霍爾效應(yīng)磁敏傳感器就是建立在霍爾效應(yīng)基礎(chǔ)上的磁電轉(zhuǎn)換的傳感器,由霍爾元件(利用霍爾效應(yīng)制成的元件)和轉(zhuǎn)換電路組成?;魻栐倪x擇我們知道.霍爾效應(yīng)磁敏傳感器的選擇重要的就是霍爾元件的選擇。首先根據(jù)被測信號的形式是線性、脈沖、高變、位移和函數(shù)等,選擇性能與之相類似的霍爾元件,其次對應(yīng)用環(huán)境和技術(shù)性能進(jìn)行分析,在選擇的幾種霍爾元件中,進(jìn)行第二次挑選,從技術(shù)條件和性能方面分析,哪一種更適合應(yīng)用場合,后分析一下選擇霍爾元件的價格和市場供應(yīng)等情況,選擇成本低、市場供應(yīng)量大的更合適。所有的霍爾集成片都具有基本相同的線路.在集成片的基底上除了霍爾元件外,還有信號整定線路?;魻栐妮敵鲭娖胶苄。俏?..
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。本發(fā)明涉及一種傳感元件,其包括支承體和傳感體,其中,所述傳感體構(gòu)造為面狀的,所述傳感體由彈性材料構(gòu)成,并且所述傳感體的表面和第二表面被可導(dǎo)電地涂層。背景技術(shù):由ep2113760a1已知:膜片狀的傳感元件構(gòu)造成壓力傳感器。傳感元件在此包括傳感體,該傳感體局部構(gòu)造成面狀的。所述傳感體容納在管狀殼體中,其中,空間的壓力作用在所述傳感體的表面上,并且第二空間的壓力作用到傳感體的第二表面上。傳感體在此檢測兩個空間之間的壓差。這通過以下...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。于是就剩下00515故障碼問題,經(jīng)過反復(fù)試車,發(fā)現(xiàn)有這樣的故障特征;在點(diǎn)火開關(guān)打開狀態(tài)(發(fā)動機(jī)并不運(yùn)轉(zhuǎn)),將故障碼,但只要一起動發(fā)動機(jī),就會立即重現(xiàn)。這表明該故障碼是真實(shí)碼。但他的靜態(tài)值應(yīng)是正常的,動態(tài)值(脈沖信號輸出)則出了問題。為此測量霍爾傳感器3個針腳之間阻值,沒有相互短路的跡象;在打開點(diǎn)火開關(guān)狀態(tài)下測量各針腳電壓。分別為5V、12V、0V,這又進(jìn)一步驗(yàn)證了霍爾傳感器信號線無“對地短路”問題,也許也許傳感器本身已損壞,拆...
緊固區(qū)段和測量區(qū)段的材料在此是相同的并且一體地由彈性體材料構(gòu)成。環(huán)狀的緊固區(qū)段的層厚在此比盤狀的測量區(qū)段的層厚大。層厚在此表示在表面與第二表面之間的間距。在測量區(qū)段與緊固區(qū)段之間的過渡在此可以是階梯狀的,其中,所述層厚突變式地升高。地,所述層厚從測量區(qū)段出發(fā)直到緊固區(qū)段的層厚為止線性增大。由此獲得傾斜的過渡區(qū)域。該過渡區(qū)域構(gòu)成測量區(qū)段與緊固區(qū)段之間的過渡。測量區(qū)段和過渡區(qū)段可以相對彼此設(shè)置成,層厚在兩側(cè)并且從測量區(qū)段的表面和第二表面出發(fā)增大,使得測量區(qū)段居中地設(shè)置在緊固區(qū)段中。有益地,測量區(qū)段和緊固區(qū)段沿著一個表面設(shè)置在一個徑向平面中。在這種設(shè)計方案中,緊固區(qū)段的層厚沿著一個表面增大。...
用UGN3501T還可以十分方便地組成如圖2所示的鉗形電流表。將霍爾元件置于鉗形冷軋硅鋼片的空隙中,當(dāng)有電流流過導(dǎo)線時,就會在鉗形圓環(huán)中產(chǎn)生磁場,其大小正比于流過導(dǎo)線電流的安匝數(shù)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。這個磁場作用于霍爾元件,感應(yīng)出相應(yīng)的霍爾電勢,其靈敏度為7V/T,經(jīng)過運(yùn)放μA741調(diào)零,線性放大后送入DVM,組成數(shù)字式鉗形電流表。該表的調(diào)試也十分簡單:導(dǎo)線中的電流為零時,調(diào)節(jié)W1、W2使DVM的示值為零。然后輸入50A的電流,調(diào)W3使DVM讀數(shù)...
