在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進(jìn)行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖；集成電路動態(tài)老化設(shè)備，上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機。寶山區(qū)本地HTOL測試機
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高溫工作壽命實驗（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）測試目的：芯片處于高溫條件下，加入動態(tài)信號，并長時間工作，以評估其使用壽命，并確定其可靠性。測試條件：結(jié)溫(Tj)≧125℃，電壓Vcc≧Vccmax，測試時間：1000hrs樣品數(shù)：77ea/lot,3lots測試讀點：168、500、1000hrs參考規(guī)范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作壽命試驗、老化試驗(OperatingLifeTest)，為利用溫度、電壓加速方式，在短時間試驗內(nèi)，預(yù)估芯片在長時間可工作下的壽命時間(生命周期預(yù)估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：評估早夭階段的故障率或藉由BI手法降低出貨的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，針對失效模式中的InfantMortality，一般測試低于48小時，車規(guī)級芯片需要100%BI測試。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：評估可使用期的壽命時間-FIT/MTTF，針對失效模式中的Wearout，一般需要測試1000小時，屬于抽樣測試。 寶山區(qū)本地HTOL測試機
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