設(shè)置靜電紡絲工藝參數(shù):注射器推進(jìn)速度3mm/h,紡絲電壓20kv,接收距離8cm,滾筒轉(zhuǎn)速200r/min,在固定于滾筒上的fto玻璃上接收固化的復(fù)合纖維,150℃烘箱中干燥過夜,烘干后置于550℃馬弗爐中煅燒2h,熱分解后即可獲得sr摻雜batio3薄膜電極;配制30ml濃度為、,攪拌均勻,轉(zhuǎn)入50ml水熱反應(yīng)釜中。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。硅光電二極管是當(dāng)前普遍應(yīng)用的半導(dǎo)體光電二極管。下面我們談?wù)?CU和2DU兩種類型硅光電二極管的種類、構(gòu)造以及應(yīng)用上的一些問題。種類與構(gòu)造一、2CU型硅光電二極管:2CU型硅光電二極管是用N型硅單晶制作的,根據(jù)外形尺寸的大小它又可分2CU-1-,2CU-2-,2CU-3-等型號,其中2CU-1-與2CU-2-體積較大,2CU-3-稍小些(見圖1(a))。這種類型的光電二極管多用帶透鏡窗口的金屬管殼封裝,下端有正、負(fù)兩個電極引線,它們分別...
硅光二極管的響應(yīng)時間也是其性能的重要指標(biāo)之一。在高速光通信系統(tǒng)中,需要選擇具有快速響應(yīng)時間的硅光二極管,以確保信號的準(zhǔn)確傳輸和處理。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,硅光二極管的響應(yīng)時間已經(jīng)越來越短,為高速光通信技術(shù)的發(fā)展提供了有力保障。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售...
提高硅基光電二極管響應(yīng)速度變得越來越迫切。高阻材料雖然可以提高響應(yīng)度,同時它也會引入三個方面的缺點:一是耗盡區(qū)寬度變寬,使得光生載流子漂移時間變長,響應(yīng)速度變慢;二是耗盡區(qū)變寬,需要材料厚度相應(yīng)的變厚,而對于某些應(yīng)用場景,需要芯片厚度在150um左右,這種情況下,寬耗盡區(qū)并未帶來響應(yīng)度的明顯提升;三是由于材料為高阻材料,擴(kuò)散區(qū)電阻率太高,導(dǎo)致擴(kuò)散時間變長,從而導(dǎo)致響應(yīng)速度變慢??梢钥闯觯瑸榱说玫礁唔憫?yīng)度,材料厚度需要做厚,電阻率選用高阻;為了得到高響應(yīng)速度。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基...
本實用新型提供了一種高壓二極管硅疊中頻真空焊接系統(tǒng),包括石英玻璃罩1,石英玻璃罩1的頂部通過上密封圈2與上固定板3的底端固定連接,上固定板3頂端的中部固定設(shè)有plc控制器4,對真空電磁閥9、微型真空泵10、氮氣電磁閥11和氮氣充氣泵12進(jìn)行控制,石英玻璃罩1的底部固定設(shè)有下密封圈5,下密封圈5的外壁固定設(shè)有電磁鐵6,電磁鐵6的外壁與磁環(huán)17的內(nèi)壁磁性連接,增強(qiáng)石英玻璃罩1與下固定板7之間的密封性。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、...
硅光二極管是一種基于硅材料的光電子器件,具有將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的功能。其工作原理基于光電效應(yīng),當(dāng)光照射到硅光二極管的PN結(jié)上時,光子能量被硅原子吸收,導(dǎo)致PN結(jié)中的電子被激發(fā)出來,形成光電流。這種器件在光通信、光探測和光傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,是實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵元件之一。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。硅光電池就找深圳世華高...
硅光二極管在光電子學(xué)領(lǐng)域的重要性不言而喻。作為光電轉(zhuǎn)換的基本單元,它在光信號的接收、處理和傳輸中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著光電子技術(shù)的飛速發(fā)展,硅光二極管不僅在傳統(tǒng)的通信領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,還在新興的光計算、光存儲等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力。其優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性使其成為光電子器件中的佼佼者。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。世華高半導(dǎo)體已成為...
水熱時間為2-12h。地,步驟3所述氮氣保護(hù)條件下的煅燒溫度為200-400℃,煅燒時間為1-6h。本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明創(chuàng)造性地利用靜電紡絲技術(shù)制備了sr摻雜batio3納米纖維電極,該方法制備過程簡單,便于規(guī)?;a(chǎn)。且所制備的sr摻雜batio3鐵電材料自發(fā)極化能力強(qiáng),在外場環(huán)境下產(chǎn)生較強(qiáng)的表面電場,能夠有效的分離znte電極的光生載流子,極大地提高了znte載流子的分離效率,降低了光生載流子的復(fù)合速度,從而為**co2還原反應(yīng)奠定了堅實的基礎(chǔ)。附圖說明圖1為實施例一中制備的sr摻雜batio3納米纖維的掃描電鏡圖。圖2為實施例一中制備的sr摻雜batio3/znte電極的掃描電鏡圖;...
