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閃存參考單元包括：襯底100，位于所述襯底中的導電溝道、位于所述導電溝道兩側的源極101和漏極102，位于導電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側分布有側墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結構，即為ono結構。具體的，閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖，如圖3所示，對所述閃存參考單元進行編譯，包括：在所述源極101上施加***編程電壓vb1，在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2，在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3，在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4；其中，所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2；所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓vb3的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為～-1v，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。
自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號，非常方便HTOLSetup，實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，以及每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質(zhì)量，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅度提高HTOL效率，節(jié)省更多時間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報告更有說服力，下游客戶更放心。TH801智能老化系統(tǒng)，全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓質(zhì)量報告更有說服力，下游客戶更放心。
技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種閃存htol測試方法，以解決閃存htol測試中讀點失效的問題。本發(fā)明提供的閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。進一步的，所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導電溝道、位于所述導電溝道兩側的源極和漏極，位于所述導電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)層以及控制柵，所述柵極單元的兩側分布有側墻。 上海頂策科技有限公司可靠性測試服務，涵蓋原理圖設計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試。靜安區(qū)HTOL測試機排行榜
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4.失效判據(jù)標準失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求，則認為失效。：1.四種標準的失效判據(jù)都根據(jù)相應的標準執(zhí)行?！鏅嗦暶鳎罕疚臑镃SDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。4.失效判據(jù)標準失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求，則認為失效。：1.四種標準的失效判據(jù)都根據(jù)相應的標準執(zhí)行?！鏅嗦暶鳎罕疚臑镃SDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 智能HTOL測試機性能
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