長(zhǎng)寧區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪家強(qiáng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-25

    技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明提供了一種閃存htol測(cè)試方法,以解決閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問題。本發(fā)明提供的閃存htol測(cè)試方法,包括:提供待測(cè)閃存,所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元;所述閃存參考單元中捕獲有空穴;對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中部分丟失,以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。進(jìn)一步的,所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極和漏極,位于所述導(dǎo)電溝道上方的柵極單元,所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)層以及控制柵,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻。 上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng),芯片狀態(tài)實(shí)時(shí)參數(shù)正態(tài)分布圖,散點(diǎn)圖等顯示,多維度分析芯片狀態(tài)。長(zhǎng)寧區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪家強(qiáng)

    進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯,包括:在所述源極上施加***編程電壓,在所述漏極上施加第二編程電壓,在所述控制柵上施加第三編程電壓,在所述襯底上施加第四編程電壓;其中,所述***編程電壓小于所述第二編程電壓;所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進(jìn)一步的,所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓的范圍為~-1v。進(jìn)一步的,編譯過程中的脈沖寬度為100μs~150μs。進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行擦除,包括:將所述源極和漏極均懸空,在所述控制柵上施加***擦除電壓,在所述襯底上施加第二擦除電壓;其中,所述***擦除電壓為負(fù)電壓,所述第二擦除電壓為正電壓。進(jìn)一步的,所述***擦除電壓的范圍為-10v~-8v,所述第二擦除電壓的范圍為8v~10v。進(jìn)一步的,擦除過程中的脈沖寬度為10ms~20ms。進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除,循環(huán)次數(shù)為10次~20次。進(jìn)一步的,對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試包括:對(duì)所述閃存依次進(jìn)行***時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。

    怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)哪家強(qiáng)上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801可以為芯片HTOL測(cè)試節(jié)省更多時(shí)間、FA成本。

提供可靠性測(cè)試整體解決方案:可靠性設(shè)備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù),通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,大幅提高HTOL效率,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性,讓報(bào)告更有說(shuō)服力,下游客戶更放心。可靠性測(cè)試事業(yè)部提供可靠性測(cè)試整體解決方案,包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備,以及測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試實(shí)驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。

閃存參考單元包括:襯底100,位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102,位于導(dǎo)電溝道上方的柵極單元,所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu),即為ono結(jié)構(gòu)。具體的,閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖,如圖3所示,對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯,包括:在所述源極101上施加***編程電壓vb1,在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2,在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3,在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4;其中,所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2;所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓vb3的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為~-1v,編譯過程中的脈沖寬度為100μs~150μs。編譯通過熱電子注入的方式對(duì)所述浮柵104中注入電子。TH801智能老化系統(tǒng),方便靈活配置芯片狀態(tài)、施加信號(hào),提高HTOLdebug及Setup效率。

本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖;發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。其中,具體標(biāo)號(hào)如下:100-襯底;101-源極;102-漏極;103-隧穿氧化層;104-浮柵;105-柵間介質(zhì)層;106-控制柵;107-側(cè)墻;具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測(cè)試方法,以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精細(xì)的比例,*用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖,上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng),是一款全程數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)記錄的高效HTOL設(shè)備。金山區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)

上海頂策科技提供可靠性測(cè)試整體解決方案,包括各類可靠性測(cè)試設(shè)備,滿足各類芯片的測(cè)試需求。長(zhǎng)寧區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪家強(qiáng)

自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù),通過監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,大幅提高HTOL效率,節(jié)省更多時(shí)間、FA成本,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性,讓報(bào)告更有說(shuō)服力,下游客戶更放心。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號(hào),SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì),原理圖設(shè)計(jì),PCBlayout加工制作,老化程序開發(fā)調(diào)試,可靠性測(cè)試試驗(yàn),出具可靠性報(bào)告等一條龍服務(wù)。可靠性測(cè)試事業(yè)部提供可靠性測(cè)試整體解決方案,包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備,以及測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。長(zhǎng)寧區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪家強(qiáng)

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