平面結(jié)構(gòu)晶體管的缺點是如果提高額定電壓,漂移層會變厚,因此導通電阻會增加。MOSFET的額定電壓取決于垂直方向的漂移區(qū)的寬度和摻雜參數(shù)。為了提高額定電壓等級,通常增加漂移區(qū)的寬度同時降低摻雜的濃度,但會造成MOSFET的導通電阻大幅增加。同時,也是為了克服平面MOSFET的局限性,超結(jié)MOSFET應運而生。超結(jié)MOSFET利用了一種創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設計,明顯降低了導通電阻,同時維持了高擊穿電壓。那么,接下來要重點討論超結(jié)MOSFET(super junction mosfet)。 超結(jié)MOS(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor,簡稱SJ-MOS...
80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術提供了條件,推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管,以及各種組合器件,綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點,在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性,又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能,它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點,結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周...
無錫商甲半導體提供專業(yè)選型服務 封裝選擇關鍵因素 功率需求高功率(>100W):TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率(<100W):DPAK、SO-8、QFN。 **功率(信號級):SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強制散熱或大面積PCB銅箔散熱時,優(yōu)先選帶散熱片的封裝(如TO-247、D2PAK)。 自然散熱場景可選SO-8或QFN(需優(yōu)化PCB散熱設計)。 空間限制 緊湊型設備(如手機、穿戴設備):QFN、SOT-23。 工業(yè)設備或電源模塊:TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應用(>1MH...
功率器件是電力電子領域的重要組成部件,處理高壓大電流,廣泛應用于新能源、汽車電子和工業(yè)控制。碳化硅、氮化鎵等新材料正推動技術的革新,提升效率與可靠性。 功率器件定義與重要特性功率器件(Power Semiconductor Device)是電力電子領域的**組件,特指直接處理電能的主電路器件,通過電壓、電流的變換與控制實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換、放大、開關、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W,在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定的性能。 電力電子器件又稱為功率半導體器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件.南京制造功率器件MOS產(chǎn)品選型晶圓 無錫商甲半導體MOS 管...
功率MOSFET的基本特性 靜態(tài)特性MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。 漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性,ID較大時,ID與UGS的關系近似線性,曲線的斜率定義為跨導Gfs MOSFET的漏極伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應于GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應于GTR的飽和區(qū))。電力MOSFET工作在開關狀態(tài),即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來回轉(zhuǎn)換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流有利。 MOS管封裝技術也直接影...
各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件,其器件電流由伏安特性決定,除了改變加在二端間的電壓外,無法控制其陽極電流,故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件,其門極信號能控制元件的導通,但不能控制其關斷,稱半控型器件??申P斷晶閘管、功率晶體管等器件,其門極信號既能控制器件的導通,又能控制其關斷,稱全控型器件。后兩類器件控制靈活,電路簡單,開關速度快,廣泛應用于整流、逆變、斬波電路中,是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁、感應加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的重要部件。這些器件構(gòu)成裝置不僅體積小、工作可靠,而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%~40%)。S...
功率場效應晶體管(Power MOSFET)?是一種電壓控制型半導體器件,主要用于功率放大和開關應用。它屬于金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的一種,具有驅(qū)動電路簡單、開關速度快、工作頻率高等特點。功率場效應晶體管(VF)又稱VMOS場效應管。在實際應用中,它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。 隨著電子技術在工業(yè)、交通、消費、醫(yī)療等領域的蓬勃發(fā)展,當代社會對電力電子設備的要求也越來越高,功率半導體就是影響這些電力電子設備成本和效率的直接因素之一。自從二十世紀五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來,以硅(Si)材料為主的功率半導體器件就一直扮演著重要的角色,功率MOSFET是...
無錫商甲半導體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 TO-220 封裝TO-220 封裝是一種較為經(jīng)典且常見的封裝形式,具有通用性強、成本低的特點。它通常采用塑料材質(zhì),引腳呈直插式,便于焊接和安裝。TO-220 封裝的 MOS 管帶有一個較大的金屬散熱片,該散熱片與 MOS 管的漏極相連,能夠?qū)⑿酒a(chǎn)生的熱量傳導至外部。在自然對流的情況下,TO-220 封裝的 MOS 管散熱能力一般,熱阻約為 60 - 80℃/W 。但如果配合散熱片使用,散熱性能可得到***提升,熱阻能降低至 10 - 20℃/W,適用于功率在 10 - 50W 左右的**率電路。 由于這些明顯的優(yōu)點,功率場效...
