1一次清洗與二次清洗的酸液不干凈，檢查酸液使用的次數(shù)有沒揮發(fā)等2擴(kuò)散與鍍膜前硅片表面帶有較臟的水印3在制絨后硅片表面的硅酸鈉沒能得到很好的去除就會(huì)留下不規(guī)則的膠體印，到成品后是水紋；這只要我們?cè)谥平q后及時(shí)進(jìn)行酸洗，也可提高HF的濃度.如果制絨液的配比沒有問題，那么花斑白斑和制絨前的硅片表面質(zhì)量就顯得尤其重要了。原始的解決方法是用強(qiáng)堿來粗剝一下，但隨著原材料變薄也可用低一些的濃度與IPA的混合溶液來處理，一般5~6分鐘即可；6溶液均勻的方法1超聲，缺點(diǎn)是容易造成碎片，即使沒有在槽中碎，后道工序也會(huì)碎；2循環(huán)，使用chemicalpump；3攪拌；4鼓泡；7制絨出現(xiàn)的問題花臉；雨點(diǎn)狀斑點(diǎn)；發(fā)白；8雨點(diǎn)狀斑點(diǎn)問題沒寫9酒精和IPA1酒精較難控制，無毒，污染?。?IPA做的絨面的均勻性比酒精要好控制的多；10多晶硅一次清洗工藝流程這個(gè)省了11制備絨面技術(shù)方法1機(jī)械刻槽要求硅片厚度大于200um，刻槽深度一般為50um，增加材料成本2等離子蝕刻成本高，耗時(shí)長(zhǎng)，產(chǎn)量低3激光刻槽絨面的陷光效果好，但處理工序復(fù)雜，加工系統(tǒng)昂貴4各向同性的酸腐蝕12酸腐蝕制備絨面的基本原理以HF－HNO3為基礎(chǔ)的水溶液體系機(jī)理為HNO3給硅表面提供空穴，打破了硅表面的Si2H鍵。
清洗步驟：置樣品入舟——浸入I號(hào)液——漂洗——浸入II號(hào)液——漂洗。上海比較好的電池片
太陽能光伏發(fā)電一般指能利用半導(dǎo)體直接將光能轉(zhuǎn)換為電能的一種能源形式。晶硅類太陽能電池是普遍的一種形式，太陽能電池起源于1839年，法國(guó)貝克勒爾是個(gè)發(fā)現(xiàn)了液態(tài)電解質(zhì)的光生伏特現(xiàn)象的科學(xué)家。其一般構(gòu)造如圖所示，在基體硅中滲入棚原子以后，便會(huì)產(chǎn)生空穴。同理，在基體硅中摻入磷原子以后，由于磷原子相比于硅原子，其外層是具有五個(gè)電子的特殊結(jié)構(gòu)，相比于硅原子的四電子結(jié)構(gòu)就會(huì)有多出來的一個(gè)電子變得非?；钴S，叫做N型半導(dǎo)體。晶體硅太陽能電池片主要是用硅半導(dǎo)體材料作為基體制成較大面積的平面PN結(jié)，即在規(guī)格大約為15cm×15cm的P型硅片上經(jīng)擴(kuò)散爐擴(kuò)散磷原子，擴(kuò)散出一層很薄的經(jīng)過重?fù)诫s的N型層。然后經(jīng)刻蝕到達(dá)PECVD在整個(gè)N型層表面上鍍上一層減反射膜用來減少太陽光的反射損失，達(dá)到絲網(wǎng)在擴(kuò)散面印刷上金屬柵線作為太陽能電池片的正面接觸電極。在刻蝕面印刷金屬膜，作為太陽能電池片的背面歐姆接觸電極，并燒結(jié)封裝。當(dāng)有具定能量的光子照射到太陽能電池片上時(shí)，會(huì)生成許多新的電子-空穴對(duì)。因?yàn)殡姵夭牧系牟粩辔諏?dǎo)致入射光強(qiáng)不斷減小，因此沿著入射方向，電池片內(nèi)部電子-空穴對(duì)的密度逐漸減小，在濃度差的作用下電子-空穴對(duì)向著電池片內(nèi)部做擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
上海比較好的電池片這種硅錠可鑄成立方體，以便切片加工成方形太陽電池片，可提高材制利用率和方便組裝。
