三極管的應(yīng)用：放大作用，三極管較主要的功能就是放大功能。通過(guò)控制輸入信號(hào)的大小，三極管可以對(duì)電流進(jìn)行放大，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的增強(qiáng)。其基于小電流控制大電流的原則，通過(guò)較小的基極電流IB來(lái)控制較大的集電極電流IC。當(dāng)基極電流IB有微小的變化時(shí)，會(huì)引發(fā)集電極電流IC和...

什么是三極管？三極管全稱(chēng)是“晶體三極管”，也被稱(chēng)作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導(dǎo)體器件。通常指本征半導(dǎo)體三極管，即BJT管。典型的三極管由三層半導(dǎo)體材料，有助于連接到外部電路并承載電流的端子組成。施加到晶體管的任何一對(duì)端子的電壓或電流控制通過(guò)另一對(duì)端子的...

三極管顧名思義具有三個(gè)電極。二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基礎(chǔ)的)，其他的兩個(gè)電極分別稱(chēng)為集電極(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和發(fā)射極(...

大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱(chēng)之為“整流（Rectifying）”功能。二極管較普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)（稱(chēng)為順向偏壓），反向時(shí)阻斷 （稱(chēng)為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實(shí)際上二極管并不會(huì)表現(xiàn)出如此完美的開(kāi)與關(guān)的方...

高、低頻小功率管，高頻小功率三極管一般指特征頻率大于3MHz，功率小于1W的晶體三極管。主要使用于工作頻率比較高，功率不高于1W的放大電路，高頻振蕩電路。比如在晶體管收錄機(jī)、收音機(jī)、電視機(jī)的高頻電路中，可選用高頻小功率管。如3CG3A—E，3DG6A－D。低頻...

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱(chēng)為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱(chēng)為增強(qiáng)型。作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場(chǎng)...

三極管的應(yīng)用：①穩(wěn)壓功能，三極管還具有穩(wěn)壓功能，可以用于穩(wěn)定電壓。通過(guò)調(diào)整三極管的工作狀態(tài)，可以使電路的輸出電壓保持穩(wěn)定。在穩(wěn)壓電源、電池充電器中應(yīng)用較多。除了以上應(yīng)用外，三極管還可以用于振蕩器、調(diào)制解調(diào)器、電視機(jī)等電子設(shè)備中?？傊?，三極管作為一種重要的電子元...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題，就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài)，而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大...

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在電機(jī)控制系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)管用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié)。LED驅(qū)動(dòng)：場(chǎng)效應(yīng)管用于LED驅(qū)動(dòng)電路中，提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度。場(chǎng)效應(yīng)管的這些應(yīng)用展示了其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的多樣性和重要性。通過(guò)選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)型和設(shè)計(jì)合適的電路，可以實(shí)現(xiàn)...

值得注意的是，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，穩(wěn)壓二極管和普通二極管也在不斷升級(jí)和優(yōu)化。新型的穩(wěn)壓二極管具有更高的精度和更低的功耗，能夠滿(mǎn)足更高要求的電路應(yīng)用；而新型普通二極管則具有更快的響應(yīng)速度和更高的可靠性，能夠更好地適應(yīng)復(fù)雜的電路環(huán)境?？傊?，穩(wěn)壓二極管和普通二極...

Zener二極管：Zener二極管是一種具有特殊穩(wěn)壓特性的二極管，可以在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持電壓輸出，普遍應(yīng)用于電源穩(wěn)壓器、電路保護(hù)器等領(lǐng)域?？傊O管在電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常普遍，不同類(lèi)型的二極管在不同的電路中都有不同的作用和功能。肖特基二極管： 基本原理是在...

三極管其作用是把微弱信號(hào)放大成輻值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。接下來(lái)小編為大家介紹三極管的作用及三極管工作原理。三極管的作用：電流放大，三極管的作用之一就是電流放大，這也是其較基本...

開(kāi)關(guān)作用原理，下面說(shuō)說(shuō)三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無(wú)限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線(xiàn)路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝...

MOSFET應(yīng)用案例解析：開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能(下圖)，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，...

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過(guò)PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)...

開(kāi)關(guān)三極管，在開(kāi)關(guān)電路中，用來(lái)控制電路的開(kāi)啟和關(guān)閉，由加在開(kāi)關(guān)管基極上 脈沖信號(hào)來(lái)控制“短路”和“開(kāi)通”，是一個(gè)無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)。具有壽命長(zhǎng)、安全可靠、沒(méi)有機(jī)械磨損、開(kāi)關(guān)速度快、體積小等特點(diǎn)。開(kāi)關(guān)三極管可以用很小的電流，控制打電流的通斷，有較普遍的應(yīng)用。小功率開(kāi)...

場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過(guò)改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來(lái)控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類(lèi)型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電，因此也被稱(chēng)為單極型晶體管。分類(lèi)：結(jié)...

印度人賈格迪什·錢(qián)德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線(xiàn)電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在...

三極管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士發(fā)現(xiàn)，在他們發(fā)明的器件中通過(guò)的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過(guò)的大得多的電流，因而產(chǎn)生了放大效應(yīng)，這個(gè)器件就叫晶體管。三極管的發(fā)展沿革，在晶體管電子流出端的襯底外，沉積一層對(duì)應(yīng)材料，...

三極管的作用：模擬。用三極管夠成的電路還可以模擬其它元器件。大功率可變電阻價(jià)貴難覓，用圖9(g)電路可作模擬品，調(diào)節(jié)510電阻的阻值，即可調(diào)節(jié)三極管C、E兩極之間的阻抗，此阻抗變化即可代替可變電阻使用。圖9(h)為用三極管模擬的穩(wěn)壓管。其穩(wěn)壓原理是：當(dāng)加到A、...

場(chǎng)效應(yīng)管使用優(yōu)勢(shì)：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是既有多數(shù)載流子...

三極管的應(yīng)用：放大作用，三極管較主要的功能就是放大功能。通過(guò)控制輸入信號(hào)的大小，三極管可以對(duì)電流進(jìn)行放大，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的增強(qiáng)。其基于小電流控制大電流的原則，通過(guò)較小的基極電流IB來(lái)控制較大的集電極電流IC。當(dāng)基極電流IB有微小的變化時(shí)，會(huì)引發(fā)集電極電流IC和...

晶體三極管的種類(lèi)：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?，前者?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管：1、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）的分類(lèi)：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無(wú)論是什么溝道，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱(chēng)為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管。3、...

二極管的電壓與電流不是線(xiàn)性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時(shí)候要接相適應(yīng)的電阻。二極管工作原理（正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電），晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場(chǎng)，當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，因?yàn)閜-n結(jié)兩...

三極管工作原理：NPN型三極管的工作原理：我們以NPN型三極管為例，來(lái)講解三極管的工作原理，如圖3所示，為方便理解：以下正電子（空穴），負(fù)電子（自由電子）。（1）當(dāng)NPN三極管b極沒(méi)有電壓輸入時(shí)，由于三極管是兩個(gè)背對(duì)背的PN結(jié)組成，即NP之間、PN之間建立了2...

三極管工作原理：NPN型三極管的工作原理：我們以NPN型三極管為例，來(lái)講解三極管的工作原理，如圖3所示，為方便理解：以下正電子（空穴），負(fù)電子（自由電子）。（1）當(dāng)NPN三極管b極沒(méi)有電壓輸入時(shí)，由于三極管是兩個(gè)背對(duì)背的PN結(jié)組成，即NP之間、PN之間建立了2...

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從...