廈門線性霍爾傳感器電路

來源: 發(fā)布時間:2024-04-13

    深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造?;魻杺鞲衅饕话阌?根線的和2根線的。3線的Vcc、OUT、GND。2線的Vcc、OUT霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場傳感器。通過霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)測定的霍爾系數(shù),能夠判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)?;魻栃?yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng),而半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)比金屬強(qiáng)得多,利用這現(xiàn)象制成的各種霍爾元件,地應(yīng)用于工業(yè)自動化技術(shù)、檢測技術(shù)及信息處理等方面?;魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法?;魻杺鞲衅髟碛苫魻栃?yīng)的原理知,霍爾電勢的大小取決于:Rh為霍爾常數(shù),它與半導(dǎo)體材質(zhì)有關(guān);I為霍爾元件的偏置電流;B為磁場強(qiáng)度;d為半導(dǎo)體材料的厚度。對于一個給定的霍爾器件,當(dāng)偏置電流I固定時,UH將完全取決于被測的磁場強(qiáng)度B。一個霍爾元件一般有四個引出端子,其中兩根是霍爾元件的偏置電流I的輸入端,另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構(gòu)成外回路。霍爾傳感器電路圖就找世華高!廈門線性霍爾傳感器電路

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    就會產(chǎn)生霍爾電流。一般地說,偏置電流的設(shè)定通常由外部的基準(zhǔn)電壓源給出;若精度要求高,則基準(zhǔn)電壓源均用恒流源取代。為了達(dá)到高的靈敏度。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。有的霍爾元件的傳感面上裝有高導(dǎo)磁系數(shù)的鍍膜合金;這類傳感器的霍爾電勢較大,但在,適用在低量限、小量程下使用。在半導(dǎo)體薄片兩端通以控制電流I,并在薄片的垂直方向施加磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,則在垂直于電流和磁場的方向上,將產(chǎn)生電勢差為UH的霍爾電壓。霍爾傳感器分類霍爾傳感器分為線型霍爾傳感器和開關(guān)型霍爾傳感器兩種。(一)開關(guān)型霍爾傳感器由穩(wěn)壓器、霍爾元件、差分放大器,斯密特觸發(fā)器和輸出級組成,它輸出數(shù)字量。開關(guān)型霍爾傳感器還有一種特殊的形式,稱為鎖鍵型霍爾傳感器。(二)線性型霍爾傳感器由霍爾元件、線性放大器和射極跟隨器組成,它輸出模擬量。線性霍爾傳感器又可分為開環(huán)式和閉環(huán)式。閉環(huán)式霍爾傳感器又稱零磁通霍爾傳感器。線性霍爾傳感器主要用于交直流電流和電壓測量?;魻杺鞲衅?**1、霍爾傳感器可以測量任意波形的電流和電壓。韶關(guān)高速霍爾傳感器原理霍爾傳感器原理哪家好?世華高好!

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    深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。地鐵列車的車門電機(jī)霍爾傳感器與編碼器是集成在電機(jī)內(nèi)部的部件,主要是霍爾傳感器測量電機(jī)轉(zhuǎn)速,通過編碼器編碼,傳輸給門控器,告知電機(jī)運(yùn)行距離。下面介紹霍爾傳感器的工作原理。一、原理:在半導(dǎo)體薄片兩端通以控制電流I,并在薄片的垂直方向施加磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,則在垂直于電流和磁場的方向上,將產(chǎn)生電勢差為UH的霍爾電壓。磁場中有一個霍爾半導(dǎo)體片,恒定電流I從A到B通過該片。在洛侖茲力的作用下,I的電子流在通過霍爾半導(dǎo)體時向一側(cè)偏移,使該片在CD方向上產(chǎn)生電位差,這就是所謂的霍爾電壓。圖2二、用途通過人為設(shè)置的磁場,用這個磁場來作被檢測的信息的載體,通過它,將許多非電、非磁的物理量例如力、力矩、壓力、應(yīng)力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、轉(zhuǎn)數(shù)、轉(zhuǎn)速以及工作狀態(tài)發(fā)生變化的時間等,轉(zhuǎn)變成電量來進(jìn)行檢測和控制。三、位移測量兩塊磁鐵同極性相對放置,將線性型霍爾傳感器置于中間,其磁感應(yīng)強(qiáng)度為零,這個點(diǎn)可作為位移的零點(diǎn),當(dāng)霍爾傳感器在Z軸上作△Z位移時。

