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一種閃存htol測試方法,包括:提供待測閃存,所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元;所述閃存參考單元中捕獲有空穴;對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對所述閃存進行htol測試,所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失,以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。具體的,待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元,閃存陣列單元用于存儲數(shù)據(jù),閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴,所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結構示意圖,上海頂策科技有限公司可靠性測試部,提供芯片可靠性測試整體解決方案。長寧區(qū)HTOL測試機私人定做
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