設(shè)置靜電紡絲工藝參數(shù):注射器推進(jìn)速度3mm/h,紡絲電壓12kv,接收距離10cm,滾筒轉(zhuǎn)速300r/min,在固定于滾筒上的fto玻璃上接收固化的復(fù)合纖維,150℃烘箱中干燥過夜,烘干后置于650℃馬弗爐中煅燒2h,熱分解后即可獲得sr摻雜batio3薄膜電極;配制30ml濃度為4mmol/l硝酸鋅、4mmol/l碲酸鈉和,攪拌均勻,轉(zhuǎn)入50ml水熱反應(yīng)釜中;將sr摻雜batio3薄膜電極放入反應(yīng)釜內(nèi),fto導(dǎo)電面朝下,密封水熱反應(yīng)釜,置于恒溫干燥箱中,150℃水熱反應(yīng)6h;反應(yīng)結(jié)束,取出fto電極,水洗3次,60℃下真空干燥8h;干燥后,將薄膜放入管式爐內(nèi),氮氣保護(hù)條件下煅燒,控制煅燒溫度...
硅光二極管還可以用于構(gòu)建光傳感器。例如,在環(huán)境監(jiān)測中,可以利用硅光二極管檢測空氣中的污染物濃度;在醫(yī)療診斷中,可以利用硅光二極管檢測生物組織的光學(xué)特性。硅光二極管的光電轉(zhuǎn)換特性使其成為構(gòu)建光傳感器的理想選擇。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售機(jī)構(gòu),分布在中國...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售機(jī)構(gòu),分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區(qū)。據(jù)外媒報道,韓國浦項工科大學(xué)(PohangUniversityofScienceandTechnology)的一組研究人員已經(jīng)研發(fā)出近紅外(NIR)...
6)在sio2層104、si3n4層105上刻出接觸孔,然后濺射金屬,濺射完成后刻蝕形成正面金屬電極106;7)在襯底107的背面做金屬化處理形成背面電極108。進(jìn)一步的,所述的襯底107采用電阻率20~100為ohm·cm的低電阻率硅材料;襯底107直接與背面金屬形成良好的歐姆接觸;所述的高反層109是由折射率~~,通過化學(xué)氣相淀積或光學(xué)鍍膜技術(shù)生成;所述的外延層101的電阻率為500~1000ohm·cm,外延層101的厚度與耗盡區(qū)寬度相當(dāng);所述的保護(hù)環(huán)102為as離子源注入,注入劑量為1e15~2e15。所述的有源區(qū)103為b離子源注入,注入劑量為1e15~2e15;所述的正面金屬電極1...
設(shè)置靜電紡絲工藝參數(shù):注射器推進(jìn)速度3mm/h,紡絲電壓20kv,接收距離8cm,滾筒轉(zhuǎn)速200r/min,在固定于滾筒上的fto玻璃上接收固化的復(fù)合纖維,150℃烘箱中干燥過夜,烘干后置于550℃馬弗爐中煅燒2h,熱分解后即可獲得sr摻雜batio3薄膜電極;配制30ml濃度為、,攪拌均勻,轉(zhuǎn)入50ml水熱反應(yīng)釜中。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張...
硅光二極管的光譜響應(yīng)特性是其重要的性能指標(biāo)之一。通過調(diào)整材料和工藝參數(shù),可以優(yōu)化硅光二極管的光譜響應(yīng)范圍,使其更好地適應(yīng)不同應(yīng)用場景的需求。例如,在可見光通信中,需要選擇對可見光具有良好響應(yīng)的硅光二極管;而在紅外探測中,則需要選擇對紅外光具有良好響應(yīng)的器件。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制...
具體實施方式下面結(jié)合實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述,所述是對本發(fā)明的解釋而不是限定,一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管,包括背面設(shè)有背面電極108的襯底107;襯底107正面依次設(shè)有高反層(109、外延層101、注入層、氧化硅層、氮化硅層和正面金屬電極106;所述的高反層109上開設(shè)有用于形成電流路徑的刻蝕孔,以及與正面金屬電極106相對應(yīng)的刻蝕區(qū);所述的注入層包括保護(hù)環(huán)102以及設(shè)在其內(nèi)的有源區(qū)103;所述的正面金屬電極106還貫穿氧化硅層、氮化硅層與有源區(qū)103相連接。進(jìn)一步的,所述的襯底107為電阻率20~100為ohm·cm的硅基襯底,襯底背面直接做金屬化處理形成背面電極108。所述的外...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售機(jī)構(gòu),分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區(qū)。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管及其制備方法。背景技術(shù):硅基光電二極管由于其材料成本造工藝簡單,響應(yīng)度峰值波長為9...
