導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗證過程中閃存參考單元會有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時間不容延期。從測試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)。一體化HTOL測試機專賣店
技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種閃存htol測試方法，以解決閃存htol測試中讀點失效的問題。本發(fā)明提供的閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。進一步的，所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極和漏極，位于所述導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)層以及控制柵，所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻。 怎樣選擇HTOL測試機參數(shù)TH801智能老化系統(tǒng)，實時監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。
在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；
MIL-STD-883K-2016：穩(wěn)態(tài)反向偏置S級**少時間有240h到120h共6個級別；B級**少時間352h到12h共10個級別；K級**少時間從700h到320h共6個級別。S級最低溫度從125℃到150℃共6個級別；B級別最低溫度從100℃到250℃；K級最低溫度從100℃到125℃。電壓大小全部為額定電壓B：穩(wěn)態(tài)正向偏置C：穩(wěn)態(tài)功率反向偏置D：并聯(lián)勵磁E：環(huán)形振蕩器F：溫度加速試驗————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：blog./qq_36671997/article/details/。 TH801智能老化系統(tǒng)，方便靈活配置芯片狀態(tài)、施加信號，提高HTOLdebug及Setup效率。
芯片HTOL測試項目柔性開發(fā)，芯片HTOL測試自研設(shè)備。上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機，擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。提供可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定，PCB設(shè)計制作，測試試驗，滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計，原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告。上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測試機TH801可以為芯片HTOL測試節(jié)省更多時間、FA成本。國內(nèi)HTOL測試機市面價
上海頂策科技有限公司自主研發(fā)智能一體化HTOL測試機TH801實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度。一體化HTOL測試機專賣店
一種閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。具體的，待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，一體化HTOL測試機專賣店
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