單向晶閘管主要有3CT系列和KP系列，雙向晶閘管主要有3CTS系列和KS系列，高頻晶閘管主要有KK系列。晶體閘流管具有3個引腳。單向晶閘管的3個引腳分別是陽極A、陰極K和控制極G，常見單向晶閘管的引腳如圖4-44所示，使用中應注意識別，不要搞錯。雙...

肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。肖特基二極體的導通電壓非常低。一般的二極管在電流流過時，會產生約，不過肖特基二極管的電壓降只有，因此可以提升系統(tǒng)的效率。肖特基二極管和一般整流二極管大的差異在于反向恢復時間，...

導通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從...

在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越的應用，在較高頻率的大、率應用中占據(jù)了主導地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通...

一、螺旋式熔斷器有哪些特性？旋式熔斷器的熔斷管內裝有石類砂，熔體理于其中，熔體熔斷時，電弧噴向石英砂及其縫隙可迅速降溫而熄滅。為了便于監(jiān)視，斷器一端裝有色點，不同的顏色表不同的體電流，體斷時，色點跳出，示意縮體已斷，其額定電流為5~200A，主要用...

其額定電流為50~1000A用于交流380V及以下、短路電流較大的電力輸配電系統(tǒng)中，作為線路及電氣設備的短路保護及過載保護，主要用于短路電流大的電路或有易燃氣體的場所。圖二有填料管式熔斷器三、無填料管式熔斷器RM有哪些特性?無填料管式熔斷器的熔絲管...

1957年又開發(fā)了全球用于功率轉換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優(yōu)勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上...

這部分在定義當中沒有被提及的原因在于它實際上是個npnp的寄生晶閘管結構，這種結構對IGBT來說是個不希望存在的結構，因為寄生晶閘管在一定的條件下會發(fā)生閂鎖，讓IGBT失去柵控能力，這樣IGBT將無法自行關斷，從而導致IGBT的損壞。具體原理在這里...

生產廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結—環(huán)境的熱阻（Rja）和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻（Rjc）。2整流橋模塊的結構特點1、鋁基導熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結支撐和導熱通道，并作為整個模塊的...

這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點，F(xiàn)RED芯片采用...

普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結〔圖2(a)〕，相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅...

就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表...

不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個pn結處于反偏狀態(tài)，漏、源極間沒有導電溝道，器件無法導通。但如果VGS正向足夠大，此時柵極G和襯底p之間的絕緣層中會產生一個電場，方向從柵極指向襯底，電子在該電場的作用下聚集在柵氧下表面，...

廣泛應用在斬波或逆變電路中，如軌道交通、電動汽車、風力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領域。此外，半導體功率模塊主要包括igbt器件和fwd，在實際應用中，為了保證半導體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作，通常在半導體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以...

所述負載為led燈串，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv，負極連接所述漏極管腳drain。如圖2所示，所述一采樣電阻rcs1的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的采樣管腳cs，另一端接地。本實施例的電源模組為非隔離場合的小功率led驅動電...

BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了?？煽?..

那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的。這也正...

并且兩個為對稱設置，在所述一限位凸部101上設有凹陷部11，所述一插片21嵌入到所述凹陷部11當中。具體的，所述第二插片22為金屬銅片，在所述一限位凸部101上設有插接槽100，所述第二插片22的一端插入到所述插接槽100當中；并且在所述插接槽10...

所述第二插片為兩個。推薦的，所述線圈架上設有供所述第二插接片插入的插接槽；通過設置插接槽便于對第二插片進行安裝，第二插片插入到插接槽當中，插接槽的內壁對第二插片進行限位。推薦的，所述第二插片側壁上設有電連凸部，所述整流橋堆一側設有與所述電連凸部相連...

假設其PCB板的實際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍，則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故，通過整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過殼體表面自然對流冷卻進行散熱的熱阻()是通過引腳進行散熱這種散熱途徑的熱阻()的...

整流橋模塊作為一種功率元器件，廣泛應用于各種電源設備。其內部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉化為輸出的直流電壓。在整流橋模塊的每個工作周期內，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動...

整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接，兩只的為半橋，四只的則稱全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成，大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封，增強散熱性能。一、整流橋定義整流橋就是將整流管封在一個殼內了，分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的...

所述負載連接于所述第三電容的兩端；所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的采樣管腳，另一端接地。為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結構，第四電容，變壓器，二極管，第五電...

整流橋是橋式整流電路的實物產品，那么實物產品該如何應用到實際電路中呢？一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明，工程設計電路畫板的時候已經將安裝方式固定下來了，那么在實際應用過程中只需要，對應線路板的安裝孔就好了。下面我們就工程畫板時的方法也就是...

整流橋就是將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路，選擇整流橋要考慮整流電路...

IGBT與MOSFET的開關速度比較因功率MOSFET具有開關速度快，峰值電流大，容易驅動，安全工作區(qū)寬，dV/dt耐量高等優(yōu)點，在小功率電子設備中得到了廣泛應用。但是由于導通特性受和額定電壓的影響很大，而且工作電壓較高時，MOSFET固有的反向二...

對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結構圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為...

折疊摘要應用整流橋到電路中，主要考慮它的大工作電流和大反向電壓。針對整流橋不同冷卻方式的選擇和對其散熱過程的詳細分析，來闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義，并在此基礎上提出一種在技術上可行、使用上操作性強的測量整流橋殼溫的方...

在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導線的周圍充滿了作為絕緣、導熱的骨架填充物質--環(huán)氧樹脂。然而，環(huán)氧樹脂的導熱系數(shù)是比較低的(一般為℃W/m，高為℃W/m)，因此整流橋的結--殼熱阻一般都比較大(通常為℃/W)。通常情況下，在元器件的相關...

所述變壓器的第二線圈一端經由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線圈的另一端。如圖6所示，所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線圈，負極連接所述第五電容c5。如圖6所示，所述負載連接于所述第五電容c5的兩端。具體地，在本實施例中，所述負載為...