    深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售機(jī)構(gòu),分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區(qū)?;魻栯娏麟妷簜鞲衅髟韴D)磁平衡式霍爾電電壓傳感器工作原理原邊電壓Vp通過原邊電阻R1轉(zhuǎn)換為原邊電流Ip,Ip產(chǎn)生的磁通量與霍爾電壓經(jīng)放大產(chǎn)生的副邊電流Is通過副邊線圈所產(chǎn)生的磁通量相平衡。副邊電流Is精確地反映原邊電壓。磁平衡式霍爾電流傳感器工作原理:原邊電流Ip產(chǎn)生的磁通量與霍爾電壓經(jīng)放大產(chǎn)生的副邊電流Is通過副邊線圈所產(chǎn)生的磁通量相平衡。副邊電流Is精確地反映原邊電流。:直檢式霍爾電流傳感器工作原理如圖。由于磁路與霍爾器件的輸出具有良好的線性關(guān)系,因此霍爾器件輸出的電壓訊號U0可以間接反映出被測電流I1的大小,即:I1∝B1∝U0;把U0定標(biāo)為當(dāng)被測電流I1為額定值時。世華高霍爾傳感器物體檢測效果很好,使用壽命也很長。

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    有可以檢測磁場強(qiáng)度的開關(guān)類型和可以檢測磁場極性的鎖存類型。輸出特性根據(jù)垂直施加到傳感器的磁場強(qiáng)度,將輸出電壓確定為高或低。極點(diǎn)檢測結(jié)果共有三種:S極,N極和雙極。當(dāng)磁場的大小超過Bop時,輸出電壓變低。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。當(dāng)磁場的強(qiáng)度低于Brp時,輸出電壓變高。在這種情況下,在Brp和Bop之間滿足“Brp<Bop(具有滯后)”。使用方法線性霍爾IC具有兩個輸入端子,即VCC和GND,以及一個輸出端子。將如圖4所示的IC連接到霍爾元件即可實(shí)現(xiàn)霍爾IC。通過恒壓驅(qū)動進(jìn)行操作。應(yīng)用開關(guān)型霍爾IC用于家用電子產(chǎn)品的開/關(guān)開關(guān),鎖存型霍爾IC用于無刷電機(jī)或用于旋轉(zhuǎn)檢測。線性霍爾IC特點(diǎn)線性霍爾IC將增益應(yīng)用于霍爾元件的輸出,從而產(chǎn)生線性輸出(*2)。由于輸出電壓范圍由電源調(diào)節(jié),因此MCU可以很容易地連接到下一級。*2軌到軌輸出。輸出特性輸出電壓與垂直施加到傳感器的磁場強(qiáng)度成正比。根據(jù)磁場的方向,其范圍從0V至VCC。沒有垂直磁場時的輸出電壓為VCC/2(*3)?;魻栐鞲衅骶驼疑钲谑廊A高。中山國產(chǎn)霍爾傳感器找哪家

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    深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。半導(dǎo)體薄片置于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場中,磁場方向垂直于薄片,如圖所示。當(dāng)有電流I流過薄片時,在垂直于電流和磁場的方向上將產(chǎn)生電動勢EH,這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng),該電動勢稱為霍爾電勢,上述半導(dǎo)體薄片稱為霍爾元件。原理簡述如下:激勵電流I從a、b端流入,磁場B由正上方作用于薄片,這時電子e的運(yùn)動方向與電流方向相反,將受到洛侖茲力FL的作用,向內(nèi)側(cè)偏移,該側(cè)形成電子的堆積,從而在薄片的c、d方向產(chǎn)生電場E。電子積累得越多,F(xiàn)E也越大,在半導(dǎo)體薄片c、d方向的端面之間建立的電動勢EH就是霍爾電勢。由實(shí)驗(yàn)可知,流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場強(qiáng)度B越強(qiáng),霍爾電勢也就越高。磁場方向相反,霍爾電勢的方向也隨之改變,因此霍爾傳感器能用于測量靜態(tài)磁場或交變磁場。廈門線性霍爾傳感器電路