電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾，就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。在許多國(guó)家，尤其在歐洲，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。說(shuō)到EMC 的整改問(wèn)題，相信接觸過(guò)的工程師都會(huì)有很刻記憶。西安汽車電子EMI分析整改報(bào)告
剛?cè)隕MC坑的很多小伙伴，在面對(duì)EMC問(wèn)題，很多時(shí)候應(yīng)該都會(huì)覺(jué)的無(wú)從下手，或者毫無(wú)頭緒。至此，為何不反過(guò)來(lái)從測(cè)試得出的數(shù)據(jù)進(jìn)行推測(cè)分析，下面就列舉幾個(gè)常見(jiàn)的EMI輻射問(wèn)題分析思路。有規(guī)律的單支信號(hào).有規(guī)律的單支信號(hào)，大部分都是時(shí)鐘信號(hào)。因?yàn)闀r(shí)鐘是一個(gè)穩(wěn)定的單一頻率信號(hào)，所以在頻率上呈現(xiàn)為一根根的單支，且DB也不會(huì)太低，大多數(shù)時(shí)鐘超標(biāo)的同時(shí)，它的倍頻也會(huì)呈現(xiàn)相應(yīng)的狀態(tài)。因此，在分析數(shù)據(jù)的時(shí)候，只要對(duì)比每個(gè)單支之間的差數(shù)，基本可以確定問(wèn)題點(diǎn)。例如：48.15MHZ的時(shí)鐘問(wèn)題！后6號(hào)點(diǎn)和5號(hào)點(diǎn)的頻率是337.05MHz與385.2MHz[385.2-337.05=48.15],且第11號(hào)點(diǎn)為963MHz=48.15MHzX20。研發(fā)級(jí)EMI分析整改儀器在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會(huì)變化，這是有用的信號(hào)，不能有所破壞。
原板上所用變壓器，只在外面增加一個(gè)屏蔽層。測(cè)試可以通過(guò)不過(guò)余量很小只有1dB。顯然來(lái)能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過(guò)的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點(diǎn)高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對(duì)MOS管的G、D、S三個(gè)腳接觸看一下是哪個(gè)腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個(gè)通用的插件磁珠。
電磁發(fā)射（EMI）的檢驗(yàn)項(xiàng)目有：連續(xù)干擾電壓（150kHz～30MHz）;干擾功率（30MHz～300MHz）諧波電流（2～40次諧波）。EMC（ElectroMagneticCompatibility）直譯是“電磁兼容性”。是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無(wú)法忍受的電磁干擾的能力。到目前為止，經(jīng)過(guò)整改的產(chǎn)品涉及的行業(yè)有IT信息類產(chǎn)品、AV音視頻類產(chǎn)品、通訊設(shè)備、汽車電子、家電電器、工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備等。整改過(guò)的EMC項(xiàng)目有：CE.RE、RS、CS、ESD、EFT、SURGE等多個(gè)項(xiàng)目的EMC問(wèn)題整改，受到客戶的一致好評(píng)。固有的電流及電壓波形，以非?？焖俚拈_(kāi)關(guān)時(shí)間變化。
高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號(hào)的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒(méi)有條件的，至少要有一條較寬的地線“護(hù)送”，能包地就更理想了，有的時(shí)候需要在靠MCU一端串電阻，消除過(guò)沖（過(guò)沖對(duì)輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長(zhǎng)的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對(duì)外的接口處，要串磁豬,電源進(jìn)線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過(guò)強(qiáng)是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號(hào)過(guò)沖，縮小信號(hào)與電流回流的環(huán)路面積。電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI。研發(fā)級(jí)EMI分析整改儀器
在開(kāi)關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會(huì)用一點(diǎn)點(diǎn)電路。西安汽車電子EMI分析整改報(bào)告
訊號(hào)線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過(guò)一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問(wèn)題，如雜訊容限和邏輯開(kāi)關(guān)門(mén)限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。遮罩是好的解決EMI問(wèn)題的有效方法。輻射源遮罩能夠極大限度的解決EMI問(wèn)題。在干擾源和干擾物件之間插入一金屬遮罩物，以阻擋干擾的傳播，可以做好預(yù)留設(shè)計(jì)。西安汽車電子EMI分析整改報(bào)告