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4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購(gòu)文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。4.失效判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購(gòu)文件要求，則認(rèn)為失效。：1.四種標(biāo)準(zhǔn)的失效判據(jù)都根據(jù)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行?！鏅?quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 HTOL測(cè)試機(jī)多少錢(qián)上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問(wèn)題更容易分析，更有追溯性。
本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過(guò)編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標(biāo)號(hào)如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測(cè)試方法，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精細(xì)的比例，*用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖，
提供可靠性測(cè)試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿(mǎn)足各類(lèi)芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類(lèi)芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試實(shí)驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告等一條龍服務(wù)。20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利及軟件著作權(quán)，自成立以來(lái)，已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍的上等測(cè)試解決方案！上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高效率。
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