功率器件是專門用來處理和控制高電壓、大電流電能的半導體器件,是電力電子電路的重要執(zhí)行元件。 它的主要作用和特點包括: 高功率處理能力:能夠在高電壓(可達數(shù)千伏甚至更高)和大電流(可達數(shù)百甚至數(shù)千安培)的條件下工作。主要作用是轉(zhuǎn)換、分配和管理電能,而非處理微弱信號。 開關作用:最常見的功能是作為開關。它需要能快速地開啟(導通)或關閉(關斷)高功率的電能流,控制電能輸送到負載的時間或大小。效率是關鍵:理想狀態(tài)下導通時電阻極?。▔航档?、損耗?。?,關斷時電阻極大(漏電流極小、損耗?。?。 承受大功耗,需要高效散熱:由于工作在高壓大電流下,即使效率很高,器件本身也會產(chǎn)生較大的熱...
功率器件主要應用領域: 電源:開關電源、不間斷電源、充電器(手機、電動車快充)、逆變器。 電機驅(qū)動:工業(yè)變頻器、電動汽車驅(qū)動電機控制器、家用電器(如空調(diào)壓縮機、洗衣機電機控制)。 電力轉(zhuǎn)換與控制:太陽能/風能發(fā)電并網(wǎng)逆變器、高壓直流輸電、工業(yè)電源。 照明:LED驅(qū)動電源。 消費電子:大功率音響功放、大型顯示設備背光電。 簡單來說,功率器件就是“電力世界的大力士開關”,負責在高壓大電流環(huán)境下高效地控制、切換和傳輸電能。 它的性能和效率對能源利用、電子設備性能有著至關重要的影響。 由于這些明顯的優(yōu)點,功率場效應晶體管在電機調(diào)速,開關電源等各種領域應用的非常多...
功率場效應晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(MetalOxideSemiconductorFET),簡稱功率MOSFET。 功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 功率MOSFET的種類:按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道,功率MOSFET主要是N溝道增強型。 功率MOSFET的結(jié)構(gòu) 功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號;其導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電,是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相...
無錫商甲半導體有限公司有下列封裝產(chǎn)品 TO-92封裝 TO-92封裝主要適用于低壓MOS管,其電流控制在10A以下,耐壓值不超過60V。此外,高壓1N60/65也采用了這種封裝方式,旨在幫助降低產(chǎn)品成本。 TO-263封裝 TO-263封裝,作為TO-220封裝的衍生品,旨在提升生產(chǎn)效率和散熱性能。它能夠支持極高的電流和電壓,特別適用于中壓大電流MOS管,其電流范圍在150A以下,電壓則超過30V。這種封裝方式在電力電子領域有著廣泛的應用。TO-252封裝 TO-252封裝,作為當前主流的封裝方式之一,其適用范圍***。在高壓環(huán)境下,它能夠承受7N以下的壓力;...
無錫商甲半導體有限公司有下列封裝產(chǎn)品 TO-220與TO-220FTO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似,可以相互替代。然而,TO-220背部配備了散熱片,因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時,由于成本因素,TO-220的價格也相對較高。這兩種封裝的產(chǎn)品都適用于中壓大電流場合,其電流范圍在120A以下,同時也可用于高壓大電流場合,但電流需控制在20A以內(nèi)。 TO-251封裝TO-251封裝的產(chǎn)品旨在降低生產(chǎn)成本并減小產(chǎn)品尺寸,特別適用于中壓大電流環(huán)境,電流范圍控制在60A以下,同時也可用于高壓環(huán)境,但需確保電流在7N以下。 它屬于金屬氧化物半導...
