MIL-STD-883K-2016：穩(wěn)態(tài)反向偏置S級**少時間有240h到120h共6個級別；B級**少時間352h到12h共10個級別；K級**少時間從700h到320h共6個級別。S級最低溫度從125℃到150℃共6個級別；B級別最低溫度從100℃到250℃；K級最低溫度從100℃到125℃。電壓大小全部為額定電壓B：穩(wěn)態(tài)正向偏置C：穩(wěn)態(tài)功率反向偏置D：并聯(lián)勵磁E：環(huán)形振蕩器F：溫度加速試驗————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：blog./qq_36671997/article/details/。 上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng)，隨時導(dǎo)出測試數(shù)據(jù)，簡化可靠性測試溯源問題。閔行區(qū)HTOL測試機型號
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在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；閔行區(qū)HTOL測試機型號
上海頂策科技有限公司是我國芯片測試服務(wù)，芯片測試設(shè)備，HTOL老化爐專業(yè)化較早的有限責(zé)任公司（自然）之一，公司成立于2014-11-24，旗下上海頂策科技,TOP ICTEST，已經(jīng)具有一定的業(yè)內(nèi)水平。頂策科技致力于構(gòu)建儀器儀表自主創(chuàng)新的競爭力，頂策科技將以精良的技術(shù)、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù)，滿足國內(nèi)外廣大客戶的需求。