寶山區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)私人定做

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-31

    技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明提供了一種閃存htol測(cè)試方法,以解決閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問題。本發(fā)明提供的閃存htol測(cè)試方法,包括:提供待測(cè)閃存,所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元;所述閃存參考單元中捕獲有空穴;對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中部分丟失,以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。進(jìn)一步的,所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極和漏極,位于所述導(dǎo)電溝道上方的柵極單元,所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)層以及控制柵,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻。 TH801智能老化系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。寶山區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)私人定做

芯片ATE程序開發(fā)及FT測(cè)試FT(FinalTest)是芯片在封裝完成以后進(jìn)行的*終的功能和性能測(cè)試,是產(chǎn)品質(zhì)量控制*后環(huán)節(jié),通過ATE+Handler+loadboard檢測(cè)并剔除封裝工藝和制造缺陷等生產(chǎn)環(huán)節(jié)問題的芯片。測(cè)試程序覆蓋功能和全pin性能參數(shù),并補(bǔ)充CP未覆蓋的功能。服務(wù)內(nèi)容:老化方案開發(fā)測(cè)試硬件設(shè)計(jì)ATE開發(fā)調(diào)試可靠性試驗(yàn)在要求點(diǎn)(如0、168、500、1000 hr)進(jìn)行 ATE 測(cè)試,確定芯片是否OK, 記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù),并分析老化過程中的變化。靜安區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)排行榜上海頂策科技有限公司可靠性測(cè)試服務(wù),涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號(hào),SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)。

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提供可靠性測(cè)試整體解決方案:可靠性設(shè)備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù),通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,大幅提高HTOL效率,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性,讓報(bào)告更有說服力,下游客戶更放心??煽啃詼y(cè)試事業(yè)部提供可靠性測(cè)試整體解決方案,包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備,以及測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試實(shí)驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。上海頂策科技有限公司可靠性測(cè)試部,提供芯片可靠性測(cè)試整體解決方案。

上海頂策科技有限公司(Topictest)推出的TH801智能在線監(jiān)控動(dòng)態(tài)老化設(shè)備,擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,大幅提高HTOL效率。可靠性測(cè)試事業(yè)部提供可靠性測(cè)試整體解決方案,包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備,以及測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),可以滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù),大幅度提高HTOL效率,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本,全程數(shù)據(jù)記錄,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性,有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄,讓報(bào)告更有說服力,下游客戶更放心。集成電路動(dòng)態(tài)老化設(shè)備,上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)。寶山區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)私人定做

上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng),全程數(shù)據(jù)記錄,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性。寶山區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)私人定做

在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷,若iref<i,則閃存讀出“1”;若iref>i,則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:本發(fā)明所提供的閃存htol測(cè)試方法,對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中存在丟失,以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量,從而使閃存htol讀“0”通過,解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問題,提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖;寶山區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)私人定做

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