功率場效應晶體管(Power MOSFET)?是一種電壓控制型半導體器件,主要用于功率放大和開關應用。它屬于金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的一種,具有驅(qū)動電路簡單、開關速度快、工作頻率高等特點。功率場效應晶體管(VF)又稱VMOS場效應管。在實際應用中,它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。 隨著電子技術在工業(yè)、交通、消費、醫(yī)療等領域的蓬勃發(fā)展,當代社會對電力電子設備的要求也越來越高,功率半導體就是影響這些電力電子設備成本和效率的直接因素之一。自從二十世紀五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來,以硅(Si)材料為主的功率半導體器件就一直扮演著重要的角色,功率MOSFET是...
無錫商甲半導體提供專業(yè)選型 功率MOS管的關鍵參數(shù) ***比較大額定值 ***比較大額定值是功率MOS管不應超過的允許限制,即使是一瞬間也不行。這些值包括漏源電壓、柵極電壓、漏極電流等。了解這些額定值對于確保功率MOS管在正常工作范圍內(nèi)運行至關重要。超過這些值可能會導致器件損壞,降低系統(tǒng)的可靠性。 漏源擊穿電壓(V(BR)DSS) 漏源擊穿電壓是漏極和源極之間的擊穿電壓,決定了器件能夠承受的最大電壓。選擇較高的擊穿電壓可以提高器件的安全性,但會增加導通電阻。漏源擊穿電壓的選擇需要在安全性和效率之間進行權(quán)衡。較高的擊穿電壓可以提供更高的安全性,但會增加功率損耗。...
功率器件是電力電子領域的重要組成部件,處理高壓大電流,廣泛應用于新能源、汽車電子和工業(yè)控制。碳化硅、氮化鎵等新材料正推動技術的革新,提升效率與可靠性。 功率器件定義與重要特性功率器件(Power Semiconductor Device)是電力電子領域的**組件,特指直接處理電能的主電路器件,通過電壓、電流的變換與控制實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換、放大、開關、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W,在高壓、大電流工況下保持穩(wěn)定的性能。 功率器件屬于分立器件,單獨封裝且功能不可拆分(如IGBT單管);溫州專業(yè)選型功率器件MOS產(chǎn)品選型哪里有 超結(jié)MOS的特點: 1、低導通電阻通過在...
平面結(jié)構(gòu)晶體管的缺點是如果提高額定電壓,漂移層會變厚,因此導通電阻會增加。MOSFET的額定電壓取決于垂直方向的漂移區(qū)的寬度和摻雜參數(shù)。為了提高額定電壓等級,通常增加漂移區(qū)的寬度同時降低摻雜的濃度,但會造成MOSFET的導通電阻大幅增加。同時,也是為了克服平面MOSFET的局限性,超結(jié)MOSFET應運而生。超結(jié)MOSFET利用了一種創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設計,明顯降低了導通電阻,同時維持了高擊穿電壓。那么,接下來要重點討論超結(jié)MOSFET(super junction mosfet)。 超結(jié)MOS(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor,簡稱SJ-MOS...
即是在大功率范圍應用的場效應晶體管,它也稱作功率MOSFET,其優(yōu)點表現(xiàn)在以下幾個方面:1. 具有較高的開關速度。2. 具有較寬的安全工作區(qū)而不會產(chǎn)生熱點,并且具有正的電阻溫度系數(shù),因此適合進行并聯(lián)使用。3. 具有較高的可靠性。4. 具有較強的過載能力。短時過載能力通常額定值的4倍。5. 具有較高的開啟電壓,即是閾值電壓,可達2~6V(一般在1.5V~5V之間)。當環(huán)境噪聲較高時,可以選 用閾值電壓較高的管子,以提高抗干擾能力;反之,當噪聲較低時,選用閾值電壓較低的管子,以降低所需的輸入驅(qū)動信號電壓。給電路設計帶來了極大地方便。6. 由于它是電壓控制器件,具有很高的輸入阻抗,因此其驅(qū)動功率很小...
無錫商甲半導體提供專業(yè)選型服務 封裝選擇關鍵因素 功率需求高功率(>100W):TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率(<100W):DPAK、SO-8、QFN。 **功率(信號級):SOT-23、SC-70。 散熱條件 需要強制散熱或大面積PCB銅箔散熱時,優(yōu)先選帶散熱片的封裝(如TO-247、D2PAK)。 自然散熱場景可選SO-8或QFN(需優(yōu)化PCB散熱設計)。 空間限制 緊湊型設備(如手機、穿戴設備):QFN、SOT-23。 工業(yè)設備或電源模塊:TO系列或D2PAK。 高頻性能 高頻應用(>1MH...
