否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時(shí)，熱量來不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負(fù)載過載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等。常用的晶閘管過電流保護(hù)方法是快速熔斷器。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險(xiǎn)絲之前;不能用于保護(hù)晶閘管。埋銀保險(xiǎn)石英砂內(nèi)快速熔斷器，熔斷時(shí)間很短，它可以用來保護(hù)晶閘管。業(yè)績快速熔斷器主要有以下特征。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無同型號(hào)的晶閘管更換，可以通過選用中國與其工作性能設(shè)計(jì)參數(shù)相近的其他產(chǎn)品型號(hào)晶...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關(guān)斷，導(dǎo)通后控制極即不再起作用，要關(guān)斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性，必須...

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法。（1）按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管、反向晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管，晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的。其中，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形，板形，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無兩。（四）按電流容量分類晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝，而中、...

定義/晶閘管編輯晶閘管導(dǎo)通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）是一種開關(guān)元件，能在高電壓、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年，美國通用電器公司開發(fā)出世界上***個(gè)晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。結(jié)構(gòu)/晶閘管編輯晶閘管它是由一個(gè)P-N-P-N四層(4layers)半導(dǎo)體構(gòu)成的，中...

人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個(gè)特點(diǎn)。一、關(guān)斷時(shí)間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管，當(dāng)切斷正向電流時(shí)。并不能馬上“關(guān)斷”，這時(shí)如立即加上正向電壓，它還會(huì)繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時(shí)間，叫做關(guān)斷時(shí)間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程，實(shí)際上是儲(chǔ)存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時(shí)采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會(huì)影響元件的其它性能。二、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管?？偸窃诳拷?..

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT），又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極：控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來自光...

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)?，所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進(jìn)行品種、高壓品種?？煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科。“晶閘管交流技術(shù)”。可控硅發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量更好，收率有了很大的提高，并向高壓大電...

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：當(dāng)參考?jí)好綦娮柚绷?mA電流流動(dòng)，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來表示。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱電壓值不會(huì)隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一部分電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0，...

采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對(duì)較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè)、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護(hù)之間。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無感電容，接線應(yīng)盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆...

三相晶閘管觸發(fā)板是以高級(jí)工業(yè)級(jí)單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。中文名三相晶閘管觸發(fā)板外文名Three-phasethyristortriggerboard適應(yīng)適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載電壓5V～380V目錄1三相晶閘管觸發(fā)板2種高性能PID方案?適用電路?正常使用條件?工作原理?技術(shù)參數(shù)3三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板編輯使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器，性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓。三相晶閘管觸發(fā)板種高性能PID方案編輯適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載，控制精度高，動(dòng)態(tài)特性好。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對(duì)稱度≤°...

⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個(gè)20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對(duì)稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間≤10ms，超調(diào)量≤1%。⒁有回零保護(hù)、軟起動(dòng)、急停功能。⒂比較大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨(dú)有三相不平衡自動(dòng)調(diào)整功能，有效提高電能利用效率?！粝冗M(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)，改善了電網(wǎng)功率因數(shù)，可以有效節(jié)省用電量。◆具有移相觸發(fā)與過零觸發(fā)雙重工作模式，撥動(dòng)選擇開關(guān)，即可輕松實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換。◆多種控制信號(hào)輸入：DC4~20mA、DC0~10mA、DC1~5V、DC0~10V、開關(guān)...

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)是，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件。由于其控制信號(hào)來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個(gè)電極（陽極A和陰極K），結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號(hào)圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負(fù)向電壓時(shí)，控晶閘管可以...

美國通用電氣公司研發(fā)了世界上***個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優(yōu)勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電控制領(lǐng)域、大功率控制領(lǐng)域。在整流器的應(yīng)用上，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管），實(shí)現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無觸點(diǎn)化，并獲得巨大的節(jié)能效果。從1960年代開始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對(duì)稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個(gè)龐大的晶閘管家族。晶閘管在應(yīng)用中有效率高、控制特...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓。由于瞬時(shí)過電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時(shí)候，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平...

有三個(gè)不同電極、陽極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，而且動(dòng)作快、壽命長、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的，符號(hào)也不同。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個(gè)控制極。雙向可控硅有其獨(dú)特的特點(diǎn)：當(dāng)陽極接合，陽極接合或柵極的正向電壓，但沒有施加電壓時(shí)，它不導(dǎo)通，并且同時(shí)連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時(shí)，它將被關(guān)上。一旦開啟，控制電壓有它的作用失去了控制，無論控制電壓極性怎么沒有了，不管控制電...

