當晶閘管全部導通時，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。只在關斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。二是降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外，閂鎖...

該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調(diào)制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動，直到輸出側停...

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發(fā)角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當觸發(fā)角超過90°以后，電流變?yōu)榉钦业?，隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發(fā)，就只會...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋...

橋式整流模塊是一種將交流電轉換為直流電的電力電子器件，采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，經(jīng)特殊燒結工藝，保證焊接層無空洞，使用更可靠。采用DCB板及其它高級導熱絕緣材料，導熱性能好，導熱基板不帶電（MDY2000型模塊除外），保證使用安全。熱循環(huán)負載次數(shù)超過國...

常用的不控整流電路有四種。三相半波電路（圖2a）指在電源一個周期內(nèi)有三個二極管輪流導電，就可得到三脈波整流電壓。該電路優(yōu)點是接線簡單，但變壓器次級繞組的導電角*120°，因此繞組的利用率較低，而且電流是單方向的，它的直流分量形成直流安匝的磁通勢并產(chǎn)生較大的漏磁...

這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通...

多脈沖整流是指在一個三相電源系統(tǒng)中，輸出直流電壓在一個周期內(nèi)多于6個波頭，通常有12、18、24脈沖。多脈沖整流器通常由移相整流變壓器和整流橋兩部分組成。輸入三相電壓通過變壓器移相，產(chǎn)生幾組三相電壓輸出到整流橋。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波...

4、各種保護功能相對**，保護定值、實現(xiàn)、閉鎖條件和保護投退可**整定和配制。5、保護功能實現(xiàn)不依賴于通訊網(wǎng)絡，滿足電力系統(tǒng)保護的可靠性。整流變壓器微機保護裝置具備進線保護、出現(xiàn)保護，分段保護、配變保護、電動機保護、電容器保護、主變后備保護、發(fā)電機后備保護、P...

?IGBT驅動電路是一種復合全控型電壓驅動式功率的半導體器件IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓栝_關（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動的。一般負載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用，而對交流分量的感抗很大。這樣，就能在負載上得到平直的直流電壓Ud，其數(shù)值等于脈動電壓...

Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來...

(2) 在風機吊裝完后，吊裝變壓器直接就位于基礎上，利用千斤頂進行找平、找正。(3) 按廠家規(guī)定的固定方式（螺接或焊接）進行變壓器與基礎之間的連接。(4) 若為分體到貨，在變壓器安裝找正后，進行外殼的安裝。(5) 懸掛標志牌，清掃變壓器箱體內(nèi)部。(6) 在下一...

保護裝置整流變壓器微機保護裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機、高精度電流電壓互感器、高絕緣強度出口中間繼電器、高可靠開關電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護、通訊為一體化的一種經(jīng)濟型保護。整流變壓器微機保護裝置的優(yōu)點1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護，...

可控整流：與整流器件構成調(diào)壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓：通過控制晶閘管的導通角來調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無觸點電子開關：在電路中起到可控電子開關的作用，控制電路的接通和斷開。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關鍵器件使用。五、設計注意事項在晶閘管的...

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時IGBT 被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，...

另外，變壓器的標稱容量還與允許的溫升有關，例如，如果一臺1000KVA的變壓器，允許溫升為100K，如果在特殊的情況下，可以允許其工作到120K，則其容量就不止1000KVA。由此也可以看出，如果改善變壓器的散熱條件，則可以增大其標稱容量，反過來說，對于相同容...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時， 可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電...

若欲使可控硅關斷，也有兩個關斷條件：1） 使正向導通電流值小于其工作維持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向?？梢?，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號開通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次，才能使其關斷。若...

功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實現(xiàn)不同功能，功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半...

2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件，如果沒有柵極電阻，驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內(nèi)部的輸出管上，使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗??；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導通。應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個...

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號，...

三組電壓矢量長度不同，其中電網(wǎng)輸出電壓矢量**長，為主矢量，由于輔矢量短，每個主矢量與相位差較大的輔矢量構成線電壓整流后輸出。如右圖3所示，輸出的線電壓共三組18個。為了保證輸出電壓平滑，輸出的各線電壓矢量長度相等，且相鄰矢量間隔為20°。在一個交流周期內(nèi)，每...

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋...

在輸出波形圖中，N相平直虛線是整流濾波后的平均輸出電壓值。虛線以下和各正弦波的交點以上（細虛線以上）的小脈動波是整流后未經(jīng)濾波的輸出電壓波形。圖二是三相全波整流橋的電路圖（帶電容）。三相半波整流橋半橋是將連接好的3個整流二極管（和一個電容器）封裝在一起，組成一...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經(jīng)得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT ...

IGBT電源模塊通過集成MOSFET的柵極絕緣層與GTR的雙極型導電機制，實現(xiàn)低損耗高頻開關功能。其柵極電壓控制導通狀態(tài)，當施加正向電壓時形成導電溝道，集電極-發(fā)射極間呈現(xiàn)低阻抗特性 [1]主要部署于高壓能量轉換場景：1.工業(yè)控制：驅動交流電機調(diào)速系統(tǒng)，提升變...