EMI，電磁干擾度，描述電子、電氣產(chǎn)品在正常工作狀態(tài)下對(duì)外界的干擾；EMI又包括傳導(dǎo)干擾CE和輻射干擾RE以及諧波harmonic。EMC包括EMI和EMS也就是電磁干擾和電磁抗干擾。EMC電磁能量的檢測(cè)、抗電磁干擾性試驗(yàn)、檢測(cè)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)處理、電磁能量輻射壓制技術(shù)、雷電和地磁等自然電磁現(xiàn)象、電場(chǎng)磁場(chǎng)對(duì)人體的影響、電場(chǎng)強(qiáng)度的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、電磁能量的傳輸途徑、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及限制等均包含在EMC之內(nèi)。EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問(wèn)題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。在兩根線上的傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)。EMI分析整改中，對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)壓制。江蘇集成電路EMI分析整改示波器
EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場(chǎng)及把它們導(dǎo)通傳輸，電感或電容耦合通過(guò)自由或其組合，開(kāi)關(guān)電源是對(duì)EMI及RFI的產(chǎn)生壞的來(lái)源之一。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ危苑浅？焖俚拈_(kāi)關(guān)時(shí)間變化。開(kāi)關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。由開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的共模噪聲是大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的障礙，因此要采用輸入濾波器，將其插在線路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。具體情況具體分析，其實(shí)EMI就是一種經(jīng)驗(yàn)，熟悉整改的方法就可以，真正的想要去計(jì)算出來(lái)很難的，到了整改現(xiàn)場(chǎng)也沒(méi)有那么多時(shí)間給你去計(jì)算吧，只有就地取材了，有時(shí)候一個(gè)元件的放置方法對(duì)其有很大的影響的！不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的，確實(shí)如此，板框?qū)е虏季值南拗?，空間的限制，EMI線路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會(huì)閃爍。有時(shí)電源不能加Y電容等。武漢汽車電子EMI分析整改原理EMI分析整改中訊號(hào)線下方的地要完整。
在EMI分析整改中信號(hào)處理中，濾波器的使用是常見(jiàn)的信號(hào)處理方式之一。那么什么樣的濾波器才能滿足工程師的設(shè)計(jì)要求呢？下面為大家介紹的信號(hào)端口濾波器件將是明智的選擇。特點(diǎn)：l封裝小，能有效節(jié)省電路板空間；l能有效壓制共模噪聲；l差模截止頻率＞3.5GHz；l對(duì)高速差動(dòng)傳輸線信號(hào)幾乎沒(méi)有影響；l滿足HDMI的TRD標(biāo)準(zhǔn)；端口類型；模擬信號(hào)輸出端口（外部連接線，音頻等）；數(shù)字信號(hào)輸出端口（內(nèi)部連接口/連接線，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信號(hào)類型一般為差分形式。
訊號(hào)線和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。時(shí)脈訊號(hào)、高頻訊號(hào)等，在PCB設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行包地處理，并打些地孔，可有效降低EMI。EMI分析整改中，EMI輻射近場(chǎng)探頭是用于配合頻譜分析儀查找干擾源的設(shè)備。
說(shuō)到EMC的整改問(wèn)題，相信各位接觸過(guò)的工程師都會(huì)有很刻記憶。本人瀏覽了一些朋友對(duì)EMC的認(rèn)識(shí)，有的朋友認(rèn)為不是自己設(shè)計(jì)的電路或自己布的PCB，那別人就對(duì)這個(gè)電源過(guò)EMC沒(méi)有更好的方法，還有的一些朋友對(duì)電源的IC的功能情有獨(dú)鐘，他們可以分析出很多的情況。認(rèn)為是這個(gè)IC的功能影響到了產(chǎn)品的EMC的指標(biāo)。從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來(lái)看我不能認(rèn)同這些朋友的意見(jiàn)。我從事整改好幾年經(jīng)我手整改過(guò)的產(chǎn)品有電源，有陸軍標(biāo)的逆變電源，有工業(yè)電源，也有大功率的LED電源，還有音視頻產(chǎn)品，我對(duì)這些產(chǎn)品的工和原理只是知道個(gè)大概，無(wú)論如何也比不上各位工程師，但我一樣可以半這些產(chǎn)品整改符合EMC的要求同時(shí)也讓各業(yè)企懣意。研發(fā)級(jí)EMI分析整改器件選型差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相同，相位相反。鄭州研發(fā)級(jí)EMI分析整改原理
EMI 整改：對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量。江蘇集成電路EMI分析整改示波器
整改方案，如下：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項(xiàng)頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個(gè)屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時(shí)做了別外一個(gè)變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時(shí)將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時(shí)將MOS管的D、S兩腳間增加了一個(gè)101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測(cè)試。江蘇集成電路EMI分析整改示波器
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