超結(jié)MOS的特點: 1、低導通電阻通過在縱向結(jié)構(gòu)中引入多個P型和N型層的超結(jié)設計,極大地降低了功率器件的導通電阻,在高電壓應用中尤為明顯。 2、高耐壓性傳統(tǒng)MOSFET在提高耐壓的同時會增加導通電阻,而超結(jié)結(jié)構(gòu)通過優(yōu)化電場分布,使其在保持高耐壓的同時仍能保持較低的導通電阻。 3、高效率超結(jié)MOS具有較快的開關速度和低損耗特性,適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應用。 4、較低的功耗由于導通電阻和開關損耗的降低,超結(jié)MOS在工作時的能量損耗也明顯減少,有助于提高系統(tǒng)的整體能效。 MOSFET具有較高的開啟電壓,即是閾值電壓.湖州新型功率器件MOS產(chǎn)品選型價格行情 無錫商...
MOSFET管封裝概述 在完成MOS管芯片的制作后,為保護芯片并確保其穩(wěn)定工作,需要為其加上一個封裝外殼。這一過程即為MOS管封裝,它不僅提供支撐和保護,還能有效冷卻芯片,同時為電氣連接和隔離創(chuàng)造條件,從而構(gòu)成完整的電路。值得注意的是,不同的封裝設計和規(guī)格尺寸會影響MOS管的電性參數(shù)及其在電路中的應用。封裝的選擇也是電路設計中不可或缺的一環(huán)。 無錫商甲半導體提供個性化參數(shù)調(diào)控,量身定制,***為客戶解決匹配難題。選對封裝讓設計事半功倍。 ?新能源領域?:光伏逆變器、風力發(fā)電變流器、儲能系統(tǒng);蘇州焊機功率器件MOS產(chǎn)品選型參數(shù)選型事實表明,無論是電力、機械、礦冶、交通、石油、能源...
功率MOSFET的基本特性 動態(tài)特性MOSFET其測試電路和開關過程。開通過程;開通延遲時間td(on)—Up前沿時刻到UGS=UT并開始出現(xiàn)iD的時刻間的時間段;上升時間tr—UGS從UT上升到MOSFET進入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時間段;iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關,UGS達到UGSP后,在up作用下繼續(xù)升高直至達到穩(wěn)態(tài),但iD已不變。開通時間ton—開通延遲時間與上升時間之和。 關斷延遲時間td(off)—Up下降到零起,Cin通過RS和RG放電,UGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時,iD開始減小為零的時間段。下降時間tf...
超結(jié)MOS的特點: 1、低導通電阻通過在縱向結(jié)構(gòu)中引入多個P型和N型層的超結(jié)設計,極大地降低了功率器件的導通電阻,在高電壓應用中尤為明顯。 2、高耐壓性傳統(tǒng)MOSFET在提高耐壓的同時會增加導通電阻,而超結(jié)結(jié)構(gòu)通過優(yōu)化電場分布,使其在保持高耐壓的同時仍能保持較低的導通電阻。 3、高效率超結(jié)MOS具有較快的開關速度和低損耗特性,適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應用。 4、較低的功耗由于導通電阻和開關損耗的降低,超結(jié)MOS在工作時的能量損耗也明顯減少,有助于提高系統(tǒng)的整體能效。 電力電子器件又稱為功率半導體器件,主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件.南...
SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET),是一種半新型的功率半導體器件。它基于傳統(tǒng)溝槽MOSFET技術,并通過結(jié)構(gòu)上的改進來提升性能,特別是在降低導通電阻和開關損耗方面表現(xiàn)出色。接下來,我們將詳細介紹SGT MOSFET的特點、優(yōu)勢以及應用領域。 SGT MOS的關鍵結(jié)構(gòu)創(chuàng)新是將傳統(tǒng)MOSFET的單柵極拆分為兩個柵極: 控制柵(Control Gate):位于溝槽頂部,直接控制溝道的開啟與關閉,與傳統(tǒng)MOSFET柵極功能類似。 屏蔽柵(Shield Gate):位于溝槽側(cè)壁或底部,通常與源極連接(而非漏極),...
