高速線，一般是SDRAM、及數(shù)字視頻信號的VCLK了，好在其走線背面有地銅層，沒有條件的，至少要有一條較寬的地線“護送”，能包地就更理想了，有的時候需要在靠MCU一端串電阻，消除過沖（過沖對輻射影響很大），不要串得太大，以免引起延遲；還有就是背面不要有平行的線，正面也是；另外就是USB，要走差分線；低速較長的線，也不容忽視，盡可能用RC壓制高頻分量，靠近對外的接口處，要串磁豬,電源進線處，串小的共模電感，總而言之，輻射過強是較大的dv/dt，及較大的環(huán)路面積引起，想辦法壓制電壓瞬變，降低信號過沖，縮小信號與電流回流的環(huán)路面積。EMI 整改：對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量。福建電源EMI分析整改示波器
若是用軍標(biāo)測試，相應(yīng)的會嚴(yán)格一些，所以EUT測試超標(biāo)很正常。對電源適配器的EMI和EMC主要影響的幾個因素在于電源適配器的開關(guān)電路,電路板設(shè)計和接地電路以及開關(guān)電路等各個功能電路等方面.消除就是用將干擾源通過熱能的方式損耗掉，這種是制本的方式。切除干擾傳導(dǎo)的途徑就是將干擾向外傳遞的路徑切斷，使其無法向外干擾，也就是我們常做的濾波，屏蔽等方法。c.疏導(dǎo)干擾源這種就是將干擾源引到不是敏感的元器件上如旁路，去藉，接地等方式。西安汽車電子EMI分析整改隔離晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。
20-30MHZ，（整改建議）1、對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。
通常，高速數(shù)字電路的EMI發(fā)射帶寬可以通過下面的公式計算：F=1/πTr，F(xiàn)為開關(guān)電路產(chǎn)生的高EMI頻率，單位為GHz，Tr為信號的上升時間或者下降時間，單位為ns。比如，對于上升時間為1ns左右的器件，那么它所產(chǎn)生的高EMI頻率將為350MHz，而如果上升時間降為為500ps，那么它的高EMI發(fā)射頻率將為700MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于系統(tǒng)正常的工作頻率，這將會在一定程度上影響周圍其他系統(tǒng)的正常工作。顯然，如果能減緩信號的上升沿，將會在很大程度上減少EMI，但是隨著電子設(shè)計和芯片制造水平的發(fā)展，器件總是朝著高速方向發(fā)展，單一的降低信號開關(guān)速率顯然是不現(xiàn)實的。但我們卻可以通過降低信號電壓來達(dá)到同樣的目的，因為在相同的時間內(nèi)，低電壓器件需要跨越的邏輯門電壓幅度較小，就同樣減緩器件的上升沿速率，所以低電壓器件也是高速電路發(fā)展的趨勢。開關(guān)晶體管，MOSFET，二極管，變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。
在信號處理中，濾波器的使用是常見的信號處理方式之一。那么什么樣的濾波器才能滿足工程師的設(shè)計要求呢？下面為大家介紹的信號端口濾波器件將是明智的選擇。信號端口濾波需要考慮的問題點：l端口傳輸信號不能由于任何原因信號不完整的問題；l普通磁珠，差分濾波器會對差分信號產(chǎn)生衰減，阻抗過大甚至引起差分信號時序錯亂，左右信號不對稱。（共模濾波器可以使差分信號順利通過，而對共模的干擾信號呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號線上抓的一個頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號是時鐘串?dāng)_到信號線上的信號，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動但是頻域不會變化，這是有用的信號，不能有所破壞。時脈訊號、高頻訊號等，在PCB設(shè)計時進行包地處理，并打些地孔，可有效降低EMI。西安汽車電子EMI分析整改隔離
電磁干擾或說電子設(shè)備都會產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾。福建電源EMI分析整改示波器
整改方案：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時做了別外一個變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時將MOS管的D、S兩腳間增加了一個101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測試。福建電源EMI分析整改示波器