電池片工藝流程:制絨(INTEX)→擴(kuò)散(DIFF)→后清洗(刻邊/去PSG)→鍍減反射膜(PECVD)→絲網(wǎng)、燒結(jié)(PRINTER)→測(cè)試、分選(TESTER+SORTER)→包裝(PACKING)。一、制絨制絨的目的是在硅片表面形成絨面面，以減少電池片的反射率，絨面凹凸不平可以增加二次反射，改變光程及入射方式。通常情況下用堿處理單晶，可以得到金字塔狀絨面；用酸處理多晶，可以得到蟲孔狀無規(guī)則絨面。處理方式區(qū)別主要在與單多晶性質(zhì)的區(qū)別。工藝流程：制絨槽→水洗→堿洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情況下，硅與HF、HNO3（硅表面會(huì)被鈍化）認(rèn)為是不反應(yīng)的。當(dāng)存在于兩種混合酸的體系中，硅與混合溶液的反應(yīng)是持續(xù)性的。二、擴(kuò)散擴(kuò)散是為電池片制造心臟，是為電池片制造P-N結(jié)，POCl3是當(dāng)前磷擴(kuò)散用較多的選擇。POCl3為液態(tài)磷源，液態(tài)磷源擴(kuò)散具有生產(chǎn)效率較高、穩(wěn)定性好、制得PN結(jié)均勻平整及擴(kuò)散層表面良好等優(yōu)點(diǎn)。POCl3在大于600℃的條件下分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），PCl5對(duì)硅片表面有腐蝕作用，當(dāng)有氧氣O2存在時(shí)，PCl5會(huì)分解成P2O5且釋放出氯氣，所以擴(kuò)散通氮?dú)獾耐瑫r(shí)通入一定流量的氧氣。
專注研發(fā)IBC電池1986年P(guān)ierreVerlinden博士在標(biāo)準(zhǔn)光照下制備出效率21%的IBC電池。技術(shù)SunPower開啟IBC電池初步產(chǎn)業(yè)化1997年，SunPower公司和斯坦福大學(xué)開發(fā)的IBC電池得到了(149cm2)的IBC電池A-300，轉(zhuǎn)換效率為，并于菲律賓工廠規(guī)模量產(chǎn)(25MW產(chǎn)能）2007年SunPower通過工藝優(yōu)化和改進(jìn)研發(fā)出可量產(chǎn)的平均效率，更多廠商機(jī)構(gòu)步入IBC技術(shù)研發(fā)2012年天合光能承擔(dān)了國(guó)家863項(xiàng)目的“效率21%以上的全背結(jié)晶體硅電池產(chǎn)業(yè)化成套關(guān)鍵技術(shù)及示范生產(chǎn)線”課題，于2014年分別以，并開啟中試生產(chǎn)2014年，SunPower在N型CZ(直拉)硅片上制備的第三代IBC電池的高效率達(dá)到，IBC技術(shù)形成三大分支化路線a.以SunPower為的經(jīng)典IBC電池工藝b.以ISFH為的POLO-IBC(集成光子晶體的多晶硅氧化物叉指背接觸)電池工藝c.以KANEKA為的HBC(IBC與HJT技術(shù)結(jié)合)電池工藝2021年黃河水電建成了中國(guó)首條IBC電池量產(chǎn)線，產(chǎn)能200MW，平均效率突破24%2022年ISFH設(shè)計(jì)的POLO-IBC電池進(jìn)一步打破了IBC電池的效率極限，通過改進(jìn)鈍化轉(zhuǎn)換效率有望提高到，國(guó)際上SunPower處于地位其一代IBC電池，已吸收了TOPCon電池鈍化接觸的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，保留了銅電極工藝，量產(chǎn)工藝已經(jīng)簡(jiǎn)化，成本在可接受范圍，轉(zhuǎn)換效率達(dá)到25%以上。
用廢次單晶硅料和冶金級(jí)硅材料熔化澆鑄而成。