以p型離子注入形成有源區(qū);所述的氧化硅層為熱氧化生成sio2層,所述的氮化硅層為淀積生長的si3n4層;所述的正面金屬電極是在濺射后經(jīng)刻蝕成形。所述外延層的電阻率為500~1000ohm·cm,外延層厚度wepi根據(jù)耗盡區(qū)寬度wd確定:wepi≈wd,而wd≥w入/2,其中w入=f(λ),w入為入射光入射深度,λ為入射光波長。一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管的制備方法,包括以下操作:1)在襯底上濺射生成高反層;2)高反層開設(shè)刻蝕孔;3)高反層上通過淀積的方法生長外延層;4)在外延層上通過離子注入分別形成保護(hù)環(huán)和有源區(qū);5)在保護(hù)環(huán)和有源區(qū)上生成sio2層,然后在sio2層上方生成si3n4層;...
當(dāng)反向工作電壓大于10伏時,光電流基本上不隨反向電壓增加而增加,反映在平行曲線簇上就是平直那段(例如AB段)。由圖③清楚地看出在反向工作電壓大于10伏的條件下管子有較高的靈敏度。圖④表示在反向工作電壓大于10伏情況下,光電流與入射光強(qiáng)度的關(guān)系。從圖④看出在反向工作電壓大于10伏的條件下光電流隨入射光強(qiáng)度的變化基本上是線性的。上述這些,就是硅光電二極管的反向工作電壓必須大于10伏的原因所在。2.硅光電二極管的光電流、暗電流隨溫度的變化均有變化。在環(huán)境溫度0℃以上,反向工作電壓不變的條件下,環(huán)境溫度變化(25~30)℃時,硅光電二極管的暗電流將變化10倍,光電流變化10%左右,所以在要求穩(wěn)定性高的...
設(shè)置靜電紡絲工藝參數(shù):注射器推進(jìn)速度3mm/h,紡絲電壓12kv,接收距離10cm,滾筒轉(zhuǎn)速300r/min,在固定于滾筒上的fto玻璃上接收固化的復(fù)合纖維,150℃烘箱中干燥過夜,烘干后置于650℃馬弗爐中煅燒2h,熱分解后即可獲得sr摻雜batio3薄膜電極;配制30ml濃度為4mmol/l硝酸鋅、4mmol/l碲酸鈉和,攪拌均勻,轉(zhuǎn)入50ml水熱反應(yīng)釜中;將sr摻雜batio3薄膜電極放入反應(yīng)釜內(nèi),fto導(dǎo)電面朝下,密封水熱反應(yīng)釜,置于恒溫干燥箱中,150℃水熱反應(yīng)6h;反應(yīng)結(jié)束,取出fto電極,水洗3次,60℃下真空干燥8h;干燥后,將薄膜放入管式爐內(nèi),氮氣保護(hù)條件下煅燒,控制煅燒溫度...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售機(jī)構(gòu),分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區(qū)。硅光電二極管是當(dāng)前普遍應(yīng)用的半導(dǎo)體光電二極管。下面我們談?wù)?CU和2DU兩種類型硅光電二極管的種類、構(gòu)造以及應(yīng)用上的一些問題。種類與構(gòu)造一、2CU型...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。硅光電二極管是當(dāng)前普遍應(yīng)用的半導(dǎo)體光電二極管。下面我們談?wù)?CU和2DU兩種類型硅光電二極管的種類、構(gòu)造以及應(yīng)用上的一些問題。種類與構(gòu)造一、2CU型硅光電二極管:2CU型硅光電二極管是用N型硅單晶制作的,根據(jù)外形尺寸的大小它又可分2CU-1-,2CU-2-,2CU-3-等型號,其中2CU-1-與2CU-2-體積較大,2CU-3-稍小些(見圖1(a))。這種類型的光電二極管多用帶透鏡窗口的金屬管殼封裝,下端有正、負(fù)兩個電極引線,它們分別...
隨著科技的發(fā)展,硅光二極管的性能也在不斷提升。例如,通過改進(jìn)材料和工藝,可以提高硅光二極管的量子效率和響應(yīng)時間;通過集成化設(shè)計,可以將硅光二極管與其他光電子器件集成在一起,形成功能更強(qiáng)大的光電子系統(tǒng)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售機(jī)構(gòu),分布在中國、印度、...
