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閃存參考單元包括:襯底100,位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102,位于導(dǎo)電溝道上方的柵極單元,所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu),即為ono結(jié)構(gòu)。具體的,閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖,如圖3所示,對所述閃存參考單元進行編譯,包括:在所述源極101上施加***編程電壓vb1,在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2,在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3,在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4;其中,所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2;所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓vb3的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為~-1v,編譯過程中的脈沖寬度為100μs~150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。虹口區(qū)如何選HTOL測試機可靠性事業(yè)部提供模擬,數(shù)字,混合信號,SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計。
模擬,數(shù)字,混合信號,SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計,原理圖設(shè)計,PCBlayout加工制作,老化程序開發(fā)調(diào)試,可靠性測試試驗,出具可靠性報告。上海頂策科技有限公司提供高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測試方案??煽啃詼y試事業(yè)部提供可靠性測試整體解決方案,包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備,以及測試方案制定,PCB設(shè)計制作,測試試驗,可以滿足各類芯片可靠性測試需求。自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù),大幅度提高HTOL效率,節(jié)省更多時間、FA成本,全程數(shù)據(jù)記錄,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性,有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄,讓報告更有說服力,下游客戶更放心。
技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明提供了一種閃存htol測試方法,以解決閃存htol測試中讀點失效的問題。本發(fā)明提供的閃存htol測試方法,包括:提供待測閃存,所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元;所述閃存參考單元中捕獲有空穴;對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對所述閃存進行htol測試,所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失,以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。進一步的,所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極和漏極,位于所述導(dǎo)電溝道上方的柵極單元,所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)層以及控制柵,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻。 上海頂策科技有限公司自主研發(fā)智能HTOL測試機TH801實時監(jiān)測確保芯片處于正常狀態(tài),保證HTOL測試質(zhì)量。
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1.試驗?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時間的影響。試驗可以加速地模擬器件的運行狀態(tài),主要用于器件的可靠性測試。本實驗在較短時間內(nèi)對器件施加高溫偏置,通常也被稱為老化或老煉。,這些器件隨著時間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法,這些器件隨著時間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照J(rèn)ESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 金山區(qū)HTOL測試機私人定做
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