當(dāng)選擇替代晶閘管，無論什么參數(shù)，不要有太多的左邊距，它應(yīng)該是盡可能接近的取代晶閘管的參數(shù)，由于過度保證金不造成浪費(fèi)，而且有時(shí)副作用，即沒有觸發(fā)，或不敏感等。另外，還要留意兩個(gè)晶閘管的外形要相同，否則會(huì)給企業(yè)安裝管理工作發(fā)展帶來一些不利。晶閘管的工作原理的陽極A和陰極K，其陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，形成晶閘管的主電路，晶閘管的柵極G和陰極與控制晶閘管的裝置連接，形成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，無論門極電壓是多少，晶閘管都會(huì)被關(guān)閉。2.當(dāng)所述晶閘管的陽極電壓是正向，在晶閘管的柵極電壓是正向傳導(dǎo)只的情況。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向影響陽極工...

Ia與Il成正比，即當(dāng)光電二極管的光電流增大時(shí)，光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大，同時(shí)Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時(shí)，光控晶閘管的Ia達(dá)到**大，即完全導(dǎo)通。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度，稱其為導(dǎo)通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經(jīng)觸發(fā)，即成通導(dǎo)狀態(tài)。只要有足夠強(qiáng)度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成為通導(dǎo)狀態(tài)，而后即使撤離光源也能維持導(dǎo)通，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關(guān)閉。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導(dǎo)通，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導(dǎo)通。這樣光控晶閘管受到了高溫和...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值，但有效值會(huì)超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下（100...

認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié)，分別稱：陽極，陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通，這是晶閘管的閘流特性，即可控特性。若晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減...

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)ǎ圆捎每煽毓栌袉坞p向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進(jìn)行品種、高壓品種?？煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”?？煽毓璋l(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量更好，收率有了很大的提高，并向高壓大電...

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對(duì)同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時(shí)會(huì)有很大的電流集中在門極附近...

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT），又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極：控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來自光...

當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管，圖2晶閘管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對(duì)稱性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規(guī)格3注意事項(xiàng)4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件，保證觸發(fā)控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導(dǎo)熱性能好，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍；采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。（3）觸發(fā)控制電路、主電路...

測量時(shí)黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時(shí)表針不動(dòng)，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓，此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號(hào)不同會(huì)有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動(dòng)，只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動(dòng)，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。特殊的晶閘管/晶閘管編輯雙向晶閘管TRIAC晶閘管從外表上看，雙向晶閘管和普通晶閘管很相似，也有三個(gè)電極。但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱...

當(dāng)選擇替代晶閘管，無論什么參數(shù)，不要有太多的左邊距，它應(yīng)該是盡可能接近的取代晶閘管的參數(shù)，由于過度保證金不造成浪費(fèi)，而且有時(shí)副作用，即沒有觸發(fā)，或不敏感等。另外，還要留意兩個(gè)晶閘管的外形要相同，否則會(huì)給企業(yè)安裝管理工作發(fā)展帶來一些不利。晶閘管的工作原理的陽極A和陰極K，其陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，形成晶閘管的主電路，晶閘管的柵極G和陰極與控制晶閘管的裝置連接，形成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，無論門極電壓是多少，晶閘管都會(huì)被關(guān)閉。2.當(dāng)所述晶閘管的陽極電壓是正向，在晶閘管的柵極電壓是正向傳導(dǎo)只的情況。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向影響陽極工...

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值，對(duì)其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT），又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極：控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來自光...

或電流）的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通，它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài)，而此時(shí)門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷，像一個(gè)二極管一樣導(dǎo)通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時(shí)，它才會(huì)截止。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后，允許門極在某個(gè)可控的時(shí)刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個(gè)不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時(shí)，BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)電路基本上沒有電流流過負(fù)載電阻RL，當(dāng)柵極輸入一個(gè)正脈沖電壓時(shí)BG2道通，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升...

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)是，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件。由于其控制信號(hào)來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個(gè)電極（陽極A和陰極K），結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號(hào)圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負(fù)向電壓時(shí)，控晶閘管可以...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對(duì)稱性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規(guī)格3注意事項(xiàng)4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件，保證觸發(fā)控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導(dǎo)熱性能好，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍；采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。（3）觸發(fā)控制電路、主電路...