硅光二極管的制造工藝對其性能有著至關(guān)重要的影響。在制造過程中,需要嚴(yán)格控制摻雜濃度、擴(kuò)散深度等關(guān)鍵參數(shù),以確保PN結(jié)的質(zhì)量和性能。同時,還需要對器件進(jìn)行嚴(yán)格的測試和篩選,以確保其滿足應(yīng)用需求。隨著制造工藝的不斷進(jìn)步,硅光二極管的性能也在不斷提升,為光電子技術(shù)的發(fā)展提供了有力支持。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。世華高半導(dǎo)體已成為...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售機(jī)構(gòu),分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區(qū)。硅光電二極管是當(dāng)前普遍應(yīng)用的半導(dǎo)體光電二極管。下面我們談?wù)?CU和2DU兩種類型硅光電二極管的種類、構(gòu)造以及應(yīng)用上的一些問題。種類與構(gòu)造一、2CU型...
6)在sio2層104、si3n4層105上刻出接觸孔,然后濺射金屬,濺射完成后刻蝕形成正面金屬電極106;7)在襯底107的背面做金屬化處理形成背面電極108。進(jìn)一步的,所述的襯底107采用電阻率20~100為ohm·cm的低電阻率硅材料;襯底107直接與背面金屬形成良好的歐姆接觸;所述的高反層109是由折射率~~,通過化學(xué)氣相淀積或光學(xué)鍍膜技術(shù)生成;所述的外延層101的電阻率為500~1000ohm·cm,外延層101的厚度與耗盡區(qū)寬度相當(dāng);所述的保護(hù)環(huán)102為as離子源注入,注入劑量為1e15~2e15。所述的有源區(qū)103為b離子源注入,注入劑量為1e15~2e15;所述的正面金屬電極1...
環(huán)極是為了減小光電管的暗電流和提高管子的穩(wěn)定性而設(shè)計的另一電極。光電管的暗電流是指光電二極管在無光照、高工作電壓下的反向漏電流。我們要求暗電流越小越好。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合...
當(dāng)反向工作電壓大于10伏時,光電流基本上不隨反向電壓增加而增加,反映在平行曲線簇上就是平直那段(例如AB段)。由圖③清楚地看出在反向工作電壓大于10伏的條件下管子有較高的靈敏度。圖④表示在反向工作電壓大于10伏情況下,光電流與入射光強(qiáng)度的關(guān)系。從圖④看出在反向工作電壓大于10伏的條件下光電流隨入射光強(qiáng)度的變化基本上是線性的。上述這些,就是硅光電二極管的反向工作電壓必須大于10伏的原因所在。2.硅光電二極管的光電流、暗電流隨溫度的變化均有變化。在環(huán)境溫度0℃以上,反向工作電壓不變的條件下,環(huán)境溫度變化(25~30)℃時,硅光電二極管的暗電流將變化10倍,光電流變化10%左右,所以在要求穩(wěn)定性高的...
水熱時間為2-12h。地,步驟3所述氮氣保護(hù)條件下的煅燒溫度為200-400℃,煅燒時間為1-6h。本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明創(chuàng)造性地利用靜電紡絲技術(shù)制備了sr摻雜batio3納米纖維電極,該方法制備過程簡單,便于規(guī)模化生產(chǎn)。且所制備的sr摻雜batio3鐵電材料自發(fā)極化能力強(qiáng),在外場環(huán)境下產(chǎn)生較強(qiáng)的表面電場,能夠有效的分離znte電極的光生載流子,極大地提高了znte載流子的分離效率,降低了光生載流子的復(fù)合速度,從而為**co2還原反應(yīng)奠定了堅實的基礎(chǔ)。附圖說明圖1為實施例一中制備的sr摻雜batio3納米纖維的掃描電鏡圖。圖2為實施例一中制備的sr摻雜batio3/znte電極的掃描電鏡圖;...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。硅光電二極管是當(dāng)前普遍應(yīng)用的半導(dǎo)體光電二極管。下面我們談?wù)?CU和2DU兩種類型硅光電二極管的種類、構(gòu)造以及應(yīng)用上的一些問題。種類與構(gòu)造一、2CU型硅光電二極管:2CU型硅光電二極管是用N型硅單晶制作的,根據(jù)外形尺寸的大小它又可分2CU-1-,2CU-2-,2CU-3-等型號,其中2CU-1-與2CU-2-體積較大,2CU-3-稍小些(見圖1(a))。這種類型的光電二極管多用帶透鏡窗口的金屬管殼封裝,下端有正、負(fù)兩個電極引線,它們分別...
硅光二極管的光譜響應(yīng)特性是其重要的性能指標(biāo)之一。通過調(diào)整材料和工藝參數(shù),可以優(yōu)化硅光二極管的光譜響應(yīng)范圍,使其更好地適應(yīng)不同應(yīng)用場景的需求。例如,在可見光通信中,需要選擇對可見光具有良好響應(yīng)的硅光二極管;而在紅外探測中,則需要選擇對紅外光具有良好響應(yīng)的器件。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制...