高溫工作壽命實驗（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）測試目的：芯片處于高溫條件下，加入動態(tài)信號，并長時間工作，以評估其使用壽命，并確定其可靠性。測試條件：結溫(Tj)≧125℃，電壓Vcc≧Vccmax，測試時間：1000hrs樣品數：77ea/lot,3lots測試讀點：168、500、1000hrs參考規(guī)范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作壽命試驗、老化試驗(OperatingLifeTest)，為利用溫度、電壓加速方式，在短時間試驗內，預估芯片在長時間可工作下的壽命時間(生命周期預估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：評估早夭階段的故障率或藉由BI手法降低出貨的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，針對失效模式中的InfantMortality，一般測試低于48小時，車規(guī)級芯片需要100%BI測試。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：評估可使用期的壽命時間-FIT/MTTF，針對失效模式中的Wearout，一般需要測試1000小時，屬于抽樣測試。 可靠性事業(yè)部提供各類芯片的可靠性測試方案，原理圖設計，PCB加工制作，出具可靠性報告等一條龍服務。崇明區(qū)有哪些HTOL測試機
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本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經過編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實施例的閃存參考單元經過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實施例的閃存參考單元經過編譯和擦除循環(huán)后再進行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標號如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質層；106-控制柵；107-側墻；具體實施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法，以下結合附圖和具體實施例作進一步詳細說明。根據下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細的比例，*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖，上海頂策科技智能HTOL系統，通過監(jiān)測數據，可實時發(fā)現問題并介入分析，大幅度提高HTOL效率。
可靠性方案設計，HTOL測試服務。涵蓋模擬，數字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設計，原理圖設計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告，上海頂策科技有限公司提供高質量、高效率、低成本HTOL測試方案。自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術，大幅度提高HTOL效率，節(jié)省更多時間、FA成本，全程數據記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL數據記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。上海頂策科技TH801智能老化系統，實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，具體到每顆芯片的狀態(tài)數據。奉賢區(qū)有哪些HTOL測試機
上海頂策科技智能HTOL系統，實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質量。崇明區(qū)有哪些HTOL測試機
HTOL的注意要點高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進行，除了給器件合適的偏置與負載外，主要包括溫度應力和電壓應力，這兩者都屬于加速因子。合理設置溫度應力和電壓應力，以便在合理的時間和成本下完成壽命評估。對于硅基產品，溫度應力一般設置在結溫>=125℃，GaAs等其它耐高溫材料則可以設置更高的溫度，具體根據加速要求而定。但無論哪種材料，均需要結溫小于材料的極限工作溫度或者熱關斷（thermalshutdown）溫度。HTOL硬件的散熱設計有利于加速因子的提高，這樣可以節(jié)省試驗時間。電壓應力一般采用最高工作電壓進行，如果需要提高加速度，則可以采用更高的電壓進行試驗，但是無論電壓應力還是溫度應力都不允許器件處于過電應力的狀態(tài)。 崇明區(qū)有哪些HTOL測試機
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