二極管的正負二個端子。正端A稱為陽極,負端K稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。一些初學者容易產(chǎn)生這樣一種錯誤認識:“半導體的一‘半’是一半的‘半’;而二極管也是只有一‘半’電流流動(這是錯誤的),所有二極管就是半導體”。其實二極管與半導體是完全不同的東西。我們只能說二極管是由半導體組成的器件。半導體無論那個方向都能流動電流。 二極管的管壓降特性:二極管導通后其管壓降基本不變,對硅二極管而言這一管壓降是0.6V左右,對鍺二極管而言是0.2V左右。二極管具有不受限制的反向電壓電阻。反向施加電壓時,它將完全不產(chǎn)生任何電流。廣州低壓降二極管廠家
肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode)它是具有肖特基特性的"金屬半導體結(jié)"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響只為RC時間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管則可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。東莞電子二極管電話多少二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導通狀態(tài),相當于一只接通的開關。
它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產(chǎn)生。在發(fā)生隧道效應具備如下三個條件:①費米能級位于導帶和滿帶內(nèi);②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡并半導體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標"P"指"峰";而下標"V"指"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達毫米波段),也可以被應用于高速開關電路中。
單負導電性能的檢測及好壞的判斷通常,鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右,反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右,反向電阻值為∞(無窮大)。正向電阻越小越好,反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊,說明二極管的單向?qū)щ娞匦栽胶谩H魷y得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小,則說明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值則均為無窮大,這就說明該二極管已開路損壞。二極管就是只往一個方向傳送電流的電子零件,是一個具有1個零件號接合的2個端子的器件。
有在小電流下(10mA程度)使用的邏輯運算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管。小電流的開關二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管,也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關二極管的特長是開關速度快。而肖特基型二極管的開關時間特短,因而是理想的開關二極管。2AK型點接觸為中速開關電路用;2CK型平面接觸為高速開關電路用;用于開關、限幅、鉗位或檢波等電路;肖特基(SBD)硅大電流開關,正向壓降小,速度快、效率較高。觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管(DIAC)屬三層結(jié)構(gòu),具有對稱性的二端半導體器件。中山整流二極管特性
硅功率開關二極管具有恢復特性軟、過載能力強的優(yōu)點。廣州低壓降二極管廠家
二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺)制成的一種電子器件,它具有單向?qū)щ娦阅埽唇o二極管陽極和陰極加上正向電壓時,二極管導通。當給陽極和陰極加上反向電壓時,二極管截止,因此,二極管的導通和截止,則相當于開關的接通與斷開。而我們講的是一種特殊的二極管,理想二極管。在電子上,它不僅起著安裝、固定、密封、保護芯片及增強電熱性能等方面的作用,而且還通過芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接,從而實現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。因為芯片必須與外界隔離,以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面,封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。廣州低壓降二極管廠家