(hù)，防止電子設(shè)備因靜電放電而受損。盡量減少ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)線路以及GND之間的串聯(lián)走線電感。新型ESD保護(hù)二極管SR12D3BL型號售價(jià) 由于ESD...

保護(hù)二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護(hù)二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護(hù)二極管專門用于保護(hù)電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導(dǎo)通。保護(hù)二極管用作浪涌保護(hù)電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)小電流（IZ）從陰極（K）流到陽極（A）時(shí)，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（VZ）?？捎霉β适芏O管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。ESD保護(hù)二極管插在信號線與GND之間，保護(hù)受保護(hù)器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒有ESD浪涌情況），除極少量電流（IR）流過二極管使其反向擊穿電壓（VBR）高于信號線電壓之外，...

ESD保護(hù)二極管適用于各種電子設(shè)備，包括半導(dǎo)體工業(yè)、集成電路、分立器件、計(jì)算機(jī)電路、通訊設(shè)備和雷達(dá)設(shè)備等。半導(dǎo)體工業(yè)與集成電路：在芯片生產(chǎn)、組裝和運(yùn)輸過程中，ESD保護(hù)二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設(shè)備與雷達(dá)設(shè)備：在天線罩的金屬屏蔽層中使用ESD保護(hù)二極管，可以保護(hù)設(shè)備免受靜電放電的影響。電子儀器儀表：在精密電位差計(jì)、高精度的標(biāo)準(zhǔn)信號發(fā)生器等需要精確測量的場合，ESD保護(hù)二極管能夠確保測量的準(zhǔn)確性。電子設(shè)備中的電容器與濾波器：作為電容器元件或抗干擾濾波器，ESD保護(hù)二極管能夠抑制共模干擾等不利因素。根據(jù)客戶的需求和設(shè)備的特點(diǎn)，可以設(shè)計(jì)合適的ESD靜電保護(hù)二極管的應(yīng)用方案。...

TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態(tài)（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護(hù)二極管反向連接，正常工作時(shí)，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護(hù)二極管正常工作時(shí)不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護(hù)二極管時(shí)，以下三個(gè)注意事項(xiàng)適用于正常工作狀態(tài)：正常工作狀態(tài)（無ESD事件）的主要特性。ESD保護(hù)二極管反向擊穿電壓（V(BR)）是否充分高于被保護(hù)信號線的振幅（最大電壓），ESD保護(hù)二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（V(BR)）時(shí)，漏電流增加。電壓接近V(BR)時(shí)，漏電流可能使保護(hù)信號線的波形失真。反向電流（I(R)）...

***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應(yīng)力超過規(guī)定的額定值，器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此，應(yīng)注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調(diào)整過程中應(yīng)力可能高于比較大額定值、環(huán)境溫度變化、輸入信號波動等情況。應(yīng)考慮的主要額定值包括ESD保護(hù)二極管的ESD容限、峰值脈沖功率、結(jié)溫和存儲溫度。這些參數(shù)相互關(guān)聯(lián)，不能單獨(dú)考慮。它們還取決于外部電路條件。盡管***比較大額定值通常規(guī)定的環(huán)境溫度（Ta）為25°C，但有些規(guī)定參數(shù)溫度條件不同。醫(yī)療設(shè)備對靜電敏感，ESD保護(hù)二極管用于保護(hù)精密的電子元件。廣東標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR08...

ESD保護(hù)二極管是一種齊納二極管。當(dāng)二極管反向偏置時(shí)，有很少的電流從陰極流向陽極。然而，當(dāng)反向偏壓超過某一點(diǎn)（稱為反向擊穿電壓）時(shí)，反向電流突然增加。隨著反向偏壓增加，無論二極管流過的電流大小，二極管都會形成恒定電壓區(qū)域。利用齊納二極管擊穿電壓（齊納電壓）特性可以構(gòu)成恒壓穩(wěn)壓器，抑制浪涌電壓。齊納穩(wěn)壓二極管用于保持恒定電壓，而ESD保護(hù)二極管用于吸收ESD能量，保護(hù)電路。反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。ESD二極管可以用于保護(hù)直流電源線和交流電源線，避免靜電放電對電源管理IC和其他關(guān)鍵電源電路的影響。標(biāo)準(zhǔn)ESD保護(hù)二極管SR08D3BL近期價(jià)格 esd二級保護(hù)管在選型...

低動態(tài)電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護(hù)二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護(hù)二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時(shí)，漏電流增加。電壓接近VBR時(shí)，漏電流可能使保護(hù)信號線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電壓（VR）成指數(shù)增長。選擇VRWM高于被保護(hù)信號線振幅的ESD保護(hù)二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導(dǎo)通。此時(shí)，pn結(jié)交界面形成耗盡層，耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護(hù)信號線頻率的基礎(chǔ)上，正確選擇ESD保護(hù)二極管，否則信號質(zhì)量會下降。電源端口：電源端口是靜電放電的常見入口，ESD保護(hù)二極管在這里發(fā)揮著重要作用。廣東E...

