[7]二極管雙向觸發(fā)二極管將萬用表置于相應(yīng)的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進(jìn)行比較，兩者的較為值之差越小，說明被測雙向觸發(fā)二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。[8]對于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管，任意調(diào)換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經(jīng)損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識別正、負(fù)極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區(qū)別是其色標(biāo)顏色...

這種接法就相當(dāng)于給予萬用表串接上了，使檢測電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負(fù)極。[8]二極管紅外發(fā)光二極管1.判別紅外發(fā)光二極管的正、負(fù)電極。紅外發(fā)光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負(fù)極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見，內(nèi)部電極較寬較大的一個為負(fù)極，而較窄且小的一個為正極。[8]2.先測量紅個發(fā)光二極管的正、反向電阻，通常正向電阻應(yīng)在30k左右，反向電阻要在500k以上，這樣的管子才可正常使用。[8]二極管紅外接收二極管1....

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達(dá)8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦裕€會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流為5uA，溫度升高到75℃...

[8]2.檢測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極管正、反向電阻，根據(jù)正、反向電阻值的大小，即可初步判定紅外接收二極管的好壞。[8]二極管激光二極管按照檢測普通二極管正、反向電阻的方法，即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測時要注意，由于激光二極管的正向壓降比普通二極管要大，所以檢測正向電阻時，萬用表指針公略微向右偏轉(zhuǎn)而已。[8]二極管主要應(yīng)用編輯二極管電子電路應(yīng)用幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管。半導(dǎo)體二極管在電路中的使用能夠起到保護(hù)電二極管路，延長電路壽命等作用。半導(dǎo)體二極管的發(fā)展，使得集成電路更加優(yōu)化，在各個領(lǐng)域都起到了積極的作用。二極管在集成電路中的作用很多，維持著...

具有單向?qū)щ娞匦?，而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應(yīng)用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為...

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近...

由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區(qū)域306的上表面上連續(xù)。在圖2e的步驟中，腔502被填充，例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的，例如執(zhí)行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區(qū)域306的任一側(cè)上獲得兩個區(qū)域302。在圖2f的步驟中，去除位于襯底以及區(qū)域302和306的上表面上的可能元件，諸如層304的可接近部分。然后形成可能的層42和層40。通過圖2a至圖2f的方法獲得的結(jié)構(gòu)30的變型與圖1的結(jié)構(gòu)30的不同之處在于，區(qū)域306與區(qū)域302分離并且一直延伸到層40或可能的層42，并且該變型包括在區(qū)域306的任一側(cè)上的兩個區(qū)...

[7]二極管雙向觸發(fā)二極管將萬用表置于相應(yīng)的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進(jìn)行比較，兩者的較為值之差越小，說明被測雙向觸發(fā)二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。[8]對于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管，任意調(diào)換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經(jīng)損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識別正、負(fù)極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區(qū)別是其色標(biāo)顏色...

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi)，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時，晶閘管才接通。現(xiàn)在，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時，負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當(dāng)UG到達(dá)較早時，晶閘管導(dǎo)通時間較早；UG到達(dá)較晚時，晶閘管導(dǎo)通時間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時間，可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術(shù)中，交流電的半周常被設(shè)定為180度，稱為電角。因此，在U2的每一...

除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打...

其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領(lǐng)域。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車和地鐵機(jī)車為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開關(guān)動作增加或減小電路電阻，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動和加速。開關(guān)體積大、壽命短，而且低速運(yùn)行時耗電大（減速時消耗在啟動電阻上）等缺點(diǎn)。自有了逆導(dǎo)晶閘管，采用了逆導(dǎo)晶閘管控制、調(diào)節(jié)車速，不*克服了上述缺點(diǎn)，而且還降低了功耗，提高了機(jī)車可靠性。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個硅片上。它的等效電路和符號如圖1所示。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏鳌Ｓ捎谒年枠O和陰...

或電流）的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通，它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài)，而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷，像一個二極管一樣導(dǎo)通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時，它才會截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時，BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài)，此時電路基本上沒有電流流過負(fù)載電阻RL，當(dāng)柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升...

⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動態(tài)響應(yīng)時間≤10ms，超調(diào)量≤1%。⒁有回零保護(hù)、軟起動、急停功能。⒂比較大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨(dú)有三相不平衡自動調(diào)整功能，有效提高電能利用效率?！粝冗M(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)，改善了電網(wǎng)功率因數(shù)，可以有效節(jié)省用電量?！艟哂幸葡嘤|發(fā)與過零觸發(fā)雙重工作模式，撥動選擇開關(guān)，即可輕松實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換。◆多種控制信號輸入：DC4~20mA、DC0~10mA、DC1~5V、DC0~10V、開關(guān)...

或電流）的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通，它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài)，而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷，像一個二極管一樣導(dǎo)通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時，它才會截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時，BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài)，此時電路基本上沒有電流流過負(fù)載電阻RL，當(dāng)柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升...

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計的晶閘管，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）工作原理/晶閘管編輯晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路...

