晶閘管模塊在通電情況下，只要有某種正向陽極電壓，晶閘管模塊就會保持通電，也就是說，晶閘管模塊通電之后，門極就失去作用。門極用于觸發(fā)。晶閘管模塊導(dǎo)通時，當(dāng)主回路電壓（或電流）降至接近零時，晶閘管模塊就會關(guān)閉。晶閘管模塊與IGBT模塊的區(qū)別是什么？SCR別稱可控晶閘管，在高壓力、大電流應(yīng)用情況中，SCR是主流的功率電子元器件，IGBT模塊進(jìn)步迅猛，并有替代SCR的趨向。單片機容量大、功耗低的電子設(shè)備仍然占主導(dǎo)地位。具有出色工作性能的晶閘管衍生產(chǎn)品功能主要器件有許多，雙向、逆導(dǎo)、門極關(guān)斷和光控晶閘管等。晶閘管模塊的外形如下：IGBT晶閘管，結(jié)構(gòu)為絕緣柵雙極型場效應(yīng)晶體管，可由傳導(dǎo)管觸發(fā)，因此我們稱之...

IGBT芯片通常由N型和P型半導(dǎo)體材料組成，它們交替排列形成PN結(jié)，通過控制PN結(jié)的導(dǎo)電狀態(tài)，可以實現(xiàn)IGBT芯片的開關(guān)控制。IGBT芯片的性能和參數(shù)對晶閘管模塊的性能和參數(shù)有著重要的影響。驅(qū)動器是將控制信號轉(zhuǎn)換成IGBT芯片的開關(guān)信號的電路，它通常由隔離變壓器、晶閘管、反向并聯(lián)二極管等組成。驅(qū)動器的作用是提供足夠的電流和電壓，使IGBT芯片能夠快速開關(guān)，同時保證IGBT芯片和控制信號之間的隔離，以保證系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性，散熱器是晶閘管模塊中非常重要的部件之一淄博正高電氣累積點滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！泰安晶閘管智能控制模塊廠家直銷體積小、重量輕：可控硅模塊采用半導(dǎo)體技術(shù)，體積小、重量輕，可以節(jié)...

若測量結(jié)果有一次阻值為幾百歐姆，則可判定黑表筆接的是門極。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極，而在阻值為幾千歐姆的測量中，紅表筆接的是陽極，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極，應(yīng)用同樣的方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。也可以測任兩腳之間正反向電阻，若正反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極和陰極，而另一腳為門極。普通晶閘管模塊也可能根據(jù)其封裝形式來判斷各電極。螺栓形普通晶閘管模塊的螺栓一端為陽極，較細(xì)的引線端為門極，較粗的引線端為陰極。平板型普通晶閘管模塊的引出線端為門極，平面端為陽極，另一端為陰極。塑封（TO-220）普通晶閘管的中間引腳為陽極，且多為自帶散熱片相...

過流保護(hù)措施一般為：在電路中串聯(lián)一個快速熔斷器，其額定電流約為晶閘管電流平均值的。連接位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，額定電流在交流側(cè)，通常采用交流側(cè)。過電壓保護(hù)通常發(fā)生在有電感的電路中，或交流側(cè)有干擾的浪涌電壓或交流側(cè)暫態(tài)過程產(chǎn)生的過電壓。由于過電壓峰值高、動作時間短，常用電阻和電容吸收電路來控制過電壓。控制大感性負(fù)載時的電網(wǎng)干擾及自干擾的避免在控制較大的感性負(fù)載時，會對電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾。其原因是當(dāng)控制一個連接感性負(fù)載的電路斷開或閉合時，線圈中的電流通路被切斷，變化率很大。因此，在電感上產(chǎn)生一個高電壓，通過電源的內(nèi)阻加到開關(guān)觸點的兩端，然后感應(yīng)到電壓應(yīng)該一次又一次地放電，直到感應(yīng)電壓低于放電所需...

二極管模塊可以想成電子版的逆止閥。以上就是晶閘管模塊和二極管模塊的介紹，通過這篇文章您可以了解到它們是兩種不同的器件，所擁有的功能也是不一樣的，所以一定不要弄錯了。晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時需要注意哪些事項？晶閘管模塊在長期的使用情況下會產(chǎn)生高溫，這時就必須安裝散熱器，有時會因為散熱器安裝與使用方法的不當(dāng)，效果就有很大的差異，下面正高電器來講下晶閘管模塊中的水冷散熱器重復(fù)使用時需要注意哪些事項？用簡易數(shù)字萬用表附帶的點溫計對KK2000A晶閘管管芯陶瓷外殼的溫度進(jìn)行了測量，對比同一臺設(shè)備，同類器件，不同散熱器在相同工作條件下的溫度，以此來比較散熱器的散熱效果。具體測量的有關(guān)數(shù)據(jù)如下：工...

四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度較高，(b)觸發(fā)靈敏度低，為了保證觸發(fā)同時又要盡量限制門極電流，應(yīng)選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式?？煽毓枘K過載的保護(hù)可控硅模塊優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的～2倍來取；為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對過流的保護(hù)措施是在...