ESD保護(hù)二極管是一種用于抑制靜電感應(yīng)和瞬時(shí)過壓的半導(dǎo)體器件，在電路中起到了關(guān)鍵的保護(hù)作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通信設(shè)備以及工業(yè)控制設(shè)備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的一部分。ESD保護(hù)二極管的工作原理基于其內(nèi)部的PN結(jié)結(jié)構(gòu)。當(dāng)外部電壓超過二極管的額定電壓時(shí)，PN結(jié)會被擊穿，形成導(dǎo)電通道，將靜電放電的能量導(dǎo)入地面，從而保護(hù)電路元件免受損壞。在靜電放電結(jié)束后，二極管會自動恢復(fù)高阻態(tài)，防止電流流過，確保電路的正常運(yùn)行。易于集成：ESD靜電保護(hù)管可以與其他電子元器件集成在一起，方便設(shè)計(jì)和...

ESD保護(hù)二極管在醫(yī)療監(jiān)護(hù)儀、手術(shù)器械、診斷設(shè)備等醫(yī)療設(shè)備中有廣泛應(yīng)用。醫(yī)療設(shè)備中的電子部件同樣需要保護(hù)，以防止靜電放電對設(shè)備性能和患者安全造成影響。在這些領(lǐng)域，設(shè)備對可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護(hù)二極管能夠確保設(shè)備在極端環(huán)境下不受靜電放電的干擾。ESD保護(hù)二極管適用于任何需要防止靜電放電對電子設(shè)備造成損害的場合。隨著電子設(shè)備的普及和應(yīng)用的不斷拓展，ESD保護(hù)二極管的應(yīng)用范圍也將越來越***適用于各種需要防止靜電放電對電子設(shè)備造成損害的場合。ESD二極管可以有效保護(hù)USB、HDMI、Ethernet接口，防止靜電放電造成的電壓瞬變對內(nèi)部電路的破壞。廣州ESD保護(hù)二極管SR15...

電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負(fù)值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當(dāng)于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護(hù)二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸?shù)男盘?，?pF電容的ESD保護(hù)二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時(shí)，二極管因pn結(jié)（p:p型半導(dǎo)體，n:n型半導(dǎo)體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但...

ESD保護(hù)二極管數(shù)據(jù)表含有動態(tài)電阻（RDYN）。RDYN是反向?qū)Ｊ较耉F–IF曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊，給定電壓下，低動態(tài)電阻ESD保護(hù)二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護(hù)二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護(hù)二極管分流，減少流入受保護(hù)器件的電流，從而降低損壞的可能性。如果ESD保護(hù)二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護(hù)二極管分流到地（GND），從而減少流入受保護(hù)器件的電流。因此，ESD保護(hù)二極管有助于防止手保護(hù)啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖（TLP）測試...

SR12D3BL型號的主要特點(diǎn)如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電流，能有效保護(hù)電路免受靜電放電的影響。低反向漏電流，不會對電路產(chǎn)生過大的影響。SR12D3BL型號適用于需要保護(hù)的電路電壓在12V以下的場景，如LED燈、電子秤、電子鐘等小型電子設(shè)備。SR18D3BL、SR24D3BL和SR12D3BL是三種常見的ESD保護(hù)二極管型號，它們在結(jié)構(gòu)、參數(shù)和使用場景上有所不同。選擇合適的ESD保護(hù)二極管型號可以很好的保護(hù)電路免受靜電放電的影響，延長電子設(shè)備的使用壽命。星河微ESD靜電保護(hù)二極管具有高性價(jià)比，可以幫助用戶降低運(yùn)營成本，提升設(shè)備的可靠性延長設(shè)備的使用壽命。廣東新型ESD...

指接觸放電ESD容限，即通過與受保護(hù)器件直接接觸放電。ESD容限是根據(jù)國際電工委員會（IEC）IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法和ESD波形測量的。規(guī)定的VESD值是測試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測器件（EUT）與放電槍之間通過空氣層放電。IEC 61000-4-2規(guī)定了試驗(yàn)方法和ESD波形。PPK是ESD保護(hù)二極管本身損壞之前可以分流的比較大浪涌功率。圖6.1顯示使用8／20μs脈沖波形測量的峰值脈沖功率。(8／20μs表示波形上升到100%需要8μs，從100%下降到50%需要20μs。)靜電放電測試：模擬靜電放電事件，測試二極管的響應(yīng)時(shí)間和保護(hù)能力。廣東標(biāo)...

SR18D3BL型號是一種18V的ESD保護(hù)二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。該型號采用SOD-323封裝，體積小、重量輕，適合用于小型電子設(shè)備中。SR18D3BL型號的主要特點(diǎn)如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電流，能有效保護(hù)電路免受靜電放電的影響，低反向漏電流，不會對電路產(chǎn)生過大的影響。SR18D3BL型號適用于需要保護(hù)的電路電壓在18V以下的場景，如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MP3等小型電子設(shè)備。SR24D3BL型號是一種24V的ESD保護(hù)二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。星河微ESD靜電保護(hù)二極管可以在各種環(huán)境下工作，包括高溫、低...