或電流）的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通，它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài)，而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷，像一個二極管一樣導(dǎo)通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時，它才會截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時，BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài)，此時電路基本上沒有電流流過負(fù)載電阻RL，當(dāng)柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升...

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導(dǎo)通。對雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講，對一個管子是陽極，對另一個管子就是陰極，反過來也一樣。因此，雙向晶閘管...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個數(shù)值標(biāo)作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時候，額定電壓一個應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內(nèi))的平...

5、其它要求（1）當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴(yán)重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定）。（2）小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固，極易掀起折斷，接線時應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上，以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。（4）模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用。為保證安全，模塊輸入端前面需加空氣開關(guān)。（5）測量模塊工作殼溫時，測試點(diǎn)選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面?？蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔至散熱器...

它是用來讓信號在預(yù)置的電平范圍內(nèi)，有選擇地傳輸一部分信號。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用，但有些時候需要用到專門限幅二極管，如保護(hù)儀表時。[6]（3）穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二極管，它是一種利用特殊工藝制造的面結(jié)型硅把半導(dǎo)體二極管，這種特殊二極管雜質(zhì)濃度比較高，空間電荷區(qū)內(nèi)的電荷密度大，容易形成強(qiáng)電場。當(dāng)齊納二極管兩端反向電壓加到某一值，反向電流急增，產(chǎn)生反向擊穿。[6]（4）變?nèi)蓦娐吩谧內(nèi)蓦娐分谐Ｓ米內(nèi)荻O管來實(shí)現(xiàn)電路的自動頻率控制、調(diào)諧、調(diào)頻以及掃描振蕩等。[6]二極管工業(yè)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)過多年來科學(xué)家們不懈努力，半導(dǎo)體二極管發(fā)光的應(yīng)用已逐步得到推廣，發(fā)光二極管廣應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品的指...

家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產(chǎn)品、無線電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術(shù)應(yīng)用系統(tǒng)電路中，可控硅元件可以多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)進(jìn)行如何有效保護(hù)晶閘管在行業(yè)應(yīng)用晶閘管越來越廣，作為行業(yè)增加應(yīng)用范圍。晶閘管的功能更加。但有時，在晶閘管的過程中會造成一定的傷害。為了保證晶閘管的生活，我們?nèi)绾胃玫乇Ｗo(hù)區(qū)晶閘管呢？1、過電壓保護(hù)晶閘管對過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導(dǎo)...

他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵磁、無觸點(diǎn)開關(guān)及自動控制等方面?，F(xiàn)在我畫一個**簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a）〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?，F(xiàn)在，畫出它的波形圖〔圖4(c）及（d）〕，可以看到，只...

使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不*使設(shè)備的體積重量增大，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO...

[7]二極管雙向觸發(fā)二極管將萬用表置于相應(yīng)的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進(jìn)行比較，兩者的較為值之差越小，說明被測雙向觸發(fā)二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。[8]對于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管，任意調(diào)換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經(jīng)損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識別正、負(fù)極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區(qū)別是其色標(biāo)顏色...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0，因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）...

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：當(dāng)參考壓敏電阻直流1mA電流流動，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來表示。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱電壓值不會隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一部分電流時，標(biāo)稱電壓下降到0，...

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導(dǎo)通。對雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講，對一個管子是陽極，對另一個管子就是陰極，反過來也一樣。因此，雙向晶閘管...

由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區(qū)域306的上表面上連續(xù)。在圖2e的步驟中，腔502被填充，例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的，例如執(zhí)行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區(qū)域306的任一側(cè)上獲得兩個區(qū)域302。在圖2f的步驟中，去除位于襯底以及區(qū)域302和306的上表面上的可能元件，諸如層304的可接近部分。然后形成可能的層42和層40。通過圖2a至圖2f的方法獲得的結(jié)構(gòu)30的變型與圖1的結(jié)構(gòu)30的不同之處在于，區(qū)域306與區(qū)域302分離并且一直延伸到層40或可能的層42，并且該變型包括在區(qū)域306的任一側(cè)上的兩個區(qū)...

此外，單個溝槽可以被提供有例如至少在一側(cè)上的晶體管。此外，在所描述的實(shí)施例中，晶體管的n和p傳導(dǎo)類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽極可以同時反轉(zhuǎn)。上文已描述了具有各種變型的各種實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將這些各種實(shí)施例和變型的各種元件進(jìn)行組合。后，基于上文給出的功能指示，所描述的實(shí)施例的實(shí)際實(shí)現(xiàn)在本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍內(nèi)。根據(jù)以上詳細(xì)描述，可以對實(shí)施例進(jìn)行這些和其他改變。通常，在所附權(quán)利要求中，所使用的術(shù)語不應(yīng)被解釋為將權(quán)利要求限制于說明書和權(quán)利要求中公開的特定實(shí)施例，而是應(yīng)被解釋為包括權(quán)利要求所要求保護(hù)的所有可能的實(shí)施例以及這樣的等同物的全部范圍。因此，權(quán)利要求不受本公開的...

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)是，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K），結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負(fù)向電壓時，控晶閘管可以...