磁控濺射鍍膜（MSP）是一種先進(jìn)的表面裝飾鍍膜技術(shù)，膜材做成陰極圓柱磁控旋轉(zhuǎn)靶置于鍍膜室**，通入工作氣體，在電壓（直流或脈沖）作用下產(chǎn)生真空輝光放電，360℃方向輻射鍍膜。靶材利用率高，工作溫度低，可用于金屬或非金屬（塑料、玻璃、陶瓷等）工件鍍制鋁、銅、鉻、鎳、鈦、金、銀以及不銹鋼等薄膜，通入反應(yīng)氣體可鍍多種化合物膜，鍍膜層具有均勻、致密、附著力強(qiáng)、繞射性好等特點(diǎn)，***用于家用電器、鐘表、工藝美術(shù)、玩具、車燈反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜。遼寧磁控濺射哪家好
磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于 磁控濺射 磁控濺射 一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場E的作用下**終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。遼寧磁控濺射哪家好
電子束蒸發(fā)和磁控濺射制Al膜是半導(dǎo)體器件電極制備生產(chǎn)中常用的兩種方法，通過理論與實(shí)驗(yàn)分析，并對樣品進(jìn)行了膜厚、附著力、致密性，電導(dǎo)率、折射率等指標(biāo)的綜合測試，實(shí)驗(yàn)表明：電子束蒸發(fā)制得的Al薄膜厚度的可控性和重復(fù)性較差及分散度較大鋁薄膜與Si基片的附著力較小;鋁薄膜的晶粒雖小，但很疏松，導(dǎo)致其致密性較差;鋁膜的電導(dǎo)率、折射率較塊狀鋁材小得多。而磁控濺射制得的鋁膜的性能指標(biāo)則比電子束蒸發(fā)的指標(biāo)優(yōu)越。實(shí)踐證明，磁控濺射方法制備的鋁薄膜的綜合性能優(yōu)于電子束蒸發(fā)，所以在生產(chǎn)實(shí)踐中絕大多數(shù)采用磁控濺射沉積半導(dǎo)體電極材料，這也是半導(dǎo)體行業(yè)中薄膜行業(yè)的發(fā)展方向。
濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽極，真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。
磁控濺射設(shè)備的主要用途 （1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。 （2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機(jī)外殼，鼠標(biāo)等。 （3） 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機(jī) （4）化學(xué)氣相沉積（CVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。 （5） 在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃目前廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。 （6）在機(jī)械加工行業(yè)中，表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命遼寧磁控濺射哪家好
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磁控濺射還可以解決電子束蒸發(fā)帶來的三個(gè)問題： ①臺(tái)階覆蓋度。一般器件的圖形尺寸為2--3μm或更小，要求在1μm左右高的臺(tái)階部位盡量能鍍覆膜厚均勻的金屬鍍層。采用電子束蒸發(fā)和行星回旋式基片架機(jī)構(gòu)組成的裝置，難以得到十分理想的覆蓋度。 ②合金膜的成分控制。隨著圓形的微細(xì)化，為確?？煽啃圆⑻岣叱善仿什捎肁l-Si、Al-Cu、Al-Si-Cu等鋁合金膜代替純金屬Al膜。如果采用電子束蒸發(fā)來制取合金膜，由于組分蒸氣壓不同會(huì)引起分解，很難控制合金膜使其達(dá)到所要求的成分。 ③裝卡基片復(fù)雜，難于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。在高度復(fù)雜的元器件制造工藝中，為提高可靠性和重復(fù)性，應(yīng)盡量減少人工操作，提高自動(dòng)化操作水閏。采用電子束蒸發(fā)，行星回旋式支架上只能一個(gè)一個(gè)地裝卡Si片，而且只能采取單批式蒸鍍。因此，難于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化操作。遼寧磁控濺射哪家好
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