總電容由二極管結(jié)電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結(jié)電容。反向偏置時(shí)，二極管因pn結(jié)（p:p型半導(dǎo)體，n:n型半導(dǎo)體）形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓（V(BR)），但任何一種方式都會導(dǎo)致ESD抗擾度下降。當(dāng)兩個(gè)二極管串聯(lián)時(shí)，它們的組合電容減小。此外，二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容（C(t)）ESD保護(hù)二極管采用ESD二極管陣列工藝（EAP）制造，多個(gè)二極管組合在一起減小電容，不影響ESD抗擾度。ESD二極...

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，為了進(jìn)一步提高ESD防護(hù)能力，通常會將ESD保護(hù)二極管與GCNMOS（Gate-Controlled NMOS）結(jié)合使用。這種組合可以形成更加完善的ESD防護(hù)網(wǎng)絡(luò)，提高電路的抗靜電放電能力。為了滿足高密度安裝需求，ESD保護(hù)二極管通常采用SMD（Surface Mount Device，表面貼裝器件）封裝形式。這種封裝形式具有體積小、重量輕、安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備中常用的封裝形式之一。在評估ESD保護(hù)二極管的性能時(shí)，需要關(guān)注其擊穿電壓、鉗位電壓、寄生電容等參數(shù)。此外，還需要進(jìn)行TLP（Transmission Line Pulse，傳輸線脈沖）測試等實(shí)...

保護(hù)二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護(hù)二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護(hù)二極管專門用于保護(hù)電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導(dǎo)通。保護(hù)二極管用作浪涌保護(hù)電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)小電流（IZ）從陰極（K）流到陽極（A）時(shí)，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（VZ）?？捎霉β适芏O管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。ESD保護(hù)二極管插在信號線與GND之間，保護(hù)受保護(hù)器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒有ESD浪涌情況），除極少量電流（IR）流過二極管使其反向擊穿電壓（VBR）高于信號線電壓之外，...

應(yīng)用場景SR15D3BL和SR18D3BL廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。它們可以用于保護(hù)電路中的各種元器件，如芯片、傳感器、電容器等，有效地保護(hù)電路免受ESD事件的影響，提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。結(jié)論綜上所述，SR15D3BL和SR18D3BL是兩種常見的ESD保護(hù)二極管，具有響應(yīng)速度快、低電容和低電感、良好的ESD保護(hù)效果等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)具體的需求選擇合適的型號，以確保電子設(shè)備的正常運(yùn)行和穩(wěn)定性。盡量減少ESD保護(hù)二極管和受保護(hù)線路以及GND之間的串聯(lián)走線電感。廣州ESD保護(hù)二極管SR15D3BL售價(jià) ...

TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）布局注意事項(xiàng)：ESD保護(hù)二極管位置影響ESD保護(hù)性能。ESD保護(hù)二極管靠近ESD進(jìn)入點(diǎn)。在來自連接器的電路板走線分支成ESD保護(hù)二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護(hù)二極管（包括GND）串聯(lián)的走線電感降至比較低。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號走線并行。特別是，避免ESD抗擾度低的器件電路板走線與可能受ESD事件影響的電路板走線并行。TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）的***比較大額定值，ESD保護(hù)二極管比較大額定值指最大允許電流、電壓、功耗和其他電氣特性。電路設(shè)計(jì)中，為了獲得ESD保護(hù)二極管比較好性能并且保持器件目標(biāo)工作壽命周期的可靠性...

***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應(yīng)力超過規(guī)定的額定值，器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此，應(yīng)注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調(diào)整過程中應(yīng)力可能高于比較大額定值、環(huán)境溫度變化、輸入信號波動等情況。應(yīng)考慮的主要額定值包括ESD保護(hù)二極管的ESD容限、峰值脈沖功率、結(jié)溫和存儲溫度。這些參數(shù)相互關(guān)聯(lián)，不能單獨(dú)考慮。它們還取決于外部電路條件。盡管***比較大額定值通常規(guī)定的環(huán)境溫度（Ta）為25°C，但有些規(guī)定參數(shù)溫度條件不同。低漏電流：即使施加工作峰值反向電壓，也只有小于規(guī)定漏電流的電流流過，確保電路的穩(wěn)定性。深圳定...

***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應(yīng)力超過規(guī)定的額定值，器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此，應(yīng)注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調(diào)整過程中應(yīng)力可能高于比較大額定值、環(huán)境溫度變化、輸入信號波動等情況。應(yīng)考慮的主要額定值包括ESD保護(hù)二極管的ESD容限、峰值脈沖功率、結(jié)溫和存儲溫度。這些參數(shù)相互關(guān)聯(lián)，不能單獨(dú)考慮。它們還取決于外部電路條件。盡管***比較大額定值通常規(guī)定的環(huán)境溫度（Ta）為25°C，但有些規(guī)定參數(shù)溫度條件不同。星河微ESD靜電保護(hù)二極管可以在各種環(huán)境下工作，包括高溫、低溫、高濕度、低濕度等條件下。深圳...