功率場效應晶體管及其特性一、 功率場效應晶體管是電壓控制器件,在功率場效應晶體管中較多采用的是V溝槽工藝,這種工藝生產(chǎn)地管稱為VMOS場效應晶體管,它的柵極做成V型,有溝道短、耐壓能力強、跨導線性好、開關速度快等優(yōu)點,故在功率應用領域有著廣泛的應用,出現(xiàn)一種更好的叫TMOS管,它是在VMOS管基礎上改進而成的,沒有V形槽,只形成了很短的導通溝槽。二、 功率場效應晶體管的基本參數(shù)及符號1.極限參數(shù)和符號(1) 漏源極間短路時,柵漏極間的耐壓VGDS(2) 漏源極間開路時,柵漏極間的耐壓VGSO(3) 柵源極在規(guī)定的偏壓下,漏源極間耐壓VDSX(4) 擊穿電壓BVDS(5) 柵極電流IG(6) 比...
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,并以此命名。由...
無錫商甲半導體MOS 管封裝形式及散熱性能分析 DPAK 封裝 DPAK 封裝也稱為 TO-252 封裝,屬于表面貼裝封裝形式,兼具一定的散熱能力和較小的體積。它的底部有一個較大的金屬焊盤,可直接焊接在電路板上,增加了與電路板的接觸面積,有利于熱量傳導。DPAK 封裝的熱阻一般在 50 - 80℃/W,適用于功率在 10 - 30W 的電路,在汽車電子、電源適配器等領域應用***。例如,在汽車的車燈控制電路中,DPAK 封裝的 MOS 管既能滿足功率需求,又能適應汽車電路板緊湊的布局要求。 D2PAK 封裝 D2PAK 封裝是 DPAK 封裝的升級版,也被...
SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET),是一種半新型的功率半導體器件。它基于傳統(tǒng)溝槽MOSFET技術,并通過結(jié)構(gòu)上的改進來提升性能,特別是在降低導通電阻和開關損耗方面表現(xiàn)出色。接下來,我們將詳細介紹SGT MOSFET的特點、優(yōu)勢以及應用領域。 SGT MOS的關鍵結(jié)構(gòu)創(chuàng)新是將傳統(tǒng)MOSFET的單柵極拆分為兩個柵極: 控制柵(Control Gate):位于溝槽頂部,直接控制溝道的開啟與關閉,與傳統(tǒng)MOSFET柵極功能類似。 屏蔽柵(Shield Gate):位于溝槽側(cè)壁或底部,通常與源極連接(而非漏極),...
晶體管外形封裝(TO) TO封裝作為早期的封裝規(guī)格,涵蓋諸如TO-3P、TO-247等多種設計。這種封裝形式以其高耐壓和強抗擊穿能力著稱,適用于中高壓、大電流的MOS管。在現(xiàn)代應用中,TO封裝逐漸向表面貼裝式發(fā)展。 雙列直插式封裝(DIP) DIP封裝以其兩排引腳設計而聞名,被設計為插入到具有相應DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座中。DIP封裝還有其緊縮版——SDIP(Shrink DIP)。DIP封裝類型多樣,包括多層陶瓷雙列直插式DIP等,其優(yōu)勢在于與主板的兼容性較好。然而,DIP封裝由于其較大的封裝面積和厚度,可靠性相對較低。 外形晶體管封裝(SOT) SOT是一種貼...
功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數(shù)載流子工作,因而具有許多優(yōu)點:能與集成電路直接相連;開關頻率可在數(shù)兆赫以上(可達100MHz),比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍;導通電阻具有正溫度系數(shù),器件不易發(fā)生二次擊穿,易于并聯(lián)工作。與GTR相比,功率MOSFET的導通電阻較大,電流密度不易提高,在100kHz以下頻率工作時,其功率損耗高于GTR。此外,由于導電溝道很窄(微米級),單元尺寸精細,其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大(有100A/60V,75A/100V,5A/1000V等幾種)。常用功率MOS 管 無錫商甲半導體 交貨快 品質(zhì)好.杭州定制...