介紹俺的EMI整改經(jīng)驗(yàn)：關(guān)于晶體部份：1、晶體到MCU的兩條線不要太細(xì)，盡量短直，且這兩條線與兩個(gè)負(fù)載電容所包圍的面積要越小越好，電容地端，好單獨(dú)用較寬的走線單獨(dú)引至MCU振蕩地，不要與大面積地銅箔相連；2、晶體背面好是整片的地銅箔，不要走其它線，也不要在晶體正面上方走別的線；3、有的MCU與不適合的晶體配合，振幅過(guò)高，產(chǎn)生截頂失真，便會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的基波及強(qiáng)烈的諧波輻射，這種情況需在Xout上造近MCU一端串幾十至幾百歐電阻，讓振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3為宜。插在線路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。研發(fā)級(jí)EMI分析整改屏蔽
訊號(hào)線和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。上海研發(fā)級(jí)EMI分析整改儀器如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問(wèn)題，如雜訊容限和邏輯開(kāi)關(guān)門限電平紊亂。
差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號(hào)線一根地線的單端信號(hào)傳輸，差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相同，相位相反。在這兩根線上的傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)。信號(hào)接收端比較這兩個(gè)電壓的差值來(lái)判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。在電路板上，差分走線必須是等長(zhǎng)、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線。在EMI測(cè)試中，信號(hào)線對(duì)于電磁噪聲來(lái)說(shuō)是一個(gè)很好的耦合傳播途徑，無(wú)論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過(guò)信號(hào)線傳導(dǎo)至其他設(shè)備，因此信號(hào)端口濾波的好壞是影響設(shè)備EMI是否超標(biāo)的一個(gè)重要因素。
不同的電源有不同的要求。真正的實(shí)際應(yīng)用中還有很多限制的，確實(shí)如此，板框?qū)е虏季值南拗?，空間的限制，EMI線路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會(huì)閃爍。有時(shí)電源不能加Y電容等。EMI整改：1、對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；2、對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)壓制；3、也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管1N4007。5M以上，以共摸干擾為主，采用壓制共摸的方法（整改建議）對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。
我們來(lái)分析一下EMI的產(chǎn)生，忽略自然干擾的影響，在電子電路系統(tǒng)中我們主要考慮是電壓瞬變和信號(hào)的回流這兩方面。對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號(hào)在開(kāi)關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來(lái)決定，信號(hào)上升和下降速率越快，即開(kāi)關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問(wèn)題。敏感訊號(hào)用地包住，這樣包地即提供了訊號(hào)短回流路徑，也能消除與其他相鄰訊號(hào)的干擾。上海研發(fā)級(jí)EMI分析整改儀器
在電路板上，差分走線必須是等長(zhǎng)、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線。研發(fā)級(jí)EMI分析整改屏蔽
分析信號(hào)回流對(duì)EMI的影響，可以看到：信號(hào)和回流外部區(qū)域，由于磁場(chǎng)的極性相反，可以相互抵消，而中間部分是加強(qiáng)的，這也是對(duì)外輻射的主要來(lái)源。很明顯，我們只要縮短信號(hào)和回流之間的距離，就可以更好的抵消的電磁場(chǎng)，同時(shí)也能降低中間加強(qiáng)部分的面積，很大壓制EMI。但如果由于相鄰的參考平面上存在縫隙等非理想因素，這就導(dǎo)致了回流的面積增大，低電感的耦合作用減弱，將會(huì)有更多的回流通過(guò)其它途徑或者直接釋放到空中，這就會(huì)導(dǎo)致EMI的很大增加。研發(fā)級(jí)EMI分析整改屏蔽