外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)...

圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過(guò)程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）。開(kāi)通...

若用于交流開(kāi)關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動(dòng)機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開(kāi)關(guān)電路等，可選用門極關(guān)斷晶閘管。若用于鋸齒波發(fā)生器、長(zhǎng)時(shí)間延時(shí)器、過(guò)電壓保護(hù)器及大功...

因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來(lái)代替整流橋的殼溫，這樣不在測(cè)量上易于實(shí)現(xiàn)，還不會(huì)給終的計(jì)算帶來(lái)不可容忍的誤差。折疊仿真分析整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí)的仿真分析前面本文從不同情形下的傳熱途徑著手，用理論的方法分析了整流橋在三種不同冷卻方式下的傳熱過(guò)程，...

MOS管和IGBT管作為開(kāi)關(guān)元件，在電子電路中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們?cè)谕庑渭疤匦詤?shù)上也比較相似，相信有不少人會(huì)疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管，而有的卻需要用到IGBT管？它們之間有何區(qū)別呢？接下來(lái)冠華偉業(yè)為你解惑！何為MOS管？MOS管即MOSF...

導(dǎo)致VT1管進(jìn)入飽和狀態(tài)，VT1可能會(huì)發(fā)燒，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒壞VT1。如果VD1出現(xiàn)擊穿故障，會(huì)導(dǎo)致VT1管基極直流偏置電壓下降，三極管VT1直流工作電流減小，VT1管放大能力減小或進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。二極管控制電路及故障處理二極管導(dǎo)通之后，它的正向電阻大小隨...

在顯微鏡下用針將LED芯片一個(gè)一個(gè)刺到相應(yīng)的位置上。手工刺片和自動(dòng)裝架相比有一個(gè)好處，便于隨時(shí)更換不同的芯片，適用于需要安裝多種芯片的產(chǎn)品。LED自動(dòng)裝架自動(dòng)裝架其實(shí)是結(jié)合了沾膠（點(diǎn)膠）和安裝芯片兩大步驟，先在LED支架上點(diǎn)上銀膠（絕緣膠），然后用...

脈沖寬度：2個(gè)20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對(duì)稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間≤10ms，超調(diào)量≤1%。⒁有回零保護(hù)、軟起動(dòng)、急停功能。⒂大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜。三相晶閘管觸...

IGBT功率模塊如何選擇？在說(shuō)IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個(gè)有MOSGate的BJT晶體管，可以簡(jiǎn)單理解...

也算是節(jié)省了不小的開(kāi)支。2013年6月15日我又在電腦上設(shè)計(jì)了幾張圖紙，希望能夠運(yùn)用到實(shí)戰(zhàn)中。讓房子變成我想象中的樣子。2013年6月20日我和老公把花園的門給定好了，看起來(lái)就很有安全感的樣子。2013年7月15日2020-03-30求大神,我家的電磁爐換過(guò)開(kāi)...

導(dǎo)語(yǔ)：如今我們的生活越來(lái)越離不開(kāi)電力了，我們大家都知道，不當(dāng)?shù)氖褂秒娏κ菚?huì)對(duì)我們的人身安全帶來(lái)隱患的，所以，我們的家庭中一般都會(huì)安裝一些對(duì)于電壓的保護(hù)裝置。其中常見(jiàn)的便是熔斷器了，如果通過(guò)它的電壓超過(guò)了一定的數(shù)值之后，它就會(huì)自動(dòng)的熔斷，以保障我們的...

有無(wú)緩沖區(qū)決定了IGBT具有不同特性。有N*緩沖區(qū)的IGBT稱為非對(duì)稱型IGBT，也稱穿通型IGBT。它具有正向壓降小、犬?dāng)鄷r(shí)間短、關(guān)斷時(shí)尾部電流小等優(yōu)點(diǎn)，但其反向阻斷能力相對(duì)較弱。無(wú)N-緩沖區(qū)的IGBT稱為對(duì)稱型IGBT，也稱非穿通型IGBT。它...

因?yàn)楦咚匍_(kāi)斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。(3)IGBT開(kāi)通后，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響，...

也是一個(gè)PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，不同之處是要求這種二極管的開(kāi)關(guān)特性要好。當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上正向電壓時(shí)，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的通態(tài)；當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上反向電壓時(shí)，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的斷態(tài)。二極管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)完成開(kāi)與關(guān)功能。開(kāi)關(guān)二極管就...

正向?qū)щ姡聪虿粚?dǎo)電）晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場(chǎng)，當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電...

或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。2、肖特基二極管的結(jié)構(gòu)肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N外延層（砷材料）、N型硅基片、N...

第1表面和第二表面相對(duì)設(shè)置；第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共柵極單元，以及，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中，第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接，公共柵極單元與第1發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之...

圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過(guò)程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）。開(kāi)通...

宜采用具有限流作用的RT0和RTl2系列的熔斷器熔體的額定電流可按以下方法選擇：1、保護(hù)無(wú)起動(dòng)過(guò)程的平穩(wěn)負(fù)載如照明線路、電阻、電爐等時(shí)，熔體額定電流略大于或等于負(fù)荷電路中的額定電流。2、保護(hù)單臺(tái)長(zhǎng)期工作的電機(jī)熔體電流可按大起動(dòng)電流選取，也可按下式選...

當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片...

并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電...

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓I...

熔絲座及斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，半導(dǎo)體熔斷器，中高壓熔斷器，高速熔斷器，通訊保護(hù)產(chǎn)品，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)熔斷器，熔斷器附件、顯示器、工具包，熔斷器技術(shù)，功率磁性元器件，超級(jí)電容，接線盒，車用熔斷器和斷路器。如同人們會(huì)出現(xiàn)過(guò)度勞累一樣，電氣和電子系統(tǒng)也會(huì)出現(xiàn)電路過(guò)載的情...

④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式，將低電位觸發(fā)...

在電路中作為限幅元件，可以把信號(hào)幅度限制在一定范圍內(nèi)。4、肖特基二極管的作用及其接法-續(xù)流肖特基二極管并聯(lián)在線兩端,當(dāng)流過(guò)線圈中的電流消失時(shí),線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)通過(guò)二極管和線圈構(gòu)成的回路做功而消耗掉.從而保護(hù)了電路中的其它原件的安全.續(xù)流二極管在...

而整流電流值低的二極管則不能代換整流電流值高的二極管。整流二極管檢查方法編輯首先將整流器中的整流二極管全部拆下，用萬(wàn)用表的100×R或1000×R歐姆檔，測(cè)量整流二極管的兩根引出線(頭、尾對(duì)調(diào)各測(cè)一次)。若兩次測(cè)得的電阻值相差很大，例如電阻值大的高...

只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過(guò)載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力快速熔斷器高壓限流熔斷器高壓限流熔斷器適用于交流50HZ，額定電壓，還可與其他電器(如開(kāi)關(guān)、接觸器等)配合使用，作為電動(dòng)機(jī)、變壓器、電容器等電力設(shè)備的過(guò)載或短路等保護(hù)。常用的型號(hào)...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，...

圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過(guò)程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）。開(kāi)通...

作為工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20的公共集電極單元200。此外，當(dāng)空穴收集區(qū)8內(nèi)設(shè)置有溝槽時(shí)，如圖10所示，此時(shí)空穴收集區(qū)8中的溝槽與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，即接觸多晶硅13?？蛇x的，在圖7的基礎(chǔ)上，圖11為圖7中的空穴收集區(qū)電極金屬3按照b-b...