但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類(lèi)型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要，電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后，由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步，在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義:它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步，使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學(xué)技術(shù)所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進(jìn)的工具，進(jìn)而產(chǎn)生了許多更為先進(jìn)的技術(shù)。有數(shù)十萬(wàn)的讀者群，發(fā)行量居行業(yè)。法庫(kù)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)電元件排名靠前
QuadFlatPackage)四方扁平封裝9、QTP(QuadTapeCarrierPackage)四向型TCP10、SMT(SurfaceMountTechnology)表面貼裝技術(shù)11、TCP(TapeCarrierPackage)柔性線(xiàn)路板，IC可固定于其上12、STN(SuperTwistedNematic)帶有約180度到270度扭曲向列的顯示類(lèi)型13、tf(FallTime)響應(yīng)速度:下降沿時(shí)間14、TN(TwistedNematic)帶有約90度扭曲向列的顯示類(lèi)型15、TNR(TnWithRetardationFilm)一種彩色顯示，它不采用彩色濾光片，而是在普通TN玻璃上附加上光程補(bǔ)償片16、tr(RiseTime)響應(yīng)速度:上升沿時(shí)間17、Vop(OperatingVoltage)LCD驅(qū)動(dòng)電壓18、Vth(ThresholdVoltage)閥值電壓折疊識(shí)別電子元器件常用產(chǎn)品的識(shí)別折疊電阻電阻在電路中用"R"加數(shù)字表示，如:R1表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。1、參數(shù)識(shí)別:電阻的單位為歐姆(Ω)，倍率單位有:千歐(KΩ)，兆歐(MΩ)等。換算方法是:1兆歐=1000千歐=1000000歐。電阻的參數(shù)標(biāo)注方法有3種，即直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法。a、數(shù)標(biāo)法主要用于貼片等小體積的電路，如:472表示47×100Ω(即);104則表示100Kb、色環(huán)標(biāo)注法使用**多，現(xiàn)舉例如下:四色環(huán)電阻五色環(huán)電阻。南昌縣標(biāo)準(zhǔn)機(jī)電元件即結(jié)合應(yīng)用機(jī)械技術(shù)和電子技術(shù)于一體。
精密電阻)2、電阻的色標(biāo)位置和倍率關(guān)系如下表所示:顏色有效數(shù)字倍率允許偏差(%)從電阻的較細(xì)一段算起銀色/±10金色/±5黑色0+0/棕色1x10±1紅色2x100±2橙色3x1000/黃色4x10000/綠色5x100000±藍(lán)色6x1000000±紫色7x10000000±灰色8x/白色9x/折疊電容1、電容在電路中一般用"C"加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開(kāi)而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱(chēng)為容抗，它與交流信號(hào)的頻率和電容量有關(guān)。容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號(hào)的頻率，C表示電容容量)電話(huà)機(jī)中常用電容的種類(lèi)有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、識(shí)別方法:電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明。
如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開(kāi)關(guān)電容電路等。模擬集成電路設(shè)計(jì)主要是通過(guò)有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)師進(jìn)行手動(dòng)的電路調(diào)試，模擬而得到，與此相對(duì)應(yīng)的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)大部分是通過(guò)使用硬件描述語(yǔ)言在EDA軟件的控制下自動(dòng)的綜合產(chǎn)生。數(shù)字集成電路是將元器件和連線(xiàn)集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門(mén)電路或元器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集成(ULSI)電路。小規(guī)模集成電路包含的門(mén)電路在10個(gè)以?xún)?nèi)，或元器件數(shù)不超過(guò)100個(gè);中規(guī)模集成電路包含的門(mén)電路在10-100個(gè)之間，或元器件數(shù)在100-1000個(gè)之間;大規(guī)模集成電路包含的門(mén)電路在100個(gè)以上，或元器件數(shù)在10-10個(gè)之間;超大規(guī)模集成電路包含的門(mén)電路在1萬(wàn)個(gè)以上，或元器件數(shù)在10-10之間;特大規(guī)模集成電路的元器件數(shù)在10-10之間。它包括:基本邏輯門(mén)、觸發(fā)器、寄存器、譯碼器、驅(qū)動(dòng)器、計(jì)數(shù)器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機(jī)、DSP等。伺服傳動(dòng)技術(shù)和機(jī)械技術(shù)等交叉的系統(tǒng)技術(shù)。
磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件折疊集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC/錄象機(jī)IC/電腦IC通信IC/遙控IC/照相機(jī)IC報(bào)警器IC/門(mén)鈴IC/閃燈IC電動(dòng)玩具IC/溫控IC/音樂(lè)IC電子琴I(mǎi)C/手表IC/其他集成電路折疊電子五金件觸點(diǎn)/觸片/探針鐵心/其他電子五金件折疊顯示器件點(diǎn)陣/led數(shù)碼管/背光器件液晶屏/偏光片/發(fā)光二極管芯片發(fā)光二極管顯示屏/液晶顯示模塊其他顯示器件折疊編輯本段**材料電容器**極板材料/導(dǎo)電材料電極材料/光學(xué)材料/測(cè)溫材料半導(dǎo)體材料/屏蔽材料真空電子材料/覆銅板材料壓電晶體材料/電工陶瓷材料光電子功能材料|強(qiáng)電、弱電用接點(diǎn)材料激光工質(zhì)/電子元器件**薄膜材料電子玻璃/類(lèi)金剛石膜膨脹合金與熱雙金屬片/電熱材料與電熱元件其它電子**材料折疊編輯本段術(shù)語(yǔ)1、COB(ChipOnBoard)通過(guò)幫定將IC裸片固定于印刷線(xiàn)路板上2、COF(ChipOnFPC)將芯片固定于FPC上3、COG(ChipOnGlass)將芯片固定于玻璃上4、El(ElectroLuminescence)電致發(fā)光，EL層由高分子量薄片構(gòu)成，用作LCD的EL光源5、FTN(FormutatedSTN)一層光程補(bǔ)償片加于STN，用于黑白顯示6、LED(LightEmittingDiode)發(fā)光二極管7、PCB(PrintCircuitBoard)印刷線(xiàn)路板8、QFP。自動(dòng)控制技術(shù)、傳感檢測(cè)技術(shù)。于洪區(qū)特色機(jī)電元件質(zhì)量保障
全國(guó)各省市圖書(shū)館和相關(guān)專(zhuān)業(yè)的科研院所和大學(xué)等。法庫(kù)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)電元件排名靠前
很快地被各國(guó)應(yīng)用起來(lái)，在很大范圍內(nèi)取代了電子管。五十年代末期，世界上出現(xiàn)了***塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子產(chǎn)品向更小型化發(fā)展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速發(fā)展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路，從而使電子產(chǎn)品向著高效能低消耗、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方向發(fā)展。由于，電子計(jì)算機(jī)發(fā)展經(jīng)歷的四個(gè)階段恰好能夠充分說(shuō)明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特性，所以下面就從電子計(jì)算機(jī)發(fā)展的四個(gè)時(shí)代來(lái)說(shuō)明電子技術(shù)發(fā)展的四個(gè)階段的特點(diǎn)。在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來(lái)放大電話(huà)的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開(kāi)發(fā)成功的同時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出。法庫(kù)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)電元件排名靠前
深圳市東鴻歆?？萍加邢薰臼且患矣兄冗M(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在北京市等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同 深圳市東鴻歆?？萍脊?yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿(mǎn)的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！