就會產(chǎn)生霍爾電流。一般地說,偏置電流的設(shè)定通常由外部的基準(zhǔn)電壓源給出;若精度要求高,則基準(zhǔn)電壓源均用恒流源取代。為了達(dá)到高的靈敏度。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。有的霍爾元件的傳感面上裝有高導(dǎo)磁系數(shù)的鍍膜合金;這類傳感器的霍爾電勢較大,但在,適用在低量限、小量程下使用。在半導(dǎo)體薄片兩端通以控制電流I,并在薄片的垂直方向施加磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,則在垂直于電流和磁場的方向上,將產(chǎn)生電勢差為UH的霍爾電壓?;魻杺鞲衅鞣诸惢魻杺鞲衅鞣譃榫€型霍爾傳感器和開關(guān)型...
對于開關(guān)型傳感器的正值規(guī)定是:用磁鐵的S極接近傳感器的端面所形成的B值為正值。由圖3看出,當(dāng)B=0時,V0為高電平;當(dāng)外磁場增至BOP時,輸出V0由高電平轉(zhuǎn)為低電平。外磁場由BOP降至BrP時,輸出V0由低電向,BrP被稱為釋放點(diǎn)。對于UGN3020,BOP=,BRP=,VOL=80~150mV,VOH=4V,工作電壓為~24V。UGN3020可組成轉(zhuǎn)速計探頭。該探頭由霍爾元件UGN3020和磁鋼組成測量電路。將具有10個齒的圓盤固定于被測對象的旋轉(zhuǎn)主軸上。當(dāng)圓盤齒經(jīng)過測量磁路的間隙時,霍爾元件輸出高電平,其他時間輸出為低電平。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。這類元件可以分為兩大類,一類是線性元件,另一類是開關(guān)類元件。線性霍爾元件的原理及應(yīng)用UGN350lT是一種目前較常用的三端型線性霍爾元件。它由穩(wěn)壓器、霍爾發(fā)生器和放大器組成。用UGN350lT可以十分方便地組成一臺高斯計。其使用十分簡單,先使B=0,記下表的示值VOH,再將探頭端面貼在被測對象上,記下新的示值VOH1。ΔVOH=VOH1-VOH如果ΔVOH>0,說明探頭端面測得的是N極;反之為S極。UGN3501T的靈敏度為7...
每個所述凹槽用來容置至少一個傳感器的每個引腳組中的一個引腳和相應(yīng)的剪切機(jī)構(gòu),所述剪切機(jī)構(gòu)的移動方向與引腳的放置方向相垂直。具體地。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。每個所述剪切機(jī)構(gòu)包括剪切刀以及與所述剪切刀相連接的驅(qū)動組件。具體地,所述驅(qū)動組件包括電機(jī)和傳動部件,所述電機(jī)通過傳動部件與剪切刀相連接。具體地,所述檢測機(jī)構(gòu)上還設(shè)有顯示屏和指示燈。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種傳感器引腳剪切及檢測裝置,利用與檢測機(jī)構(gòu)相連的剪切機(jī)構(gòu),在剪切機(jī)構(gòu)對傳感器引腳剪切的同時,通過...
就會產(chǎn)生霍爾電流。一般地說,偏置電流的設(shè)定通常由外部的基準(zhǔn)電壓源給出;若精度要求高,則基準(zhǔn)電壓源均用恒流源取代。為了達(dá)到高的靈敏度。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。有的霍爾元件的傳感面上裝有高導(dǎo)磁系數(shù)的鍍膜合金;這類傳感器的霍爾電勢較大,但在,適用在低量限、小量程下使用。在半導(dǎo)體薄片兩端通以控制電流I,并在薄片的垂直方向施加磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,則在垂直于電流和磁場的方向上,將產(chǎn)生電勢差為UH的霍爾電壓?;魻杺鞲衅鞣诸惢魻杺鞲衅鞣譃榫€型霍爾傳感器和開關(guān)型...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。這類元件可以分為兩大類,一類是線性元件,另一類是開關(guān)類元件。線性霍爾元件的原理及應(yīng)用UGN350lT是一種目前較常用的三端型線性霍爾元件。它由穩(wěn)壓器、霍爾發(fā)生器和放大器組成。用UGN350lT可以十分方便地組成一臺高斯計。其使用十分簡單,先使B=0,記下表的示值VOH,再將探頭端面貼在被測對象上,記下新的示值VOH1。ΔVOH=VOH1-VOH如果ΔVOH>0,說明探頭端面測得的是N極;反之為S極。UGN3501T的靈敏度為7...