高效率HTOL自研設(shè)備,高質(zhì)量HTOL品質(zhì)保障,低成本HTOL測試方案。上海頂策科技有限公司TH801智能一體化老化測試機(jī),自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù),通過監(jiān)測數(shù)據(jù),可以實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,大幅提高HTOL效率,節(jié)省更多時間、FA成本,全程數(shù)據(jù)記錄,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性;有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄,讓報告更有說服力,下游客戶更放心。可靠性測試事業(yè)部提供可靠性測試整體解決方案,包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備,以及測試方案制定,PCB設(shè)計制作,測試試驗,可以滿足各類芯片可靠性測試需求。上海頂策科技自主研發(fā)智能HTOL測試機(jī)TH801,實時監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。松江區(qū)HTOL測試機(jī)怎么用
上海頂策科技有限公司(Topictest)推出的TH801,智能在線監(jiān)控動態(tài)老化設(shè)備,可以監(jiān)控的參數(shù)除了整板的電壓,電流,還可以根據(jù)需求,監(jiān)控到老化中每顆芯片的電壓、電流,寄存器數(shù)據(jù),時間,頻率等諸多參數(shù),并實時記錄保存成Excel文檔。這樣不僅可以確保每顆芯片都處于正常的老化狀態(tài),保證老化測試的質(zhì)量,同時還可以清楚地知道具體失效的參數(shù),以及在什么時間點失效等諸多信息,非常有益于失效后的FA分析。另外由于可以監(jiān)控更多芯片參數(shù),這使得免除ATE回測成為可能,這將大幅度提高老化測試效率,節(jié)省更多人力成本!這項技術(shù)目前已在對芯片質(zhì)量要求較高的芯片設(shè)計公司廣泛應(yīng)用。寶山區(qū)什么是HTOL測試機(jī)上海頂策科技的HTOL測試機(jī)TH801,自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng),自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù)。
1.試驗?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時間的影響。試驗可以加速地模擬器件的運行狀態(tài),主要用于器件的可靠性測試。本實驗在較短時間內(nèi)對器件施加高溫偏置,通常也被稱為老化或老煉。,這些器件隨著時間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法,這些器件隨著時間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照J(rèn)ESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。
芯片HTOL測試如何做到省力省心?上海頂策科技有限公司,提供可靠性測試整體解決方案:可靠性設(shè)備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定,PCB設(shè)計制作,測試試驗,滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號,SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計,原理圖設(shè)計,PCBlayout加工制作,老化程序開發(fā)調(diào)試,可靠性測試試驗,出具可靠性報告等全方面服務(wù)。自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng),自主研發(fā)在線實時單顆監(jiān)測技術(shù),可靈活配置芯片工作狀態(tài),并施加信號,非常方便HTOLSetup,實時監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度,以及每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù),確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)。TH801智能老化系統(tǒng),實時監(jiān)測并記錄每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。
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上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng),擁有智能動態(tài)在線實時檢測技術(shù),同時一體化結(jié)合ATE與高溫老化爐。松江區(qū)HTOL測試機(jī)怎么用
在每個時間點讀點過程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對判斷,若iref<i,則閃存讀出“1”;若iref>i,則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法,對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對所述閃存進(jìn)行htol測試,所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失,以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量,從而使閃存htol讀“0”通過,解決了閃存htol測試中讀點失效的問題,提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖;圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖;圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖;圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖;松江區(qū)HTOL測試機(jī)怎么用