退火的作用是使硅錠內(nèi)部溫度一致，消除硅錠內(nèi)的應(yīng)力。冷卻冷卻階段隔熱籠慢慢打開，壓力逐漸上升，冷卻階段時(shí)間較長(zhǎng)，其作用與退火一樣重要，直接影響硅錠的性能。太陽電池多晶硅錠是一種柱狀晶，晶體生長(zhǎng)方向垂直向上，是通過定向凝固（也稱可控凝固、約束凝固）過程來實(shí)現(xiàn)的，即在結(jié)晶過程中，通過控制溫度場(chǎng)的變化，形成單方向熱流(生長(zhǎng)方向與熱流方向相反），并要求液固界面處的溫度梯度大于0，橫向則要求無溫度梯度，從而形成定向生長(zhǎng)的柱狀晶。鑄錠車間常見事項(xiàng)1、在熔化和長(zhǎng)晶階段會(huì)出現(xiàn)熔化、中間長(zhǎng)晶和邊部長(zhǎng)晶三次報(bào)警。在鑄錠循環(huán)過程中，這兩個(gè)階段需密切關(guān)注。2、當(dāng)爐內(nèi)壓力低于980mbar時(shí)，需要對(duì)爐子進(jìn)行充氣?；靥畈僮鲿r(shí)爐內(nèi)壓力大于這一數(shù)值時(shí)沒有自動(dòng)停止，需自動(dòng)停止。3、鑄錠過程中根據(jù)爐內(nèi)出現(xiàn)不同情況手動(dòng)調(diào)整，如適當(dāng)延長(zhǎng)長(zhǎng)晶時(shí)間等。注意爐內(nèi)的水電、氣壓。五、硅錠的檢測(cè),典型的電阻率分布呈現(xiàn)出上述的變化趨勢(shì)，尾高頭低。主要是因?yàn)樗砑拥哪负辖鸬姆帜禂?shù)造成的，檢測(cè)硅錠中的電阻率是否出現(xiàn)異常。正常情況下的硅錠紅外檢測(cè)結(jié)果不會(huì)出現(xiàn)下圖紅域標(biāo)識(shí)的，造成此現(xiàn)象的原因可能為熱場(chǎng)不穩(wěn)定或硅料雜質(zhì)比較多造成的。在制絨槽提籃時(shí)溶液和硅片不親潤(rùn)造成，水紋就是在做成品后用我們眼睛看到的"水印"。北京鈦合金電池片
擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。這樣就硅片上形成P>N結(jié)。上海比較好的電池片
形狀不規(guī)則的片料或大塊硅料在指定區(qū)域砸碎，對(duì)片料進(jìn)行破碎，使用砸料箱，注意此過程必須戴PVC手套、護(hù)目鏡，防止危害人體。挑選“硅料表面比較光滑的面”。大小塊料要盡量均勻，碎料盡量用來填縫隙。在裝料過程中，一定不能碰到坩堝內(nèi)壁，發(fā)現(xiàn)破壞要取出硅料，重新噴涂，直至符合要求再用。一半的硅料裝完后，領(lǐng)取摻雜劑，用電子天平稱重后均勻的放置到硅料的表面。摻雜劑假如完成后，繼續(xù)加入硅料，直至達(dá)到規(guī)定數(shù)量為止。加熱在真空狀態(tài)下開始加熱、按照一定的工藝程序，對(duì)硅料、熱場(chǎng)、坩堝等進(jìn)行排濕、排雜。熔化熔化與加熱的延伸、也可以理解為加熱，但在工藝程序上的設(shè)計(jì)上有較大的差別，熔化是將固體硅轉(zhuǎn)化成液體硅，溫度比較高可達(dá)1560度。操作者在中心觀測(cè)孔觀測(cè)是否融化完成，連續(xù)觀測(cè)3-5分鐘，若沒有硅料固體出現(xiàn)，程序方可繼續(xù)向后運(yùn)行。長(zhǎng)晶熔進(jìn)入長(zhǎng)晶階段，打開隔熱籠以冷卻DS-BLOCK，坩堝內(nèi)硅液順著溫度梯度，從底部向頂部定向凝固。操作者在中心觀察孔觀察是否透頂手動(dòng)選擇合適的步驟。退火因在長(zhǎng)晶階段硅錠存在溫度梯度，內(nèi)部存在應(yīng)力。若直接冷卻出爐，硅錠存在隱裂，在開方和線切階段，外力作用會(huì)使硅片破裂。
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