整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時，主要應考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對截止頻率的反向恢復時間要求不高，只要根據(jù)電路的要求選擇比較大整流電...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導通。應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductor module）。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整...

脈沖數(shù)越多，整流器的輸入電流及輸出電壓特性越好，但是整流器的系統(tǒng)越復雜。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容量大，體積龐大。自耦變壓整流...

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗...

晶閘管模塊：現(xiàn)代電力電子技術(shù)的關(guān)鍵器件在當今的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，晶閘管模塊作為一種關(guān)鍵的功率半導體器件，扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調(diào)壓、逆變等電力轉(zhuǎn)換過程中發(fā)揮著重要作用，還在眾多工業(yè)應用領(lǐng)域中展現(xiàn)了其獨特的價值和優(yōu)勢。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...

（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導熱底板相互隔離，導熱底板不帶電，絕緣強度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對稱性好，直流分量小。大規(guī)格模塊具有過熱、過流、缺相保護作用。（5）輸入0～10V直流控制信號或0～5V直流控制信號、4～20mA...

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導...

確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計一個驅(qū)動器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù)，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

光控晶閘管：通過光照度觸發(fā)導通，具有很強的抗干擾能力和良好的高壓絕緣性能。特點：體積小、效率高、壽命長。能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備。反應極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷。無觸點運行，無火花、無噪音。但靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差，容易受干擾而誤導通。三、主要參數(shù)...

IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）、照相機的頻閃觀測器、感應加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，...

而對于5次和7次諧波電流，以及更高次16(2n+1)±1，n=0，1，2，…的諧波電流來說，兩組6脈波TCR在變壓器的一次側(cè)產(chǎn)生的諧波電流幅值相等，但相位剛好相反，二者相互抵消。所以在一次側(cè)的線電流里將*含12n±1(13為整數(shù))次諧波，也使得對諧波濾波器的要...

同時，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢也日益明顯。通過集成先進的控制算法和通信技術(shù)，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件，以其獨特的性能和廣闊的應...

fsw max. : 比較高開關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)...

有些驅(qū)動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負載， 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。 [1]一般整流橋應用時, 常在其負載端接有平波電抗器, 故可將其負載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和...

二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關(guān)連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為...

脈沖數(shù)越多，整流器的輸入電流及輸出電壓特性越好，但是整流器的系統(tǒng)越復雜。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容量大，體積龐大。自耦變壓整流...

可控整流：與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓：通過控制晶閘管的導通角來調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無觸點電子開關(guān)：在電路中起到可控電子開關(guān)的作用，控制電路的接通和斷開。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計注意事項在晶閘管的...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個字母)交流半導體開...

2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗??；反之則慢，同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅...

這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)...

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個，如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志，如表1-6所示。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT ...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外，還有驅(qū)動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監(jiān)測功能，如過電流和短路保護，驅(qū)動器電源電壓控制和直流母線電壓測...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導體結(jié)構(gòu)，有三個極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導體器件由弱電領(lǐng)域擴展到強電領(lǐng)域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與...

一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm?？芍苯踊蚴褂脦?qū)動電路（通過彈簧連接）的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅(qū)動器是這方面理想的產(chǎn)品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”，即將設(shè)定點值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動脈沖序列的控制器不包含在模...

· 驅(qū)動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮。另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和...