進(jìn)一步的,對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯,包括:在所述源極上施加***編程電壓,在所述漏極上施加第二編程電壓,在所述控制柵上施加第三編程電壓,在所述襯底上施加第四編程電壓;其中,所述***編程電壓小于所述第二編程電壓;所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進(jìn)一步的,所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓的范圍為~-1v。進(jìn)一步的,編譯過程中的脈沖寬度為100μs~150μs。進(jìn)一步的,對所述閃存參考單元進(jìn)行擦除,包括:將所述源極和漏極均懸空,在所述控制柵上施加***擦除電壓,在所述襯底上施加第二擦除電壓;其中,所述***擦除電壓為負(fù)電壓,所述第二擦除電壓為正電壓。進(jìn)一步的,所述***擦除電壓的范圍為-10v~-8v,所述第二擦除電壓的范圍為8v~10v。進(jìn)一步的,擦除過程中的脈沖寬度為10ms~20ms。進(jìn)一步的,對所述閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除,循環(huán)次數(shù)為10次~20次。進(jìn)一步的,對所述閃存進(jìn)行htol測試包括:對所述閃存依次進(jìn)行***時間點讀點、第二時間點讀點、第三時間點讀點至第n時間點讀點。
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